전화 : +86-0755-83501315
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![]() | MAL218497801E3 | 0.9125 | ![]() | 2780 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 184 CPN | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 5.6 µF | ± 20% | 63 v | 100mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 자동차 | 700 ma @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.240 "(6.10mm) | 0.248 "L x 0.248"W (6.30mm x 6.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||||
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![]() | 128ULR010MEF | - | ![]() | 8172 | 0.00000000 | Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 | ulr | 대부분 | 활동적인 | 1200 µF | ± 20% | 10 v | 8mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 분리 | 310 ma @ 120 Hz | 6.2 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.551 "(14.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
![]() | ESRE391M0ER-F | - | ![]() | 5017 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 에스르 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 390 µF | ± 20% | 2.5 v | - | 1000 @ @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 우회, 분리 | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.161 "(4.10mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||||||
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![]() | gya1h101mcq1gs | 1.2300 | ![]() | 1950 | 0.00000000 | 니치콘 | Gya | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 100 µf | ± 20% | 50 v | 28mohm | 4000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 1.6 a @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.413 "(10.50mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | ||||
![]() | 4SEPC560MW+TSS | 0.9100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-CON ™, SEPC | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 4 v | 7mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 280 ma @ 120 Hz | 5.6 a @ 100 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 4SEPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,500 | |||
![]() | A759PY687M1HAAE026 | 4.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 케멧 | A759 | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 50 v | 26mohm | 2000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 326 ma @ 120 Hz | 6.52 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.512 "DIA (13.00mm) | 0.827 "(21.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | A759PY | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | ||
20SVPG33M | 1.2100 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVPG | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 33 µF | ± 20% | 20 v | 27mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 150 ma @ 120 Hz | 3 a @ 100 kHz | - | 0.197 "dia (5.00mm) | 0.177 "(4.50mm) | 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 20SVPG | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,500 | ||||
![]() | 10SVP120M | 1.4500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 10 v | 35mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 128 ma @ 120 Hz | 2.56 A @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.276 "(7.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 10SVP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
![]() | RL81C271MDN1KX | 1.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RL8 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 270 µF | ± 20% | 16 v | 12mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 500 ma @ 120 Hz | 5 a @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.315 "(8.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 |
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