SIC
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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
HBV101M1HTR-1010S SURGE HBV101M1HTR-1010S 1.4600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 급등하다 HBV 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 200 ma @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz 28 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 3A001 8532.22.0020 500
EEF-SL0G820ER Panasonic Electronic Components EEF-SL0G820ER -
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 SP-Cap SL 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 82 µF ± 20% 4 v 9mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.071 "(1.80mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 eef-sl 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 3,500
6SVT820M Panasonic Electronic Components 6SVT820M 2.2300
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SVT 테이프 & tr (TR) 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v 12mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 235 MA @ 120 Hz 4.7 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 6SVT 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
A759MS156M2CAAE094 KEMET A759ms156M2CAAE094 2.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 케멧 A759 대부분 활동적인 15 µF ± 20% 160 v 94mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 79 ma @ 120 Hz 1.58 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A759ms 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
MAL218497511E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218497511E3 0.3757
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 184 CPN 상자 활동적인 47 µF ± 20% 16 v 40mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 100 ma @ 120 Hz 2 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) - 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218497511E3 귀 99 8532.22.0020 1,000
EEF-CD0K220CR Panasonic Electronic Components EEF-CD0K220CR -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 SP 캡 CD 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 22 µF ± 20% 8 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.075 "(1.90mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 EEF-CD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 3,500
875585961005 Würth Elektronik 875585961005 5.4800
RFQ
 ECAD 798 0.00000000 Würth Elektronik wcap-hsah 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 100 v 40mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 136 MA @ 100Hz 1.36 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 400
HHXE500ARA680MHA0G Chemi-Con HHXE500ARA680MHA0G 0.7855
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 화학 화학 hxe 대부분 활동적인 68 µF ± 20% 50 v 30mohm 4000 시간 @ 135 ° C -55 ° C ~ 135 ° C AEC-Q200 자동차 240 ma @ 120 Hz 2.4 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-HHXE500ARA680MHA0G 귀 99 8532.22.0020 500
A770KS566M1JLAS031 KEMET A770KS566M1JLAS031 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 케멧 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.25.0045 400
63PZJ82M10X9 Rubycon 63PZJ82M10X9 2.0400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 루비콘 PZJ 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 63 v 30mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 95 MA @ 100Hz 1.9 a @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1189-63PZJ82M10X9 귀 99 8532.22.0020 1,000
MAL218297604E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218297604E3 5.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 182 cphz 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v 27mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 자동차 2.3 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.425 "(10.80mm) 0.315 "L x 0.315"W (8.00mm x 8.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 500
APXT4R0ARA681MF80G United Chemi-Con APXT4R0ARA681MF80G 0.8200
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -PXT 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 4 v 22mohm 15000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 142.5 ma @ 120 Hz 2.85 A @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
6SVP820M Panasonic Electronic Components 6SVP820M 1.9900
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVP 테이프 & tr (TR) 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v 12mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 272 MA @ 120 Hz 5.44 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 6SVP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
EEF-SE0E391CR Panasonic Electronic Components EEF-SE0E391CR -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 sp- 캡 se 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 390 µF - 2.5 v - - - - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 EEF-SE - 1 (무제한) 귀 99 8532.22.0020 3,500
337XMPL6R3YG19 Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 337xmpl6r3yg19 -
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 XMPL 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v 10mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 분리 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
870575875004 Würth Elektronik 870575875004 2.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Würth Elektronik WCAP-HTG5 컷 컷 (CT) 활동적인 33 µF ± 20% 63 v 30mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 210 ma @ 100 Hz 2.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.453 "(11.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 600
URH1C471MP51012EU Chinsan (Elite) URH1C471MP51012EU 3.1300
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Chinsan (엘리트) urh 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 9mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URH1C471MP51012EUTB 귀 99 8532.22.0020 800
URP1C471MP30811ERU Chinsan (Elite) urp1c471mp30811eru 1.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Chinsan (엘리트) URP 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 11mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.4 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-URP1C471MP30811ERUTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
63SXE56M Panasonic Electronic Components 63SXE56M 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SXE 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 63 v 25mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 147.5 ma @ 120 Hz 2.95 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 63SXE 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 P124981 귀 99 8532.22.0020 200
EEH-ZKV121XUV Panasonic Electronic Components eeh-zkv121xuv 2.2100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 Zku, 반, 테이프 & tr (TR) 활동적인 120 µF ± 20% 35 v 35mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 255 ma @ 100 Hz 1.7 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.327 "(8.30mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 eeh-zkv 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
2R5SVPT820M Panasonic Electronic Components 2R5SVPT820M 0.9141
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SVPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 16mohm 20000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 175 ma @ 120 Hz 3.5 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.256 "(6.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 1,000
RNU0J821MDN1 Nichicon RNU0J821MDN1 0.9100
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 니치콘 FPCAP, RNU 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 6.3 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 570 ma @ 120 Hz 5.7 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
MAL218497802E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218497802E3 1.0289
RFQ
 ECAD 8084 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 184 CPN 상자 활동적인 8.2 µF ± 20% 63 v 100mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 35 MA @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218497802E3 귀 99 8532.22.0020 1,000
PLF0G561MCO6TD Nichicon PLF0G561MCO6TD 0.5410
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 니치콘 PLF 컷 컷 (CT) 활동적인 560 µF ± 20% 4 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.2 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
A759KK186M1KAAE075 KEMET A759KK186M1KAAE075 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 케멧 A759 대부분 활동적인 18 µF ± 20% 80 v 75mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 52.75 ma @ 120 Hz 1.055 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 A759kk 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
RVA1E150MNG Nichicon rva1e150mng -
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 니치콘 FPCAP, VA 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 15 µF ± 20% 25 v 60mohm 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.118 "(3.00mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,500
A766KE397M0JLAE022 KEMET A766KE397M0JLAE022 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 케멧 A766 테이프 & tr (TR) 활동적인 390 µF ± 20% 6.3 v 22mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 161 ma @ 120 Hz 3.22 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.276 "(7.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 A766KE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
35SEF22M Panasonic Electronic Components 35Sef22m 1.5900
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SEF 대부분 활동적인 22 µF ± 20% 35 v 35mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 41 ma @ 120 Hz 820 ma @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 35SEF 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 P122084 귀 99 8532.22.0020 500
MAL218597406E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218597406E3 1.1165
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 185 CPNZ 상자 활동적인 560 µF ± 20% 10 v 15mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 210 ma @ 120 Hz 4.2 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.425 "(10.80mm) - 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218597406E3 귀 99 8532.22.0020 500
MAL218497419E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL218497419E3 2.0983
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 184 CPN 상자 활동적인 1500 µF ± 20% 10 v 9mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 275 MA @ 120 Hz 5.5 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) - 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 - Rohs3 준수 1 (무제한) 56-MAL218497419E3 귀 99 8532.22.0020 400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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