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발진기 (8591)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
XLL735077.000000I	3.2732	RFQ	7265	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll735	77 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL735077.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL335160.000000X	3.3400	RFQ	4825	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll335	160MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll335160.000000xtr	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLL536868.000000I	4.2585	RFQ	3939	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll536	868 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL536868.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH735105.000000I	1.5698	RFQ	8483	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH735	105 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH735105.000000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH335033.330000I	1.5698	RFQ	4451	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	33.33 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335033.3300000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUQ735128.000000I	-	RFQ	4264	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUQ735	128 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUQ735128.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH535008.000000I	1.5698	RFQ	8015	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	8 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535008.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUJ736025.000000I	4.6092	RFQ	6489	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUJ736	25MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUJ736025.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH325125.000000X	1.4696	RFQ	6412	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH325	125MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH325125.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH726012.000000X	1.0187	RFQ	4982	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH726	12MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLH726012.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUH536020.000000I	3.8911	RFQ	7022	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH536	20MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH536020.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH53V115.981982X	1.9706	RFQ	5767	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	XLH53V	115.981982 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH53V115.981982XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	-	-	-	-
XLH325033.000000I	1.5698	RFQ	1964	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH325	33MHz	HCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH325033.000000000	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL530025.000000I	4.2585	RFQ	5199	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL530	25MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUL530025.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XLX738210.000000X	-	RFQ	8454	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLX738	210MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XLX738210.000000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	60ma	결정	± 20ppm	-	-	-
XUH536050.000000I	3.8911	RFQ	2079	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUH536	50MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUH536050.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	98ma	결정	± 25ppm	-	-	-
xll325266.666666i	3.6406	RFQ	5388	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll325	266.666666 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLL325266.666666ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	44MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH535025.175000X	1.4696	RFQ	1935	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH535	25.175 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH535025.175000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP536555.000000I	1.7720	RFQ	1676	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP536	525 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP536525.0000000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XUL535333.330000K	5.3774	RFQ	6602	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL535	333.33 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	800-XUL535333.330000KTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	97ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH530123.770000X	1.4696	RFQ	3309	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH530	123.77 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH530123.770000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	47ma	결정	± 100ppm	-	-	-
XUL525090.000000I	4.2585	RFQ	2274	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL525	90MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL525090.000000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH330001.125000X	1.4696	RFQ	9083	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH330	1.125 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH330001.125000XTR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 100ppm	-	-	-
XPN336078.125000I	9.6359	RFQ	4036	Renesas Electronics America Inc	xp	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XPN336	78.125 MHz	HCSL	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XPN336078.125000ITR	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	83MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XUP736155.520000I	4.8931	RFQ	2910	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xup736	155.52 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUP736155.5200000	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	115ma	결정	± 25ppm	-	-	-
XLH335019.400000I	1.5698	RFQ	6790	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH335	19.4 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH335019.400000ITR	귀 99	8542.39.0001	2,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 50ppm	-	-	-
XLH536012.800000X	1.5698	RFQ	5304	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLH536	12.8 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLH536012.800000XTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	결정	± 25ppm	-	-	-
XLL735050.000000K	3.0227	RFQ	6034	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	xll735	50MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-xll7350.000000ktr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	100ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XLP735038.912000I	1.4153	RFQ	8503	Renesas Electronics America Inc	특대	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XLP735	38.912 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XLP735038.912000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
XUL716156.250000I	4.8931	RFQ	3106	Renesas Electronics America Inc	xu	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.057 "(1.45mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	XUL716	156.25 MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	800-XUL716156.250000ITR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	65MA	결정	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (8591)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²