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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
NEH1500M25 NTE Electronics, Inc NEH1500M25 2.8500
RFQ
 ECAD 456 0.00000000 NTE Electronics, Inc Neh 가방 활동적인 1500 µF ± 20% 25 v 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 - 0.512 "DIA X 1.024"L (13.00mm x 26.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 2368-NEH1500M25 귀 99 8532.22.0020 1
E36D351LPN252TEE3U Chemi-Con E36D351LPN252TEE3U 38.9081
RFQ
 ECAD 8982 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 활동적인 2.5 MF -10%, +50% 350 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.630 "(143.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 적용 적용 수 할 565-E36D351LPN252TEE3U 귀 99 8532.22.0085 16
E82D451VNT222MC80T United Chemi-Con E82D451VNT222MC80T -
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 United Chemi-Con 82d 대부분 활동적인 - - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 49
E36D401LPN372TEE3U Chemi-Con E36D401LPN372TEE3U -
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 활동적인 3700 µF -10%, +50% 400 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.250 "(31.75mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.625 "(142.88mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D401LPN372TEE3U 귀 99 8532.22.0085 16
UCZ1K100MCS1GS Nichicon UCZ1K100MCS1GS 0.9000
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 니치콘 UCZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 10 µF ± 20% 80 v 750mohm @ 100khz 125 ° C @ 3000 시간 -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 35 MA @ 120 Hz 750 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
SLP221M315E1P3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLP221M315E1P3 2.3952
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLP0712TE (750W) 대부분 활동적인 220 µF ± 20% 315 v 1.508ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.04 a @ 120 Hz 1.53 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
UHE1H100MDD1TD Nichicon uhe1h100mdd1td 0.0924
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 니치콘 어 테이프 & t (TB) 쓸모없는 10 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 55 MA @ 120 Hz 100 ma @ 100 khz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
EEE-FT1V391UL Panasonic Electronic Components eee-ft1v391ul 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ft, 없습니다 할로겐이 테이프 & tr (TR) 활동적인 390 µF ± 20% 35 v 80mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 552.5 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd eee-ft 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
MAL225952471E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL225952471E3 5.6000
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 259 PHM-SI 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 200 v 240mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.05 a @ 100 Hz 3.075 a @ 10 kHz 150 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
36DE103G025AA2A Vishay Sprague 36DE103G025AA2A -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Vishay Sprague 36DE 대부분 쓸모없는 10000 µf -10%, +75% 25 v - 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 95 ° C 극선 - 범용 0.500 "(12.70mm) 1.453 "DIA (36.90mm) 2.252 "(57.20mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 100
E36D750HPN233UD67U United Chemi-Con E36D750HPN233UD67U -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 United Chemi-Con U36D 대부분 활동적인 23000 µF -10%, +75% 75 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.125 "(28.58mm) 2.500 "DIA (63.50mm) 2.677 "(68.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-E36D750HPN233UD67U 귀 99 8532.22.0085 20
MAL225959399E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL225959399E3 2.4102
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 259 PHM-SI 상자 활동적인 39 µF ± 20% 500 v 3.31ohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 530 ma @ 100 Hz 795 ma @ 10 kHz 2.44 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL225959399E3 귀 99 8532.22.0040 100
LNC2V822MSEHBB Nichicon LNC2V822MSEHBB 67.9773
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 니치콘 LNC 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 350 v - 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 22.2 a @ 120 Hz 31.08 A @ 10 kHz 1.252 "(31.80mm) 3.000 "dia (76.20mm) 4.646 "(118.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0085 15
B43512A6567M000 EPCOS - TDK Electronics B43512A6567M000 15.6165
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43512 대부분 활동적인 560 µF ± 20% 500 v 210mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.43 A @ 100 Hz 340 Mohms 0.886 "(22.50mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.835 "(72.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 495-B43512A6567M000 귀 99 8532.22.0040 72
VHT4.7M25 NTE Electronics, Inc VHT4.7M25 0.1100
RFQ
 ECAD 711 0.00000000 NTE Electronics, Inc VHT 가방 활동적인 4.7 µF ± 20% 25 v 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.433 "(11.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 2368-VHT4.7M25 귀 99 8532.22.0020 1
ELD338M063AT1AA KEMET ELD338M063AT1AA -
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
URY0J472MRD Nichicon URY0J472MRD -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 니치콘 ury 대부분 쓸모없는 4700 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C - - 범용 1.2 a @ 120 Hz 1.38 a @ 10 kHz 0.492 "(12.50mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 0.571 "(14.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 250
UPT2P820MHD Nichicon UPT2P820MHD 1.9500
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 니치콘 업 대부분 활동적인 82 µF ± 20% 220 v - 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 390 ma @ 120 Hz 624 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.299 "(33.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 600
MAL205651103E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205651103E3 10.3303
RFQ
 ECAD 5566 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 056 PSM-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 10000 µf ± 20% 50 v 49mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 4.05 a @ 100 Hz 42 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
M39018/03-1120M Cornell Dubilier Electronics (CDE) M39018/03-1120M -
RFQ
 ECAD 1856 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 10
MAL212366221E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL212366221E3 -
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 123 Sal-A 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 220 µF ± 20% 25 v 1.5ohm @ 100Hz 2000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 460 ma @ 100 Hz 600 Mohms - 0.508 "DIA X 1.260"L (12.90mm x 32.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 100
865060563012 Würth Elektronik 865060563012 3.1000
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 Würth Elektronik wcap-asll 테이프 & tr (TR) 활동적인 1500 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 1.8 A @ 100 kHz 35 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.673 "L x 0.673"W (17.10mm x 17.10mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 125
RXJ680M2ABK-1025S Surge RXJ680M2ABK-1025S 0.1980
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 68 µF ± 20% 100 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 530 ma @ 120 Hz 760 ma @ 100 kHz 210 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ680M2ABK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
EKMH630VNN472MR40U Chemi-Con EKMH630VNN472MR40U -
RFQ
 ECAD 8677 0.00000000 화학 화학 KMH 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 63 v 53mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 2.86 A @ 120 Hz 3.432 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 565-ekmh630vnn472mr40u 귀 99 8532.22.0040 200
E81D201VSD582MBA0T Chemi-Con E81D201VSD582MBA0T -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 화학 화학 81d 대부분 활동적인 - - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 64
UHV1V151MPD Nichicon UHV1V151MPD 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 니치콘 UHV 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 µF ± 20% 35 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 328 ma @ 120 Hz 59 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 3,000
580LSU2600M77X145 Rubycon 580LSU2600M77X145 -
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 루비콘 LSU 대부분 쓸모없는 2600 µF ± 20% 580 v - 5000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.236 "(31.40mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 5.827 "(148.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 10
MALIEYN07BB482H02K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components malieyn07bb482h02k -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 Eyn 대부분 쓸모없는 8200 µF ± 20% 50 v 48mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 5.38 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
ESMG6R3ETD331MF11S Chemi-Con esmg6r3etd331mf11s 0.3381
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 화학 화학 SMG 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 270 ma @ 120 Hz 405 ma @ 100 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43705A5108M000 EPCOS - TDK Electronics B43705A5108M000 55.1200
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43705 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 450 v 110mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.69 A @ 100 Hz 180 Mohms 0.874 "(22.20mm) 2.031 "DIA (51.60mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43705A5108M 귀 99 8532.22.0085 36
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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