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XLH535007.372800X Renesas Electronics America Inc XLH535007.372800X -
RFQ
ECAD 2446 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 7.3728 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535006.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535006.000000X -
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 6MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535001.544000X Renesas Electronics America Inc XLH535001.544000X -
RFQ
ECAD 1918 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 1.544 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535160.256000I Renesas Electronics America Inc XLH535160.256000I -
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 160.256 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535095.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535095.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 5401 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 95MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535050.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535050.000000I 0.8183
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535033.330000I Renesas Electronics America Inc XLH535033.330000I 1.5698
RFQ
ECAD 9440 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 33.33 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535033.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535033.000000I -
RFQ
ECAD 1735 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 33MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535030.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535030.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 30MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535029.500000I Renesas Electronics America Inc XLH535029.500000I -
RFQ
ECAD 4581 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 29.5MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535024.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535024.000000I 0.8183
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535017.734454I Renesas Electronics America Inc XLH535017.734454I -
RFQ
ECAD 3150 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 17.734454 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535013.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535013.000000I -
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 13MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535010.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535010.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 10MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535005.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535005.000000I -
RFQ
ECAD 2452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH536250.000000X Renesas Electronics America Inc XLH536250.000000X -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 250MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 25ppm - -
XLH536156.250000X Renesas Electronics America Inc XLH536156.250000X 1.6867
RFQ
ECAD 7760 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 156.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH53V148.500000X Renesas Electronics America Inc XLH53V148.500000X -
RFQ
ECAD 4881 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 148.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V144.015000X Renesas Electronics America Inc XLH53V144.015000X -
RFQ
ECAD 1796 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 144.015 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V080.000000X Renesas Electronics America Inc XLH53V080.000000X -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 80MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLH53V051.200000X Renesas Electronics America Inc XLH53V051.200000X 1.5377
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 51.2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLH53V030.720000X Renesas Electronics America Inc XLH53V030.720000X -
RFQ
ECAD 1170 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 30.72 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V020.000000X Renesas Electronics America Inc XLH53V020.000000X 1.5377
RFQ
ECAD 5088 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V004.000000X Renesas Electronics America Inc XLH53V004.000000X -
RFQ
ECAD 8087 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 4 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V001.544000X Renesas Electronics America Inc XLH53V001.544000X -
RFQ
ECAD 6612 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 1.544 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V125.000000I Renesas Electronics America Inc XLH53V125.000000I 2.1209
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 - ± 50ppm -
XLH53V032.000000I Renesas Electronics America Inc XLH53V032.000000I 1.5377
RFQ
ECAD 9830 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 32 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 - ± 50ppm -
XLH53V003.276800I Renesas Electronics America Inc XLH53V003.276800I -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH53V 3.2768 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 - ± 50ppm -
XLH72V033.333000X Renesas Electronics America Inc XLH72V033.333000X -
RFQ
ECAD 5954 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC72 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH72V 33.333 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 - ± 50ppm -
XLH72V026.000000X Renesas Electronics America Inc XLH72V026.000000X -
RFQ
ECAD 6015 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FVXO-HC72 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO XLH72V 26 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 25MA 결정 - ± 50ppm -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고