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| XLH728025.000000X | 1.5865 | | 1898 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC72 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH728 | 25MHz | HCMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 25MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | |||
| XLH535022.579200X | - | | 1009 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC53 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH535 | 22.5792 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 35MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | |||
| XUL726148.500000I | 2.0503 | | 2579 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XUL726 | 148.5 MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 800-XUL726148.500000ITR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 90ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |
| XUP736156.250000I | 4.8931 | | 7156 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | xu | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.057 "(1.45mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | xup736 | 156.25 MHz | lvpecl | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 75MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | |||
| XLH735016.384000X | 1.4696 | | 6978 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Xpresso ™ FXO-HC73 | 조각 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | XLH735 | 16.384 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | 결정 | ± 50ppm | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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