전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 정전 정전 | 용인 | 전압 - 평가 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | @ @ temp. | 작동 작동 | 등급 | 응용 응용 | Ripple current @ 저주파 | Ripple current @ 고주파 | 리드 리드 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 표면 표면 토지 마운트 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | B40920A5477M000 | 1.5900 | ![]() | 739 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B40920 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 25 v | 20mohm | 4000 시간 @ 125 ° C | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 2.8 A @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.413 "(10.50mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | ||||
![]() | PCV1V560MCL1GS | 2.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 니치콘 | PCV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 56 µF | ± 20% | 35 v | 31mohm | 3000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 1.9 a @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.394 "(10.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||||
![]() | NSPE-HF560M80V10X12.5NLBYF | - | ![]() | 5293 | 0.00000000 | Nic Components Corp | NSPE-HF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 56 µF | 80 v | -55 ° C ~ 105 ° C | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4835-NSPE-HF560M80V10X12.5NLBYFTR | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 | ||||||||||||||||
APXF6R3ARA221MF61G | 0.7400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | United Chemi-Con | NPCAP ™ -pxf | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 6.3 v | 10mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.9 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.228 "(5.80mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||||||
![]() | 10SVQP56M | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVQP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 56 µF | ± 20% | 10 v | 45mohm | 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 85 ma @ 120 Hz | 1.7 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 10SVQP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
![]() | eef-ue0k151r | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | sp- 캡 ue | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 µF | ± 20% | 8 v | 15mohm | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.165 "(4.20mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | eef-ue | 다운로드 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | ||||||
![]() | RNU1E470MDN1 | 1.6900 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RNU | 대부분 | 활동적인 | 47 µF | ± 20% | 25 v | 24mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 360 ma @ 120 Hz | 3.6 a @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||
![]() | EEF-CD0E820CR | - | ![]() | 9299 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | SP 캡 CD | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 82 µF | ± 20% | 2.5 v | - | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.075 "(1.90mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | EEF-CD | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | ||||||
![]() | UPE1V121MNN1012 | 1.8800 | ![]() | 2306 | 0.00000000 | Chinsan (엘리트) | upe | 대부분 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 35 v | 18mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 4.4 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.531 "(13.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4191-UPE1V121MNN1012 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | ||||
![]() | eef-ud0e271ce | - | ![]() | 3947 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | sp- 캡 ud | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 270 µF | ± 20% | 2.5 v | - | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.118 "(3.00mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | eef-ud | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | ||||||
![]() | ESRD4R7M12R | - | ![]() | 1571 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | ESRD | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 4.7 µF | ± 20% | 12.5 v | 80mohm | 1000 @ @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 우회, 분리 | 1 A @ 100 kHz | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.071 "(1.80mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | |||||
![]() | BW566M063HGMTA | 3.8555 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Aillen | BW | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 56 µF | ± 20% | 63 v | 26mohm | 4000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 1.5 A @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3372-BW566M063HGMTART | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
RR50E681MDN1PX | 0.3183 | ![]() | 8103 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RR5 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 2.5 v | 5mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 663 ma @ 120 Hz | 6.63 A @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||||
RS80E561MDN1 | 0.2899 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RS8 | 대부분 | 활동적인 | 560 µF | ± 20% | 2.5 v | 7mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 560 ma @ 120 Hz | 5.6 a @ 100 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.354 "(9.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | ||||
![]() | HZA337M025G24VT-F | 5.0800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | hza_v | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 25 v | 20mohm | 10000 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q200 | 자동차, 분리, 우회 | 250 ma @ 120 Hz | 2.5 A @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.413 "(10.50mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
![]() | APXG160ARA181MF61G | 0.8400 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 화학 화학 | NPCAP ™ -pxg | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 180 µF | ± 20% | 16 v | 22mohm | 15000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.3 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.240 "(6.10mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||||
50SVF10m | 1.7100 | ![]() | 832 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 10 µF | ± 20% | 50 v | 40mohm | 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 39.5 ma @ 120 Hz | 790 ma @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 50SVF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||||
![]() | UPC1c331MNN6311F3 | 1.4000 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Chinsan (엘리트) | UPC | 대부분 | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 16 v | 15mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.8 a @ 100 kHz | 0.098 "(2.50mm) | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.492 "(12.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4191-UPC1C331MNN6311F3 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 800 | ||||
![]() | MAL218697609E3 | 1.8176 | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 186 CPNT | 상자 | 활동적인 | 180 µF | ± 20% | 25 v | 25mohm | 2000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 자동차 | 200 ma @ 120 Hz | 4 a @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.500 "(12.70mm) | - | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 56-MAL218697609E3 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | |||
![]() | 2R5SVP680M | 2.1100 | ![]() | 322 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVP | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 2.5 v | 13mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 226 MA @ 120 Hz | 4.52 A @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 2R5SVP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | |||
![]() | eef-ud0g151er | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | sp- 캡 ud | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 µF | ± 20% | 4 v | 15mohm | 1000 @ @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3 a @ 100 kHz | - | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 0.118 "(3.00mm) | 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 2917 (7343 메트릭) | 중합체 | eef-ud | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8532.22.0020 | 3,500 | |||||
![]() | A768KS157M1GLAS025 | 0.9300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | 케멧 | A768 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 µF | ± 20% | 40 v | 25mohm | 2000 시간 @ 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 97.5 ma @ 120 Hz | 1.95 A @ 100 kHz | - | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.492 "(12.50mm) | 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | A768ks | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 400 | ||
![]() | RPF0811681M010K | 0.7800 | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Kyocera avx | RPF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 10 v | 13mohm | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 3.5 a @ 100 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.472 "(12.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 500 | |||||||
![]() | 4SVPA150MAA | 1.8900 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, SVPA | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 µF | ± 20% | 4 v | 22mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 128.5 ma @ 120 Hz | 2.57 A @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 4SVPA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
![]() | RNU0J152MDN1 | 1.0600 | ![]() | 339 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RNU | 대부분 | 활동적인 | 1500 µF | ± 20% | 6.3 v | 7mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 610 ma @ 120 Hz | 6.1 A @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.551 "(14.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||
![]() | 20SEP68m+t | 0.6857 | ![]() | 6213 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-Con ™, 9 월 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 68 µF | ± 20% | 20 v | 40mohm | 3000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 120 MA @ 120 Hz | 2.4 a @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.315 "(8.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 20SEP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
RSB0J221MCN1GS | 0.9200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 니치콘 | FPCAP, RSB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 220 µF | ± 20% | 6.3 v | 12mohm | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | - | 범용 | 350 ma @ 120 Hz | 3.5 a @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 0.256 "L x 0.256"W (6.50mm x 6.50mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 중합체 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||||
![]() | eeh-za1e101xv | 1.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Za, 진동 반 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 100 µf | ± 20% | 25 v | 30mohm | 10000 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q200 | 자동차 | 300 ma @ 100 Hz | 2 A @ 100 kHz | - | 0.248 "dia (6.30mm) | 0.315 "(8.00mm) | 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 잡종 | eeh-za | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 900 | ||
16SEF1000m | 2.6700 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | OS-CON ™, SEF | 대부분 | 활동적인 | 1000 µF | ± 20% | 16 v | 12mohm | 125 ° C | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 범용 | 85 ma @ 120 Hz | 1.7 a @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 중합체 | 16SEF | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | P122094 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | |||
![]() | HUW151M1VTR-0810S | 0.2930 | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 급등하다 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4403-HUW151M1VTR-0810STR | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 |
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