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과도 과도 억제제 (TVS) (236)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6M4N, LF -
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 6-ufdfn 제너 DF6D6M4 0.2pf @ 1MHz 6-DFN (1.25x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 5.5V (최대) 5.6v 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요 2
DF5A6.8JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8JE, LM 0.3100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A6.8 45pf @ 1MHz ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.4V - - - 아니요
DF2S20CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20CT, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2S20 9pf @ 1mhz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 15V 18.8V - - - 아니요
DF3A6.8LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.8 6pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 5V 6.5V - - - 아니요
DF2S12FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FS, L3M 0.1800
RFQ
 ECAD 873 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S12 15pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 9V (최대) 11.4V 18.5V 1A (8/20µs) - 아니요
DF3A6.8UFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage df3a6.8ufu, lf 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.8 2.5pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 5V (최대) - - - - 아니요
DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B20M4SL, L3F 0.3300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 제너 DF2B20 0.2pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 18.5V (() 19V 30V 500ma (8/20µs) 15W 아니요 1
DF3A5.6F,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6F, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 DF3A5.6 65pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3v - - - 아니요
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ30V, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 21pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 47.5V (5) 4A (8/20µs) 200W 아니요
DF2S5.1FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1FS, L3M 0.1700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOD-923 제너 DF2S5.1 45pf @ 1MHz SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V (최대) 4.8V - - - 아니요
DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M2SL, L3F 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B7 0.2pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 6V 20V 2A (8/20µs) 40W 아니요 1
DF3A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df3a3.6fu (te85l, f) 0.3900
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A3.6 110pf @ 1MHz USM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 1V 3.4V - - - 아니요
DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU, LF 0.3600
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-70, SOT-323 - DF3D36 7pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 28V 32V - - - 아니요 2
DF2B29FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU, H3F 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 DF2B29 9pf @ 1mhz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 24V 26V 47V 3A (8/20µs) 140W 아니요 1
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage df2b6.8fs (tpl3, t) -
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 DF2B 15pf @ 1MHz FSC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 5.8V 8.5V (유형) 1A (8/20µs) - 아니요 1
CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ36V, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 18pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 36v 34V 63V (유형) 3A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ30V, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 21pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 30V 28V 47.5V (5) 4A (8/20µs) 200W 아니요
MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ36V, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 18pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 36v 34V 63V (유형) 3A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ5V6, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 125pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 5.6v 5.3v 9V (유형) 12A (8/20µs) 155W 아니요
MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ6V8, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 88pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V (유형) 10A (8/20µs) 180W 아니요
CUZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuz6v8, H3f 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 88pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V (유형) 10A (8/20µs) 180W 아니요
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V, H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 26pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 24V 22.8V 36.5V (() 4.5A (8/20µs) 200W 아니요
CUZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ12V, H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 44pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 12V 11.4V 26V (유형) 7A (8/20µs) 200W 아니요
CEZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V2, L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 702 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CEZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-79, SOD-523 제너 105pf @ 1MHz ESC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 8,000 1 6.2V 5.8V 10V (유형) 11a (8/20µs) 175W 아니요
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage df3a6.2ct (tpl3) 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-101, SOT-883 제너 DF3A6.2 55pf @ 1MHz CST3 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 2 3V 5.8V - - - 아니요
CSLZ16V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ16V, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 10.5pf @ 1mhz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 12V (최대) 15.3v 30V (유형) 2.5A (8/20µs) - 아니요
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ30V, L3F 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 CSLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 CSLZ 7.5pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 23V (최대) 28V 51V (유형) 2.5A (8/20µs) - 아니요
DF3A6.2LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6 6.5pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 5V (최대) 5.9V - - - 아니요
MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ20V, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 29pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 30.5V (() 5A (8/20µs) 200W 아니요
DF2B29FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU, H3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 9pf @ 1mhz USC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 24V (최대) 26V 47V 3A (8/20µs) 140W 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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