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과도 과도 억제제 (TVS) (134412)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
T4F11AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division t4f11ahm3/h 0.4000
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, PAR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-219ab 제너 - DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 9.4V 10.5V 15.6v 25.6a 400W 아니요
P6SMB33A Yangjie Technology P6SMB33A 0.0750
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-P6SMB33ATR 귀 99 3,000
SMBJ18CA Yangjie Technology smbj18ca 0.0570
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 SMBJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMB (DO-214AA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SMBJ18catr 귀 99 3,000 18V 20V 29.2v 18.6A 600W 아니요 1
SMBJ64CA Yangjie Technology smbj64ca 0.0570
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 SMBJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 smbj64 - SMB (DO-214AA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SMBJ64CAT 귀 99 3,000 64V 71.1v 103V 5.3A 600W 아니요 1
SMF4L7.0CA-7 Diodes Incorporated smf4l7.0ca-7 0.0918
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 다이오드가 다이오드가 smf4l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-219AA 제너 - DO-219AA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SMF4L7.0CA-7TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 7V 7.78V 12V 33.3a 400W 아니요 1
SMF4L26CA-7 Diodes Incorporated SMF4L26CA-7 0.0929
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 다이오드가 다이오드가 smf4l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-219AA 제너 - DO-219AA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SMF4L26CA-7TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 26V 28.9V 42.1v 9.5A 400W 아니요 1
1.5KE110CAS_AY_00001 Panjit International Inc. 1.5KE110CAS_AY_00001 -
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Panjit International Inc. 1.5KE 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 Do-201ae, 1 방향 제너 1.5KE - Do-201ae - Rohs3 준수 3757-1.5KE110CAS_AY_00001TB 귀 99 8541.10.0080 1 94V 105V 152v 9.9A 1500W (1.5kW) 아니요 1
1.5KE22CAS_AY_00001 Panjit International Inc. 1.5KE22CAS_AY_00001 -
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 Panjit International Inc. 1.5KE 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 Do-201ae, 1 방향 제너 1.5KE - Do-201ae - Rohs3 준수 3757-1.5KE22CAS_AY_00001TB 귀 99 8541.10.0080 1 18.8V 20.9V 30.6v 49a 1500W (1.5kW) 아니요 1
20KP120A MDE Semiconductor Inc 20kp120a 14.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20kp 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KP120A 100 1 120V 134V 194V 104.1a 20000W (20kW) 아니요
5.0SMDJ6.0A MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ6.0A 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMDJ6.0AT 500 1 6V 6.67V 10.3v 485.5a 5000W (5kw) 아니요
5.0SMLJ13CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMLJ13CA 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0smlj13catr 500 13V 14.4V 21.5V 233A 5000W (5kw) 아니요 1
20KP36CA MDE Semiconductor Inc 20kp36ca 14.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 20kp 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 범용 구멍을 구멍을 p600, 축, 제너 - P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-20KP36CA 100 36v 40.2v 61.5V 328.5a 20000W (20kW) 아니요 1
5.0SMDJ60A MDE Semiconductor Inc 5.0SMDJ60A 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMDJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0SMDJ60AT 500 1 60V 66.7v 96.8V 51.7a 5000W (5kw) 아니요
5.0SMLJ78CA MDE Semiconductor Inc 5.0SMLJ78CA 2.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 mde. inc 5.0SMLJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AB, SMC 제너 - do-214ab (smcj) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3811-5.0smlj78catr 500 78V 86.7v 126V 39.7a 5000W (5kw) 아니요 1
TA6L22AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ta6l22Ahm3/h 0.1657
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-TA6L22AHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 18.8V 20.9V 30.6v 19.6a 600W 아니요
SMA6F130A-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f130a-m3/h 0.1020
RFQ
 ECAD 8982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 통신 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - DO-221AC (Slimsma) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-SMA6F130A-M3/HTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 130V 144V 207V 2.9A 600W 아니요
TA6L33AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ta6l33ahm3/i 0.1073
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-TA6L33AHM3/ITR 귀 99 8541.10.0080 14,000 1 28.2v 31.4V 45.7V 13.1a 600W 아니요
TA6L15AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division TA6L15AHM3/h 0.1657
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-TA6L15AHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 12.8V 14.3v 21.2v 28.3a 600W 아니요
TA6L8.2AHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division TA6L8.2AHM3/H 0.1714
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-TA6L8.2AHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 7.02V 7.79V 12.1V 49.6a 600W 아니요
SMA6F110A-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f110a-m3/h 0.0909
RFQ
 ECAD 4578 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 통신 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMA6F110A-M3/HTR 귀 99 8541.10.0080 3,500 1 110V 122v 177v 3.4a 600W 아니요
TA6L10AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ta6l10ahm3/i 0.1657
RFQ
 ECAD 6475 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 185 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-ta6l10ahm3/itr 귀 99 8541.10.0080 14,000 1 8.55V 9.5V 14.5V 41.4a 600W 아니요
SMA6F120A-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f120a-m3/i 0.0990
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Transzorb® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 통신 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 제너 - DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMA6F120A-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 14,000 1 120V 133V 194V 3.1a 600W 아니요
ESD12VD7-TP-HF Micro Commercial Co ESD12VD7-TP-HF -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOD-723 제너 ESD12VD7 30pf @ 1MHz SOD-723 다운로드 353-ESD12VD7-TP-HF 귀 99 8541.10.0080 1 1 12V (최대) 13.5V 23.7v 5.4A (8/20µs) 128W 아니요
D24V0S1U2LP1610-7 Diodes Incorporated D24V0S1U2LP1610-7 0.0654
RFQ
 ECAD 8908 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 0603 (1610 메트릭) 제너 D24V0 210pf @ 1MHz u-dfn1610-2 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-D24V0S1U2LP1610-7TR 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 24V 26V 42V 31a - 아니요
MXDLTS-30C Microchip Technology MXDLTS-30C -
RFQ
 ECAD 3488 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 dlts 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 범용 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) 제너 165pf @ 1mhz (max) 16-CDIP - 영향을받지 영향을받지 150-mxdlts-30C 귀 99 8541.10.0080 100 30V 33.3v 65V 10A (8/20µs) 500W 아니요 15
SMF4L110A-7 Diodes Incorporated SMF4L110A-7 0.0942
RFQ
 ECAD 4124 0.00000000 다이오드가 다이오드가 smf4l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 DO-219AA 제너 - DO-219AA 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SMF4L110A-7TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 110V 122v 177v 2.3a 400W 아니요
MSMBG5370C Microchip Technology MSMBG5370C 3.9600
RFQ
 ECAD 5473 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5370C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBJ5372BE3 Microchip Technology MSMBJ5372BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5372BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
MSMBJ5385C Microchip Technology MSMBJ5385C 3.9600
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-214AA, SMB 제너 - SMBJ (DO-214AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBJ5385C 1 - - - - 600W 아니요 1
MSMBG5362BE3 Microchip Technology MSMBG5362BE3 3.9600
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 DO-215AA, SMB GULL WING 제너 - SMBG (DO-215AA) - 영향을받지 영향을받지 150-MSMBG5362BE3 1 1 - - - - 600W 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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