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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
MSMBG5357CE3 Microchip Technology MSMBG5357CE3 3.9600
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5357CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5370B Microchip Technology MSMBG5370B 3.9600
RFQ
ECAD 9173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5362AE3 Microchip Technology MSMBG5362AE3 3.9600
RFQ
ECAD 5238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5375CE3 Microchip Technology MSMBJ5375CE3 3.9600
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5375CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5370CE3 Microchip Technology MSMBG5370CE3 3.9600
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5368B Microchip Technology MSMBG5368B 3.9600
RFQ
ECAD 8289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5368B 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5343BE3 Microchip Technology MSMBG5343BE3 3.9600
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5343BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
PHP30H1 Microchip Technology php30h1 -
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/507A 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C 통신 섀시 섀시 기준 기준 제너 PHP30 - 사례 -11 - 영향을받지 영향을받지 150-php30h1 귀 99 8541.10.0080 25 42.5V 50V 84V 90A 7500W (7.5kW) 아니요 1
MSMBG5385AE3 Microchip Technology MSMBG5385AE3 3.9600
RFQ
ECAD 4892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5385AE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBG5354CE3 Microchip Technology MSMBG5354CE3 3.9600
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5354CE3 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5369C Microchip Technology MSMBG5369C 3.9600
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5369C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5369A Microchip Technology MSMBJ5369A 3.9600
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5369A 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5371BE3 Microchip Technology MSMBJ5371BE3 3.9600
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5371BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
VCAN33C2-03G-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VCAN33C2-03G-E3-18 0.4000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 6pf @ 1MHz SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 33V (최대) 36v 60V 2A (8/20µs) 120W 아니요 2
5.0SMLJ60CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMLJ60CA 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0smlj60catr 500 60V 66.7v 96.8V 51.7a 5000W (5kw) 아니요 1
20KPA24A MDE Semiconductor Inc 20KPA24A 11.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20KPA 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KPA24A 100 1 24V 26.81V 41.2v 490.3a 20000W (20kW) 아니요
20KPA180CA MDE Semiconductor Inc 20KPA180CA 11.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20KPA 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KPA180CA 100 180V 201.1v 291V 69.4a 20000W (20kW) 아니요 1
5.0SMDJ28CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ28CA 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0smdj28catr 500 28V 31.1V 45.4V 110A 5000W (5kw) 아니요 1
MPTE-18 MDE Semiconductor Inc MPTE-18 2.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc ICTE/MPTE 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 - Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-MPTE-18 200 1 18V 21.2v 25.2v 50a 1500W (1.5kW) 아니요
20KP172A MDE Semiconductor Inc 20kp172a 14.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20kp 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KP172A 100 1 172v 192.1v 277V 72.9a 20000W (20kW) 아니요
20KP256A MDE Semiconductor Inc 20kp256a 14.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20kp 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KP256A 100 1 256V 286V 412V 49a 20000W (20kW) 아니요
20KPA52CA MDE Semiconductor Inc 20KPA52CA 11.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20KPA 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KPA52CA 100 52V 58.1V 85.8V 235.4a 20000W (20kW) 아니요 1
5.0SMDJ17A MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ17A 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMDJ17AT 500 1 17V 18.9V 27.6V 181a 5000W (5kw) 아니요
20KP132A MDE Semiconductor Inc 20kp132a 14.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20kp 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KP132A 100 1 132v 147.4v 213V 94.8a 20000W (20kW) 아니요
5.0SMLJ6.5A MDE Semiconductor Inc 5.0SMLJ6.5A 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMLJ6.5AT 500 1 6.5V 7.22V 11.2v 446.5a 5000W (5kw) 아니요
ICTE-18 MDE Semiconductor Inc ICTE-18 2.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc ICTE/MPTE 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 - Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-ICTE-18 200 1 18V 21.2v 25.2v 50a 1500W (1.5kW) 아니요
1N6382 MDE Semiconductor Inc 1N6382 2.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc ICTE/MPTE 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 제너 - Do-201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-1N6382 200 1 8V 9.4V 11.6v 100A 1500W (1.5kW) 아니요
5.0SMDJ7.0CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ7.0CA 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMDJ7.0catr 500 7V 7.78V 12V 416.8a 5000W (5kw) 아니요 1
5.0SMDJ10CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ10CA 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0smdj10catr 500 10V 11.1V 17V 294.2a 5000W (5kw) 아니요 1
5.0SMLJ90CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMLJ90CA 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMLJ90catr 500 90V 100V 146V 34.3a 5000W (5kw) 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고