SIC
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발진기 (113)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
RC125M0000S300 TGS RC125M0000S300 1.7500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC125M0000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 70ma 결정 ± 50ppm - -
RB18M43200L515 TGS RB18M43200L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 18.432 MHz HCMOS 5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB18M43200L515 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA12M28800L100 TGS RA12M28800L100 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 12.288 MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA12M28800L100 귀 99 8541.60.0060 25 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
RD50M00000S300 TGS RD50M00000S300 0.7550
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD50M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RD24M00000S300 TGS RD24M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RD24M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RC48M00000S300 TGS RC48M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC48M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC24M00000S300 TGS RC24M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC24M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA2M457600L515 TGS RA2M457600L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 2.4576 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA2M457600L515 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC50M00000S300 TGS RC50M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC50M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC117M6750S100 TGS RC117M6750S100 1.7500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 117.675 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC117M6750S100tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 70ma 결정 ± 25ppm - - -
RB4M000000L515 TGS RB4M000000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 4 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB4M000000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RE26M00000S300 TGS RE26M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE26M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RE37M12500S300 TGS RE37M12500S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.125 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE37M12500S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RB500K0000L501 TGS RB500K0000L501 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 500 kHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB500K0000L501 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB20M00000L515 TGS RB20M00000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 20MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB20M00000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RE40M00000S300 TGS RE40M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RE40M00000S300TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RA16M00000L505 TGS RA16M00000L505 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 16MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA16M00000L505 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB6M000000L515 TGS RB6M000000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 6MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB6M000000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
RA4M096000L515 TGS RA4M096000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 4.096 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA4M096000L515 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA8M000000L501 TGS RA8M000000L501 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 8 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA8M000000L501 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB3M686400L515 TGS RB3M686400L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 4 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB3M686400L515 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA24M00000L513 TGS RA24M00000L513 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 24 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA24M00000L513 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RB32M00000L515 TGS RB32M00000L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 32 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB32M00000L515 귀 99 8542.39.0001 520 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC25M00000S300 TGS RC25M00000S300 0.7850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC25M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA10M00000L100 TGS RA10M00000L100 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 10MHz HCMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA10M00000L100 귀 99 8541.60.0060 25 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - -
RA14M74560L515 TGS RA14M74560L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 14.7456 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA14M74560L515 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RA10M00000L505 TGS RA10M00000L505 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS Co14 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) xo (표준) 10MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RA10M00000L505 귀 99 8542.39.0001 500 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RC65M53600S002 TGS RC65M53600S002 1.1500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com75 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65.536 MHz TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RC65M53600S002tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - - -
RB14M31818L515 TGS RB14M31818L515 1.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS co8 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 14.31818 MHz HCMOS 5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RB14M31818L515 귀 99 8542.39.0001 520 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - -
RF25M00000S300 TGS RF25M00000S300 0.6850
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 TGS com22 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-RF25M00000S300tr 귀 99 8541.60.0060 3,000 트라이-스테이트 ((활성화) 30ma 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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