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과도 과도 억제제 (TVS) (236)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
DF2B5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4CT, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 제너 DF2B5 0.2pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 3.6V (최대) 4V 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요 1
CUHZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuhz6v2, H3f 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 735pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 6.2V 5.8V 6.1V (유형) 87a (8/20µs) 1800W (1.8kW) 아니요
DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV (TL3, T) -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 SOT-723 조향 (대 철도 철도) DF3D 0.5pf @ 1MHz VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 2 5V (최대) 6V 15V (유형) 1A (8/20µs) - 예
DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3JE, LM -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A 115pf @ 1MHz ESV - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 - 3.1V - - - 아니요
DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.2 6.5pf @ 1MHz USM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 5V 5.9V - - - 아니요
DF5A3.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6JE, LM -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A3.6 110pf @ 1MHz ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 1V 3.4V - - - 아니요
MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ36V, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 18pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 36v 34V 63V (유형) 3A (8/20µs) 200W 아니요
DF2B7ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ACT, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 제너 DF2B7 8.5pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5.5V (최대) 5.8V 20V 4A (8/20µs) 80W 아니요 1
CEZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V8, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 88pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 6.8V 6.4V 13V (유형) 10A (8/20µs) 180W 아니요
DF5A6.8CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CFU (TE85L, f 0.4400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A6.8 23pf @ 1MHz USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 아니요
DF2S6.8FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8FS, L3M 0.1700
RFQ
 ECAD 657 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S6.8 25pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 5V (최대) 6.4V 9V (유형) - - 아니요
DF2S5.6FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6FS, L3M 0.1700
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S5.6 40pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V (최대) 5.3v - - - 아니요
DF5A3.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CJE, LM 0.3100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A3.6 52pf @ 1MHz ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 1.8V 3.4V - - - 아니요
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2S30 7.2pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 23V 28V - - - 아니요
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC (TE85L) 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 활동적인 - 범용 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 조향 (대 철도 철도) DF6F 0.6pf @ 1MHz CST6C - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 5V (최대) 6V 24V 2.5A (8/20µs) - 예 4
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8Uct (TPL3) -
RFQ
 ECAD 6434 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2S6.8 1.6pf @ 1mhz CST2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 19V (최대) 22V - - - 아니요
DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFU, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A5.6 8pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 3.5V 5.3v - - - 아니요
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage df6a6.8fu, lf 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 제너 DF6A6.8 45pf @ 1MHz US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 - 6.4V - - - 아니요
MSZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V8, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 88pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V (유형) 10A (8/20µs) 180W 아니요
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A5.6 65pf @ 1MHz SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 2.5V 5.3v - - - 아니요
DF3A3.6FV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage df3a3.6fv (tpl3, z) -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 SOT-723 제너 DF3A 110pf @ 1MHz VESM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 2 1.8V 3.4V - - - 아니요
MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 105pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8V 10V (유형) 11a (8/20µs) 175W 아니요
DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2FU (TE85L, F) 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A6.2 55pf @ 1MHz USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 3V 5.8V - - - 아니요
DF3A6.8LSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LSU, LF -
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DF3A6.8 USM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FUTE85LF 0.3400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.2 55pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 3V 5.8V - - - 아니요
DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC, L3F 0.0750
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B12 0.2pf @ 1MHz SC2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 8V (최대) 10V 18V (유형) 1A (8/20µs) - 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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