전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
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![]() | RB6M000000L515 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | co8 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 6MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RB6M000000L515 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 520 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RA8M000000L501 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 8 MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA8M000000L501 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RE26M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com32 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 26 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RE26M00000S300TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RB500K0000L501 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | co8 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 500 kHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RB500K0000L501 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 520 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC65M53600S002 | 1.1500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 65.536 MHz | TTL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC65M53600S002tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RC50M00000S300 | 0.7850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC50M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RA14M74560L515 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 14.7456 MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA14M74560L515 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RB48M00000L515 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | co8 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 48MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RB48M00000L515 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 520 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC24M00000S300 | 0.7850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC24M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RD25M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com53 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RD25M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RF14M18750S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com24 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 14.1875 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RF14M18750S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 20MA | 결정 | ± 20ppm | - | ||||
![]() | RK32K76800S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | COK22 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RK32K76800S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 200µA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC100M0000S300 | 1.7500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC100M0000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RF24M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com22 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RF24M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC40M00000S300 | 0.7850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 40MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC40M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC27M00000S300 | 0.7850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC27M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RD12M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com53 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RD12M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RD20M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com53 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RD20M00000S300TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RE32M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com32 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RE32M00000S300TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RF12M00000S300 | 0.6850 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com22 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RF12M00000S300tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 40ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RC41M66000S001 | 0.7850 | ![]() | 1 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 41.66 MHz | HCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC41M66000S001TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RA50M00000L101 | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 50MHz | HCMOS | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA50M00000L101 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 25 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RC33M79200S001 | 1.1500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.792 MHz | TTL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC33M79200S001tr | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 15MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |
![]() | RA25M00000L100 | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 25MHz | HCMOS | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA25M00000L100 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 25 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RA14M74560L100 | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.795 "L x 0.496"W (20.20mm x 12.60mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 14.7456 MHz | HCMOS | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA14M74560L100 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 25 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RC20M48000S001 | 0.7850 | ![]() | 3 | 0.00000000 | TGS | com75 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 20.48 MHz | TTL | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RC20M48000S001TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 25MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | RA16M38400L515 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 16.384 MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA16M38400L515 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RB10M00000L513 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | co8 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 10MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RB10M00000L513 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 520 | 트라이-스테이트 ((활성화) | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RB4M915200L515 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | co8 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.520 "L x 0.520"W (13.20mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) | xo (표준) | 4.9152 MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RB4M915200L515 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 520 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | ||
![]() | RA24M00000L505 | 1.2500 | ![]() | 60 | 0.00000000 | TGS | Co14 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.821 "L x 0.520"W (20.86mm x 13.20mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) | xo (표준) | 24 MHz | HCMOS | 5V | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-RA24M00000L505 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 500 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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