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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 커패시턴스 @UX 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 단방향 채널 전압 - 역방향오프 스탠드(일반) 전압 - 출력(최소) 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp 현재 -(10/1000μs) 전력 - 전력선 보호 양방향 채널
DF2B6.8AFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8AFS,L3M -
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ECAD 2977 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2B 9pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 10,000 5V(최대) 5.8V 7V(표준) 1A(8/20μs) - 아니요 1
CEZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ12V,L3F 0.3100
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ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 CEZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-79, SOD-523 제너 44pF @ 1MHz ESC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 8,000 1 12V 11.4V 26V(일반) 7A(8/20μs) 200W 아니요
DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4ASL,L3F 0.3500
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ECAD 546 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B5 0.15pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 3.6V(최대) 4V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 1
DF10G7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G7M1N,LF -
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ECAD 4099 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - HDMI 표면 실장 10-UFDFN 레일 투구 DF10 0.3pF @ 1MHz 10-DFN(2.5x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 5V(최대) 6V 12V(일반) 1A(8/20μs) -
DF3A6.2FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FV,L3F 0.3200
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ECAD 9211 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A6.2 55pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 5.8V - - - 아니요
DF2S6M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4CT,L3F 0.2900
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ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S6 0.35pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요
DF5A6.2LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LJE,LM 0.3300
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOT-553 제너 DF5A6.2 6.5pF @ 1MHz ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.9V - - - 아니요
DF5A5.6LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LJE,LM 0.3400
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOT-553 제너 DF5A5.6 8pF @ 1MHz ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 4,000 4 - 5.3V - - - 아니요
DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU,H3F 0.3400
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - 표면 실장 SC-76, SOD-323 제너 DF2B36 6.5pF @ 1MHz USC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 28V 32V 40V 1A(8/20μs) 150W 아니요 1
DF2S5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4CT,L3F 0.2900
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ECAD 640 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S5 0.35pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V(최대) 3.7V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요
DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS,L3F 0.4800
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 플랫 리드 제너 DF2S6.8 0.5pF @ 1MHz fSC 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(최대) 6V 15V(일반) 1A(8/20μs) - 아니요
DF2S6P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2CTC,L3F 0.4100
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ECAD 4595 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) USB 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S6 600pF @ 1MHz CST2C 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5.5V(최대) 5.6V - 80A - 아니요
DF3A5.6LFV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 0.3900
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ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A5.6 8pF @ 1MHz 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 3.5V 5.3V - - - 아니요
MUZ24V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ24V,LF 0.3500
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 26pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 24V 22.8V 36.5V(표준) 4.5A(8/20μs) 200W 아니요
DF2B5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M5CT,L3F 0.4800
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOD-882 제너 0.3pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 3.3V(최대) 3.6V 15V 2.5A(8/20μs) 37W 아니요 1
MUZ12V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ12V,LF 0.3500
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 무즈 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 44pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 26V(일반) 7A(8/20μs) 200W 아니요
DF2S16FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16FS,L3M 0.1700
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ECAD 103 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S16 10pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 12V(최대) 15.3V - - - 아니요
DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3FV,L3F 0.2200
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 범용 표면 실장 SOT-723 제너 DF3A3.3 115pF @ 1MHz 베스엠 - RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 8,000 2 - 3.1V - - - 아니요
DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL,L3F 0.1900
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ECAD 21 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2S6.2 32pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 5V(최대) 5.8V - - - 아니요
DF2B6USL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6USL,L3F 0.3100
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B6 1.5pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V(최대) 5.7V 20V 1.5A(8/20μs) 30W 아니요 1
DF2S10FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S10FS,L3M 0.1700
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S10 16pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 8V(최대) 9.4V - - - 아니요
DF3D18FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU,LF 0.3900
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3D18 9pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 12V 16.2V 33V 2.5A(8/20μs) 80W 아니요 2
DF3A6.8LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFU,LF 0.3700
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ECAD 176 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SC-70, SOT-323 제너 DF3A6.8 6pF @ 1MHz USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 2 5V 6.5V - - - 아니요
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6M4N,LF -
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ECAD 8348 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 6-UFDFN 제너 DF6D6M4 0.2pF @ 1MHz 6-DFN(1.25x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 2
DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LFU(TE85L,F 0.4800
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 제너 DF5A5.6 8pF @ 1MHz USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 3,000 4 3.5V 5.3V - - - 아니요
CSLZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ12V,L3F 0.2200
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 CSLZ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 CSLZ 13pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0050 10,000 1 9V(최대) 11.4V 28V(일반) 2.5A(8/20μs) 72W 아니요
DF2S30FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30FS,L3M 0.1700
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ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-923 제너 DF2S30 7pF @ 1MHz SOD-923 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 23V(최대) 28V - - - 아니요
DF2S20CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S20CT,L3F 0.1900
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ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 범용 표면 실장 SOD-882 제너 DF2S20 9pF @ 1MHz 중부표준시2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 1 15V 18.8V - - - 아니요
DF2B6M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4ASL,L3F 0.3600
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 2-SMD, 무연 제너 DF2B6 0.15pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0080 10,000 5.5V(최대) 5.6V 15V 2A(8/20μs) 30W 아니요 1
DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B20M4SL,L3F 0.3300
보상요청
ECAD 36 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 범용 표면 실장 0201(0603미터법) 제너 DF2B20 0.2pF @ 1MHz SL2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.10.0070 10,000 18.5V(최대) 19V 30V 500mA(8/20μs) 15W 아니요 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고