SIC
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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
80SXE56M Panasonic Electronic Components 80SXE56M 3.4700
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SXE 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 80 v 28mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 155 ma @ 120 Hz 3.1 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 80sxe 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 P124983 귀 99 8532.22.0020 200
EEH-AZA1E331B Panasonic Electronic Components eeh-aza1e331b 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ZA 컷 컷 (CT) 활동적인 330 µf ± 20% 25 v 20mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 자동차 375 ma @ 100 Hz 2.5 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 EEH-AZA 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
RPA0606220M035K KYOCERA AVX RPA0606220M035K 0.5100
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Kyocera avx RPA 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 35 v 70mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 72.5 ma @ 120 Hz 1.45 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.295 "(7.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1,500
567UVG2R5MFE Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 567uvg2r5mfe -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 UVG 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 15mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 210.5 ma @ 120 Hz 4.21 A @ 120 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
20SVF390M Panasonic Electronic Components 20SVF390m 2.2200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 390 µF ± 20% 20 v 14mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 78 ma @ 120 Hz 1.56 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 20SVF 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
PCG0J271MCL1GS Nichicon PCG0J271MCL1GS 1.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 니치콘 PCG 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 6.3 v 23mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 2.6 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 1,000
2SEPC100MZ+TSS Panasonic Electronic Components 2SEPC100MZ+TSS 0.5499
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SEPC 테이프 & t (TB) 활동적인 100 µf ± 20% 2.5 v 7mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 209 ma @ 120 Hz 4.18 A @ 100 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 2SEPC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 2,000
25PLV150M8X10.5 Rubycon 25PLV150M8X10.5 1.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 루비콘 PLV 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 25 v 25mohm 150 ° C @ 150 ° C -55 ° C ~ 150 ° C AEC-Q200 자동차 70 ma @ 100 Hz 1.4 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
827ULR2R5MFF Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 827ULR2R5MFF -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulr 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 305 MA @ 120 Hz 6.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
MAL218497806E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218497806E3 4.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 184 CPN 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 63 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 자동차 2.5 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.394 "LX 0.394"W (10.00mm x 10.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 400
RNU0G821MDN1KX Nichicon rnu0g821mdn1kx 0.9600
RFQ
 ECAD 2906 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNU 컷 컷 (CT) 활동적인 820 µF ± 20% 4 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 570 ma @ 120 Hz 5.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
RNS0J221MDN1 Nichicon RNS0J221MDN1 0.3758
RFQ
 ECAD 3474 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNS 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v 21mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 390 ma @ 120 Hz 3.9 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
2SXE100M1.9X7.3 Rubycon 2SXE100M1.9X7.3 0.5544
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 루비콘 PC-Con, SXE 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 100 µf ± 20% 2 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.075 "(1.90mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
20SVPK150M Panasonic Electronic Components 20SVPK150M 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SVPK 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 20 v 25mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 50.5 ma @ 120 Hz 1.01 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 20SVPK 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
A759KS476M1JAAE068 KEMET A759KS476M1JAAE068 1.6000
RFQ
 ECAD 815 0.00000000 케멧 A759 대부분 활동적인 47 µF ± 20% 63 v 68mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 81.5 ma @ 120 Hz 1.63 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A759ks 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
4SWZ180MR09 Rubycon 4SWZ180MR09 -
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 루비콘 PC-Con, SWZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 180 µF ± 20% 4 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.075 "(1.90mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
870025574001 Würth Elektronik 870025574001 0.6700
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-PTG5 컷 컷 (CT) 활동적인 39 µF ± 20% 25 v 25mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 225 ma @ 120 Hz 4.5 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
94SVP337X0016F12 Vishay Sprague 94SVP337X0016F12 8.4200
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 Vishay Sprague 94SVP 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v 17mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.58 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
ESRE391M02XR Cornell Dubilier Electronics (CDE) ESRE391M02XR -
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에스르 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 390 µF ± 20% 2 v 10mohm 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 우회, 분리 3.5 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.161 "(4.10mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 2,000
PCV1C681MCL2GS Nichicon PCV1C681MCL2GS 4.2200
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 니치콘 PCV 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 16 v 19mohm 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.4 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 400
RNU1D391MDN1KX Nichicon RNU1D391MDN1KX 2.1800
RFQ
 ECAD 1688 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNU 컷 컷 (CT) 활동적인 390 µF ± 20% 20 v 14mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 497 ma @ 120 Hz 4.97 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
RNS1D101MDN1 Nichicon RNS1D101MDN1 1.0800
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNS 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 20 v 15mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 450 ma @ 120 Hz 4.5 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
RPA0606100M050K KYOCERA AVX RPA0606100M050K 0.4600
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 Kyocera avx RPA 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 50 v 90mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 45 MA @ 120 Hz 900 ma @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.295 "(7.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1,500
PLG0J152MDO1TD Nichicon plg0j152mdo1td 1.0373
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 니치콘 plg 테이프 & t (TB) 활동적인 1500 µF ± 20% 6.3 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 315 MA @ 120 Hz 6.3 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.532 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
RNU0J471MDN1 Nichicon RNU0J471MDN1 0.9000
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNU 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 6.3 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 570 ma @ 120 Hz 5.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
MAL218497108E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218497108E3 1.9914
RFQ
 ECAD 3180 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 184 CPN 상자 활동적인 56 µF ± 20% 50 v 30mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 125 ma @ 120 Hz 2.5 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218497108E3 귀 99 8532.22.0020 400
APS-250ETD101MJC5S Chemi-Con APS-250ETD101MJC5S -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 화학 화학 NPCAP ™ -PS 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.32 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL218697552E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218697552E3 0.6160
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 186 CPNT 상자 활동적인 68 µF ± 20% 20 v 35mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 자동차 110 ma @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218697552E3 귀 99 8532.22.0020 900
PLF1A561MDO1 Nichicon plf1a561mdo1 0.8909
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 니치콘 PLF 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 10 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.9 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
RS80E561MDN1JT Nichicon RS80E561MDN1JT 0.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 니치콘 FPCAP, RS8 컷 컷 (CT) 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 560 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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