SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
RA32M00000L515 TGS RA32M00000L515 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 32 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA32M00000L515 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RF14M18750S300 TGS RF14M18750S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com24 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.1875 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF14M18750S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 20ppm -
RE32M00000S300 TGS RE32M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE32M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RF12M00000S300 TGS RF12M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF12M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
RK32K76800S300 TGS RK32K76800S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS COK22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RK32K76800S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 200µA 결정 ± 50ppm - -
RC100M0000S300 TGS RC100M0000S300 1.7500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC100M0000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - - -
RF24M00000S300 TGS RF24M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF24M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
RC40M00000S300 TGS RC40M00000S300 0.7850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC40M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RC27M00000S300 TGS RC27M00000S300 0.7850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC27M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RD12M00000S300 TGS RD12M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD12M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RD20M00000S300 TGS RD20M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD20M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
RC2M048000S300 TGS RC2M048000S300 0.7550
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.048 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC2M048000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 25MA 결정 ± 50ppm - -
RB10M00000L515 TGS RB10M00000L515 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 10MHz HCMOS 5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB10M00000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB3M072000L515 TGS RB3M072000L515 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 3.6864 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB3M072000L515 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA7M372800L501 TGS RA7M372800L501 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 7.3728 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA7M372800L501 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB12M28800L100 TGS RB12M28800L100 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기) xo (표준) 12.288 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB12M28800L100 귀 99 8541.60.0060 25 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
RA14M31818L100 TGS RA14M31818L100 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 14.31818 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA14M31818L100 귀 99 8541.60.0060 25 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
RA65M53600L101 TGS RA65M53600L101 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 65.536 MHz TTL 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA65M53600L101 귀 99 8541.60.0060 25 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 50ppm - - -
RA16M00000L515 TGS RA16M00000L515 1.2500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 16MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA16M00000L515 귀 99 8542.39.0001 500 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RD16M00000S300 TGS RD16M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 23 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD16M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RD12M28800S300 TGS RD12M28800S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD12M28800S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RE100M0000S300 TGS RE100M0000S300 1.5500
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE100M0000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 70ma 결정 ± 50ppm - -
RE50M00000S300 TGS RE50M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-Re50M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
RE27M00000S300 TGS RE27M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE27M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
RE24M57600S300 TGS RE24M57600S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE24M57600S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RL32K76800S300 TGS RL32K76800S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS COK32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RL32K76800S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 1MA 결정 ± 50ppm - -
RF48M00000S300 TGS RF48M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 6 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF48M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RE12M28800S300 TGS RE12M28800S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE12M28800S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
RE12M00000S300 TGS RE12M00000S300 0.6850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE12M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC20M00000S300 TGS RC20M00000S300 0.7850
RFQ
ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC20M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 40ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고