SIC
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알루미늄- 커패시터 중합체 (7886)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
20SVF56M Panasonic Electronic Components 20SVF56M 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 56 µF ± 20% 20 v 30mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 44 MA @ 120 Hz 880 ma @ 100 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 20SVF 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,500
ESRH271M02B Cornell Dubilier Electronics (CDE) ESRH271M02B -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) ESRH 대부분 쓸모없는 270 µF ± 20% 2 v 12mohm 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.161 "(4.10mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8532.22.0020 100
UGS1A152MP30820U Chinsan (Elite) UGS1A152MP30820U 1.4900
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 Chinsan (엘리트) UGS 컷 컷 (CT) 활동적인 1500 µF ± 20% 10 v 19mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 4.5 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.846 "(21.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-ugs1A152MP30820UTB 귀 99 8532.22.0020 1,200
UPE1C471MP30811RU Chinsan (Elite) UPE1C471MP30811RU 0.8800
RFQ
 ECAD 928 0.00000000 Chinsan (엘리트) upe 컷 컷 (CT) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v 10mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.4 a @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPE1C471MP30811RUTB 귀 99 8532.22.0020 1,000
336ULG025MFF Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 336ULG025MFF -
RFQ
 ECAD 8460 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulg 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 25 v 50mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 93.5 ma @ 120 Hz 1.87 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
APSA4R0ETD561MHB5S United Chemi-Con APSA4R0ETD561MHB5S -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -PSA 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 4 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5.58 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
A769MS277M1GLAV014 KEMET A769ms277M1GLAV014 0.6445
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 케멧 A769 테이프 & tr (TR) 활동적인 270 µF ± 20% 40 v 14mohm 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 148.5 ma @ 120 Hz 2.97 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.500 "(12.70mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 399-A769MS277M1GLAV014TR 귀 99 8532.22.0020 400
EEH-ZT1H121P Panasonic Electronic Components EEH-ZT1H121p 2.3400
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ZT 테이프 & tr (TR) 활동적인 120 µF ± 20% 50 v 23mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 435 ma @ 100 Hz 2.9 a @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 eeh-zt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
APXJ200ARA151MF61G United Chemi-Con APXJ200ARA151MF61G 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -pxj 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 20 v 23mohm 15000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 165 ma @ 120 Hz 3.3 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
UPR0J102MNN6312 Chinsan (Elite) UPR0J102MNN6312 0.3356
RFQ
 ECAD 7242 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPR 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 6.3 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPR0J102MNN6312 귀 99 8532.22.0020 800
UPC6K102MP26312 Chinsan (Elite) UPC6K102MP26312 4.5300
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 Chinsan (엘리트) UPC 컷 컷 (CT) 활동적인 1000 µF ± 20% 6.8 v 8mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 5 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4191-UPC6K102MP26312TB 귀 99 8532.22.0020 2,000
A750BK277M0JFAE011 KEMET A750BK277M0JFAE011 -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 399-A750BK277M0JFAE011TB 귀 99 8532.22.0020 2,000
EEF-CS1A470R Panasonic Electronic Components EEF-CS1A470R 1.7200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 SP-CAP CS 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 47 µF ± 20% 10 v 40mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.2 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.047 "(1.20mm) - 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 EEF-CS 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
16SVPF560M Panasonic Electronic Components 16SVPF560m 1.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-Con ™, SVPF 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 16 v 14mohm 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 247.5 ma @ 120 Hz 4.95 A @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 16SVPF 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 400
63PFV10M6.3X6.1 Rubycon 63pfv10m6.3x6.1 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 루비콘 PFV 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 63 v 120mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 350 ma @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
827ULR2R5MFH Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 827ULR2R5MFH -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulr 대부분 활동적인 820 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 305 MA @ 120 Hz 6.1 A @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
GYD1E151MCW1GS Nichicon gyd1e151mcw1gs 2.0500
RFQ
 ECAD 940 0.00000000 니치콘 GYD 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 25 v 27mohm 150 ° C @ 150 ° C -55 ° C ~ 150 ° C AEC-Q200 자동차 210 ma @ 120 Hz 1.4 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
HHXA350ARA470MF61G United Chemi-Con HHXA350ARA470MF61G 1.3800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 United Chemi-Con HXA 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 47 µF ± 20% 35 v 60mohm 4000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 자동차 900 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
RS80E122MDN1 Nichicon RS80E122MDN1 0.4732
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 니치콘 FPCAP, RS8 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 560 ma @ 120 Hz 5.6 a @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
RSB0E561MCN1GS Nichicon RSB0E561MCN1GS 0.8700
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 니치콘 FPCAP, RSB 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 2.5 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 380 ma @ 120 Hz 3.8 a @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.256 "L x 0.256"W (6.50mm x 6.50mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
ECASD41C686M040KA0 Murata Electronics ECASD41C686M040KA0 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Murata Electronics ECAS 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 16 v 40mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 1.6 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.079 "(2.00mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 ECASD41C 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,000
SPSX271M02R Cornell Dubilier Electronics (CDE) SPSX271M02R -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SPSX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 270 µF ± 20% 2 v 9mohm 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C - 범용 3 a @ 100 kHz - 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 0.083 "(2.10mm) 0.287 "LX 0.169"W (7.30mm x 4.30mm) 표면 표면 2917 (7343 메트릭) 중합체 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,500
RR70E152MDN1PH Nichicon RR70E152MDN1PH 0.4536
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 니치콘 FPCAP, RR7 테이프 & t (TB) 활동적인 1500 µF ± 20% 2.5 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 610 ma @ 120 Hz 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
PCF1D101MCL1GS Nichicon PCF1D101MCL1GS 2.0100
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 니치콘 PCF 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 20 v 22mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.2 a @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.472 "(12.00mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 중합체 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 400
APSA6R3ETD221MFA5S United Chemi-Con APSA6R3ETD221MFA5S -
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 United Chemi-Con NPCAP ™ -PSA 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v 20mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 3.16 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.425 "(10.80mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
PLF1A681MDO1TD Nichicon plf1a681mdo1td 1.7700
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 니치콘 PLF 컷 컷 (CT) 활동적인 680 µF ± 20% 10 v 7mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 6.1 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
157ULG020MGU Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 157ULG020MGU -
RFQ
 ECAD 9101 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulg 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 20 v 35mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 133.6 Ma @ 120 Hz 2.672 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
337ULR6R3MEF Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 337ULR6R3MEF -
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 ulr 대부분 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v 10mohm 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 분리 225 ma @ 120 Hz 4.5 A @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.354 "(9.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
35SEF22M Panasonic Electronic Components 35Sef22m 1.5900
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 OS-CON ™, SEF 대부분 활동적인 22 µF ± 20% 35 v 35mohm 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C - 범용 41 ma @ 120 Hz 820 ma @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 중합체 35SEF 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 P122084 귀 99 8532.22.0020 500
GYB1E331MCQ1GS Nichicon gyb1e331mcq1gs 1.2500
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 니치콘 GYB 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 25 v 20mohm 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - 범용 375 ma @ 120 Hz 2.5 A @ 100 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 잡종 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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