전화 : +86-0755-83501315
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![]() | EEF-HL0E820CR | - | ![]() | 2652 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | sp- 캡 hl | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 82 µF | ± 20% | 2.5 v | 18mohm | 125 ° C | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 1.8 A @ 100 kHz | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.075 "(1.90mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | EEF-HL | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | |||||||
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![]() | PCJ0J221MCL1GS | 1.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 니치콘 | PCJ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 6.3 v | 15mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.2 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||||||
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![]() | plg0j821mco1 | 1.9900 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 니치콘 | plg | 대부분 | 활동적인 | 820 µF | ± 20% | 6.3 v | 9mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 5.7 a @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 493-3107 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | |||||
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![]() | 108uvr2r5mff | - | ![]() | 2943 | 0.00000000 | Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 | UVR | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 2.5 v | 12mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 분리 | 213 ma @ 120 Hz | 4.26 A @ 120 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.327 "(8.30mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||||
![]() | RNU1C471MDNASQ | 0.7203 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RNU | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 16 v | 10mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 610 ma @ 120 Hz | 6.1 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.551 "(14.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||||
APSF160ETD331MH08S | 0.7673 | ![]() | 6088 | 0.00000000 | United Chemi-Con | NPCAP ™ -PSF | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 16 v | 13mohm | 20000 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 470 ma @ 120 Hz | 4.7 a @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | - | APSF160E | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||||
![]() | 4SEP150M | 1.1800 | ![]() | 468 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, 9 월 | 대부분 | 활동적인 | 150 µF | ± 20% | 4 v | 40mohm | 3000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 90.5 ma @ 120 Hz | 1.81 A @ 100 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 4SEP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | P16347 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 |
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