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과도전압치료기(TVS)(236)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 커패시턴스 @UX 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 단방향 채널 전압 - 역방향오프 스탠드(일반) 전압 - 출력(최소) 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp 현재 -(10/1000μs) 전력 - 전력선 보호 양방향 채널
CUHZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ12V,H3F 0.4600
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 280pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 13.6V(표준) 60A(8/20μs) 2100W(2.1kW) 아니요
DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1ASL,L3F 0.2000
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S5.1 45pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V(최대) 4.8V - - - 아니요
DF2B29FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU,H3F 0.3400
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - 표면 실장 SC-76, SOD-323 제너 DF2B29 9pF @ 1MHz USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 24V 26V 47V 3A(8/20μs) 140W 아니요 1
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT,L3F 0.4000
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 0.6pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(최대) 5.5V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 아니요
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS(TPL3,T) -
보상요청
 ECAD 2628 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 DF2B 15pF @ 1MHz fSC 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(최대) 5.8V 8.5V(표준) 1A(8/20μs) - 아니요 1
DF5A3.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6JE,LM -
보상요청
 ECAD 7472 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOT-553 제너 DF5A3.6 110pF @ 1MHz ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 1V 3.4V - - - 아니요
DF3A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6FU(TE85L,F) 0.3900
보상요청
 ECAD 129 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3A3.6 110pF @ 1MHz USM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.4V - - - 아니요
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT,L3F 0.1900
보상요청
 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S30 7.2pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 23V 28V - - - 아니요
DF3A5.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FU(TE85L,F) 0.3900
보상요청
 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3A5.6 65pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) DF3A5.6FU(TE85LF)TR EAR99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3V - - - 아니요
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2CT(TPL3) 0.3300
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-101, SOT-883 제너 DF3A6.2 55pF @ 1MHz CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 2 3V 5.8V - - - 아니요
MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8,LF 0.3500
보상요청
 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 88pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V(표준) 10A(8/20μs) 180W 아니요
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ5V6,H3F 0.3500
보상요청
 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 쿠즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-76, SOD-323 제너 125pF @ 1MHz USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V 9V(표준) 12A(8/20μs) 155W 아니요
DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N,LF 0.3800
보상요청
 ECAD 7561 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 5-XFDFN 제너 DF5G5M4 0.2pF @ 1MHz 5-DFN(1.3x0.8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 5,000 5 3.6V(최대) 4V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요
CUHZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ6V2,H3F 0.4600
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 CUHZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 735pF @ 1MHz US2H 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 3,000 1 6.2V 5.8V 6.1V(표준) 87A(8/20μs) 1800W(1.8kW) 아니요
DF2S5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4SL,L3F 0.3000
보상요청
 ECAD 98 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S5 0.35pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V(최대) 3.7V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT,L3F 0.3900
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 0.6pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V(최대) 3.6V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 아니요
DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFU,LF 0.3000
보상요청
 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3A5.6 8pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 3.5V 5.3V - - - 아니요
DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL,L3F 0.1800
보상요청
 ECAD 95 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 0201(0603미터법) 제너 DF2B7 8.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V 5.8V 20V 4A(8/20μs) 80W 아니요 1
MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ36V,LF 0.3800
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 18pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V(일반) 3A(8/20μs) 200W 아니요
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC(TE85L) 0.6600
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 - 범용 표면 실장 6-XFDFN 옆형 패드 레일 투구 DF6F 0.6pF @ 1MHz CST6C - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 5,000 5V(최대) 6V 24V 2.5A(8/20μs) - 예 4
DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FTE85LF 0.4100
보상요청
 ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A5.6 65pF @ 1MHz SMV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 2.5V 5.3V - - - 아니요
DF3A3.6FV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.6FV(TPL3,Z) -
보상요청
 ECAD 6430 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A 110pF @ 1MHz 베스엠 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 1.8V 3.4V - - - 아니요
DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV(TL3,T) -
보상요청
 ECAD 7389 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 SOT-723 레일 투구 DF3D 0.5pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 5V(최대) 6V 15V(일반) 1A(8/20μs) - 예
DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CFU(TE85L,F 0.0824
보상요청
 ECAD 5805 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A3.6 52pF @ 1MHz USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 1.8V 3.4V - - - 아니요
DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC,L3F 0.0750
보상요청
 ECAD 3966 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B12 0.2pF @ 1MHz SC2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 8V(최대) 10V 18V(일반) 1A(8/20μs) - 아니요 1
DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT(TPL3) -
보상요청
 ECAD 2625 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2B12 0.3pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 8V(최대) 10V 18V(일반) 1A(8/20μs) - 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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