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과도 과도 억제제 (TVS) (236)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOD-882 제너 0.6pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 3.3V (최대) 3.6v 15V 2.5A (8/20µs) 37W 아니요
CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ20V, H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 180pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 20.6V (() 36A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuhz6v8, H3f 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 585pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 6.8V 6.4V 7.2V (유형) 73A (8/20µs) 1800W (1.8kW) 아니요
CUHZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ12V, H3F 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 280pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 13.6V (() 60A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC, L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S23 1MHz @ 1MHz CST2C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 21V (최대) 21.5V 35.7V 14A (8/20µs) 500W 아니요
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU, H3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 DF2S23 1MHz @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 21V (최대) 21.5V 27.3V (() 14A (8/20µs) 500W 아니요
DF2B26M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B26M4SL, L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B26 0.2pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 24V (최대) 21V 31.5V (() 500ma (8/20µs) 19W 아니요 1
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.8 45pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 - 6.4V - - - 아니요
DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 5-xfdfn 제너 DF5G5M4 0.2pf @ 1MHz 5-DFN (1.3x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 5 3.6V (최대) 4V 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요
DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 5-xfdfn 제너 DF5G6M4 0.2pf @ 1MHz 5-DFN (1.3x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 5 5.5V (최대) 5.6v 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요
DF2B7M3SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SC, L3F -
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B 0.1pf @ 1MHz SC2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 6V 13V (유형) 1A (8/20µs) 50W 아니요 1
DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 제너 DF2B7 8.5pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5.5V 5.8V 20V 4A (8/20µs) 80W 아니요 1
DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL, L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S6 0.35pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V (최대) 5.6v 15V 2A 30W 아니요
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT, L3F 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOD-882 제너 0.6pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 5V (최대) 5.5V 15V 2.5A (8/20µs) 37W 아니요
DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.6fu (te85l, f) 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A3.6 110pf @ 1MHz USV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - 아니요
DF2S5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4SL, L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S5 0.35pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V (최대) 3.7V 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요
DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.6cfu (te85l, f 0.0824
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A3.6 52pf @ 1MHz USV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 1.8V 3.4V - - - 아니요
DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N, LF -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 10-ufdfn 제너 DF10 0.2pf @ 1MHz 10-DFN (2.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 5.5V (최대) 5.6v 25V 2A (8/20µs) 30W 아니요 4
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2S8.2 20pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V 7.7V - - - 아니요
DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B7 0.1pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5.5V (최대) 6V 20V 2.5A (8/20µs) 50W 아니요 1
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuz5v6, H3f 0.3500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 125pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 5.6v 5.3v 9V (유형) 12A (8/20µs) 155W 아니요
DF2B12M1CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M1CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2B12 0.3pf @ 1MHz CST2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 8V (최대) 10V 18V (유형) 1A (8/20µs) - 아니요 1
DF5A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a6.2f (te85l, f) 0.4500
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A6.2 55pf @ 1MHz SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 3V 5.8V - - - 아니요
DF5A6.8F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8f, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A6.8 45pf @ 1MHz SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - 아니요
DF3A5.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df3a5.6fu (te85l, f) 0.3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A5.6 65pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) DF3A5.6FU (TE85LF) TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3v - - - 아니요
DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1ASL, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S5.1 45pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V (최대) 4.8V - - - 아니요
DF3D18FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 9pf @ 1mhz USM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 12V (최대) 16.2v 33V 2.5A (8/20µs) 80W 아니요 2
DF3A3.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage df3a3.6ct (tpl3) 0.0549
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-101, SOT-883 제너 DF3A3.6 110pf @ 1MHz CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - 아니요
DF2B18FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3F 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 DF2B18 9pf @ 1mhz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 12V 16.2v 33V 2.5A (8/20µs) 80W 아니요 1
DF2B6.8E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8E, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 DF2B6.8 15pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 5V (최대) 5.8V - - - 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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