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과도 과도 억제제 (TVS) (236)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8AFS, L3M -
RFQ
 ECAD 2977 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2B 9pf @ 1mhz SOD-923 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 5.8V 7V (유형) 1A (8/20µs) - 아니요 1
DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE, H3F 0.2200
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 DF2B7 8.5pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 5.5V (최대) 5.8V 20V 4A (8/20µs) 80W 아니요 1
DF2S6.8MFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS, L3M 0.3700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S6.8 0.45pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 5V (최대) 6V 15V 3A 45W 아니요
DF2S5M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5SL, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S5 0.6pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V (최대) 3.6v 16V (유형) 2.5A (8/20µs) 37W 아니요
DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4ASL, L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 546 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B5 0.15pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 3.6V (최대) 4V 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요 1
DF3A6.8LCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LCT, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-101, SOT-883 제너 DF3A6.8 6pf @ 1MHz CST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 2 - 6.5V - - - 아니요
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE, LM 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A5.6 8pf @ 1MHz ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3v - - - 아니요
MSZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ20V, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 29pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 30.5V (() 5A (8/20µs) 200W 아니요
MSZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ12V, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 44pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 26V (유형) 7A (8/20µs) 200W 아니요
MUZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ12V, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 44pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 26V (유형) 7A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ20V, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 29pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 20V 18.8V 30.5V (() 5A (8/20µs) 200W 아니요
MSZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ30V, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 21pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V (5) 4A (8/20µs) 200W 아니요
CUZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ20V, H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 29pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 20V 18.8V 30.5V (() 5A (8/20µs) 200W 아니요
MSZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ24V, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 26pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5V (() 4.5A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ16V, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 35pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 16V 15.3v 27V (유형) 5.5A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ12V, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 44pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 12V 11.4V 26V (유형) 7A (8/20µs) 200W 아니요
CUZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuz8v2, H3f 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 67pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 8.2v 7.7V 16.5V (() 8.5A (8/20µs) 200W 아니요
MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ24V, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 26pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5V (() 4.5A (8/20µs) 200W 아니요
DF2B18FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 9pf @ 1mhz USC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 12V (최대) 16.2v 33V 2.5A (8/20µs) 80W 아니요 1
CUHZ8V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuhz8v2, H3f 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 450pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 8.2v 7.7V 8.5V (유형) 68A (8/20µs) 1900W (1.9kw) 아니요
CUHZ16V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ16V, H3F 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 210pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 16V 15.3v 17V (유형) 42A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
CUHZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ36V, H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 105pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 36v 34V 41.2v (2) 23A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
CSLZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ5V6, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 35pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 3.5V (최대) 5.3v 9V (유형) 2.5A (8/20µs) 72W 아니요
CSLZ20V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ20V, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 9.5pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 15V (최대) 18.8V 30V (유형) 2.5A (8/20µs) - 아니요
CSLZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V2, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 30pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 5V (최대) 5.8V 10.5V (유형) 2.5A (8/20µs) 87W 아니요
CSLZ10V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ10V, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 1MHz 16pf SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 8V (최대) 9.4V 18V (유형) 2.5A (8/20µs) 60W 아니요
CEZ8V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ8V2, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 67pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 8.2v 7.7V 16.5V (() 8.5A (8/20µs) 200W 아니요
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS, L3M 0.1700
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S16 10pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 12V (최대) 15.3v - - - 아니요
CUHZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ24V, H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 150pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 25.5V (() 27A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
DF5A3.6F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.6f (te85l, f) 0.0845
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A3.6 110pf @ 1MHz SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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