SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr)
XLH335125.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335125.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 6121 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335064.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335064.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 64 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335043.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335043.000000I -
RFQ
ECAD 2294 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 43MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335033.333300I Renesas Electronics America Inc XLH335033.333300I 1.5698
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 33.3333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335022.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335022.000000I -
RFQ
ECAD 3758 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 22MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335008.448000I Renesas Electronics America Inc XLH335008.448000I 1.5698
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 8.448 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335004.915200I Renesas Electronics America Inc XLH335004.915200I -
RFQ
ECAD 7082 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 4.9152 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH520125.000000I Renesas Electronics America Inc XLH520125.000000I -
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH520 125MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH520002.000000I Renesas Electronics America Inc XLH520002.000000I -
RFQ
ECAD 9131 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH520 2 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 100ppm - -
XLH525025.000000X Renesas Electronics America Inc XLH525025.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 25MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525006.144000X Renesas Electronics America Inc XLH525006.144000X -
RFQ
ECAD 1663 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 6.144 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
XLH525066.666000I Renesas Electronics America Inc XLH525066.666000I -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 66.666 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
XLH526025.000000X Renesas Electronics America Inc XLH526025.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 5365 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 25MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH526025.000000I Renesas Electronics America Inc XLH526025.000000I 1.3600
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 25MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH528069.545000X Renesas Electronics America Inc XLH528069.545000X -
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH528 69.545 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 20ppm - -
XLH530066.666700X Renesas Electronics America Inc XLH530066.666700X -
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 66.6667 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530066.666000X Renesas Electronics America Inc XLH530066.666000X -
RFQ
ECAD 1373 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 66.666 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530066.000000X Renesas Electronics America Inc XLH530066.000000X -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 66MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530026.666000X Renesas Electronics America Inc XLH530026.666000X 1.4696
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 26.666 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730065.100000I Renesas Electronics America Inc XLH730065.100000I -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 65.1 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH730064.000000I Renesas Electronics America Inc XLH730064.000000I 1.5698
RFQ
ECAD 9336 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 64 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH730049.090800I Renesas Electronics America Inc XLH730049.090800I -
RFQ
ECAD 4585 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 49.0908 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730048.587364I Renesas Electronics America Inc XLH730048.587364I 1.5698
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 48.587364 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730042.840000I Renesas Electronics America Inc XLH730042.840000I -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 42.84 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730038.269600I Renesas Electronics America Inc XLH730038.269600I -
RFQ
ECAD 2129 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 38.2696 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730033.750000I Renesas Electronics America Inc XLH730033.750000I -
RFQ
ECAD 4264 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 33.75 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730031.500000I Renesas Electronics America Inc XLH730031.500000I -
RFQ
ECAD 6412 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 31.5MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730026.600000I Renesas Electronics America Inc XLH730026.600000I -
RFQ
ECAD 9237 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 26.6 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730024.704000I Renesas Electronics America Inc XLH730024.704000I -
RFQ
ECAD 4993 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 24.704 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
XLH730024.576000I Renesas Electronics America Inc XLH730024.576000I 1.5698
RFQ
ECAD 2008 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH730 24.576 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 100ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고