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과도 과도 억제제 (TVS) (236)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 커패시턴스 @ 주파수 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 단방향 단방향 짐 전압- 최소 (고장) 전압- max (max) @ ipp 짐 파워 - 펄스 피크 전력선 전력선 양방향 양방향
CUZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuz6v2, H3f 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 105pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8V 10V (유형) 11a (8/20µs) 175W 아니요
MUZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ8V2, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 무즈 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 67pf @ 1MHz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 3,000 1 8.2v 7.7V 16.5V (() 8.5A (8/20µs) 200W 아니요
DF3D36FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU, LXHF 0.5100
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 6.5pf @ 1MHz SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 28V (최대) 32V 60V 2.5A (8/20µs) 150W 아니요 2
DF3D29FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 자동차 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 9pf @ 1mhz SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 24V (최대) 26V 47V 3A (8/20µs) 140W 아니요 2
DF2B6M5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M5SL, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B6 0.3pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5V (최대) 5.5V 26.5V (() 2.5A (8/20µs) 37W 아니요 1
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT, L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOD-882 제너 DF2S 90pf @ 1MHz CST2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6v 16V 10A (8/20µs) 160W 아니요
DF3A5.6FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6FV, L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-723 제너 DF3A5.6 65pf @ 1MHz VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.3v - - - 아니요
DF3A6.2LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFV, L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-723 제너 DF3A6.2 6.5pf @ 1MHz VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.9V - - - 아니요
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV, L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-723 제너 DF3A6.8 45pf @ 1MHz VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 2 - 6.4V - - - 아니요
DF5A6.8CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8CJE, LM 0.2800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A6.8 23pf @ 1MHz ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 - 6.4V - - - 아니요
DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL, L3F 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B6 0.15pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5.5V (최대) 5.6v 15V 2A (8/20µs) 30W 아니요 1
DF2S14P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2FU, H3F 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 SC-76, SOD-323 제너 DF2S14 270pf @ 1MHz USC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 12.6V (() 12.9V 32V 50A (8/20µs) 1600W (1.6kW) 아니요
DF2B7BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7BSL, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B7 12pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 5.5V (최대) 5.6v 16V 7.3A (8/20µs) 115W 아니요 1
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Cuhz5v6, H3f 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 860pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 5.6v 5.3v 5.7V (유형) 91A (8/20µs) 1750W (1.75kW) 아니요
DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE, LM 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SOT-553 제너 DF5A5.6 65pf @ 1MHz ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 4,000 4 2.5V 5.3v - - - 아니요
DF2S5.1SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1SC (TPL3) 0.0438
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 제너 DF2S5.1 25pf @ 1MHz SC2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V 4.85V - - - 아니요
DF2S7MSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S7MSL, L3F 0.2800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S7 0.5pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 5V (최대) 6V 20V 3A (8/20µs) 60W 아니요
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage df3a5.6ct (tpl3) -
RFQ
 ECAD 1096 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-101, SOT-883 제너 DF3A5.6 65pf @ 1MHz CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 2 2.5V 5.3v - - - 아니요
DF5G7M2N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G7M2N, LF -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 5-xfdfn 조향 (대 철도 철도) DF5G7M2 0.2pf @ 1MHz 5-DFN (1.3x0.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 4 5.5V (최대) 6V 20V 2.5A (8/20µs) 50W 아니요
CUHZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ30V, H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 cuhz 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 125pf @ 1MHz US2H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28V 33.8V (() 26A (8/20µs) 2100W (2.1kw) 아니요
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-70, SOT-323 제너 DF3D29 9pf @ 1mhz USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 24V 26V 47V 3A (8/20µs) 140W 아니요
DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF, LF 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A6.8 6pf @ 1MHz SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - 아니요
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC, L3F 0.4100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2S14 270pf @ 1MHz CST2C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 12.6v 12.9V - 50a - 아니요
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 MSZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 125pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 5.6v 5.3v 9V (유형) 12A (8/20µs) 155W 아니요
DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS, L3F -
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 활동적인 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 DF2S 1.6pf @ 1mhz FSC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 1 19V (최대) 22V - - - 아니요
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL, L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 범용 표면 표면 2-SMD,, 없음 제너 DF2B5 7.2pf @ 1MHz SL2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 3.3V (최대) 3.6v 11.5V (() 5.5A (8/20µs) 77W 아니요 1
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.3f (te85l, f) 0.0801
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-74A, SOT-753 제너 DF5A3.3 115pf @ 1MHz SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - - 아니요
DF3A3.3CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage df3a3.3ct (tpl3) 0.0549
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 SC-101, SOT-883 제너 DF3A3.3 115pf @ 1MHz CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - 아니요
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage df2b6.8fs (tpl4, d) -
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 범용 표면 표면 2-SMD,, 리드 제너 DF2B 15pf @ 1MHz FSC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8,000 5V (최대) 5.8V 8.5V (유형) 1A (8/20µs) - 아니요 1
DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage df3a6.2f (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 범용 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 제너 DF3A6.2 55pf @ 1MHz S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 3V 5.8V - - - 아니요
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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