SIC
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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
EEE-FTH101XAV Panasonic Electronic Components eee-fth101xav 1.2700
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 ft, 진동 반 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v 340mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차, 리플 고온 로우 227.5 ma @ 120 Hz 350 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.327 "(8.30mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd eee-fth 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
MAL214891103E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL214891103E3 1.3444
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 148 Rus 테이프 & t (TB) 활동적인 1000 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 880 ma @ 100 Hz 68 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 250
NEH15M50 NTE Electronics, Inc NEH15M50 0.6500
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 NTE Electronics, Inc Neh 가방 활동적인 15 µF ± 20% 50 v 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 - 0.236 "dia x 0.512"L (6.00mm x 13.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 2368-NEH15M50 귀 99 8532.22.0020 1
380LQ822M063J052 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 380LQ822M063J052 -
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 380lq 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 63 v 51mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6 a @ 120 Hz 6.9 a @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
100PX1000MEFCGC18X35.5 Rubycon 100px1000mefcgc18x35.5 2.3047
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 루비콘 px 테이프 & t (TB) 활동적인 1000 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 985 ma @ 120 Hz 1.182 a @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
475BPA100M Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 475bpa100m 0.4950
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 BPA 대부분 활동적인 4.7 µF ± 20% 100 v 35.274ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 양극성 - 오디오 55 MA @ 120 Hz 93.5 ma @ 50 kHz - 0.236 "dia x 0.630"L (6.00mm x 16.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
LNC2V102MSEFBN Nichicon LNC2V102MSEFBN 20.0862
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 니치콘 LNC 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 350 v - 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 8.4 A @ 120 Hz 11.76 A @ 10 kHz 0.866 "(22.00mm) 2.008 "DIA (51.00mm) 2.283 "(58.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0055 50
ESZ336M450AN5AA KEMET ESZ336M450AN5AA 1.0841
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 800
VES2R2M1HTR-0405S Surge VES2R2M1HTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 10 ma @ 120 Hz 14 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd - Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES2R2M1HTR-0405ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
MAL210482103E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL210482103E3 112.1100
RFQ
 ECAD 1727 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 104 PHL-St 대부분 활동적인 10000 µf ± 20% 200 v 17mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 16.9 a @ 100 Hz 12 Mohms 1.252 "(31.80mm) 2.992 "DIA (76.00mm) 5.972 "(151.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
HHT272P030HL0 Cornell Dubilier Electronics (CDE) HHT272P030HL0 -
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) HHT 대부분 활동적인 2700 µF -10%, +30% 30 v 74mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 175 ° C -40 ° C ~ 175 ° C 극선 - 고온 고온 로우 3.535 A @ 100 Hz 10.1 a @ 5 kHz - 0.866 "DIA X 2.087"L (22.00mm x 53.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 1
UBY1E302MHL1TO Nichicon uby1e302mhl1to 2.3800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 니치콘 우비 컷 컷 (CT) 활동적인 3000 µF ± 20% 25 v 33mohm @ 100khz 3000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 자동차 2.61 A @ 120 Hz 3.48 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.043 "(26.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 500
381LX822M063J052 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381LX822M063J052 4.0400
RFQ
 ECAD 3299 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 381lx 대부분 활동적인 8200 µF ± 20% 63 v 40mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.9 a @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
B43704A5688M000 EPCOS - TDK Electronics B43704A5688M000 148.4100
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43704 대부분 활동적인 6800 µF ± 20% 450 v 15mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 24 a @ 100 Hz 24 Mohms 1.248 "(31.70mm) 3.028 "dia (76.90mm) 6.181 "(157.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 16
VEJ100M2WTR-1316S Surge VEJ100M2WTR-1316S 0.4106
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 450 v - 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75 ma @ 120 Hz 105 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.650 "(16.50mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd - Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ100M2WTR-1316ST 귀 99 8532.22.0020 200
MAL205824333E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205824333E3 10.1387
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 058 PLL-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 33000 µf ± 20% 10 v 24mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 5.7 a @ 100 Hz 21 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
MALREKB00DD347F00K Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MALREKB00D347F00K -
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 EKB 대부분 쓸모없는 470 µF ± 20% 35 v 400mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 521 ma @ 120 Hz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.709 "(18.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
200MXC330MEFCSN25X25 Rubycon 200MXC330MEFCSN25X25 2.0056
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 루비콘 MXC 대부분 새로운 새로운 아닙니다 330 µf ± 20% 200 v - 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1189-2774 귀 99 8532.22.0040 200
MAL212647182E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL212647182E3 4.0030
RFQ
 ECAD 1884 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 126 Alx 상자 활동적인 1800 µF ± 20% 40 v 76mohm @ 100Hz 8000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 자동차 1.64 A @ 100 Hz 2.132 a @ 10 kHz 43 Mohms - 0.709 "DIA X 1.496"L (18.00mm x 38.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 56-MAL212647182E3 귀 99 8532.22.0020 100
TE1404-E3 Vishay Sprague TE1404-E3 2.7150
RFQ
 ECAD 1851 0.00000000 Vishay Sprague 테 대부분 활동적인 5 µF -10%, +50% 100 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 - 0.315 "dia x 0.807"L (8.00mm x 20.50mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 550
25SGV47M6.3X8 Rubycon 25SGV47M6.3X8 0.6700
RFQ
 ECAD 563 0.00000000 루비콘 SGV 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 79 ma @ 120 Hz 118.5 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
604D362G030JS7 Vishay Sprague 604D362G030JS7 -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 Vishay Sprague 604d 대부분 sic에서 중단되었습니다 3600 µF - 30 v - - -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 - 1.000 "dia x 3.125"L (25.40mm x 79.38mm) - - 구멍을 구멍을 축 축, 캔 -4 리드 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0040 20
B41792A7108Q000 EPCOS - TDK Electronics B41792A7108Q000 -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 495-B41792A7108Q000 쓸모없는 1
B41896C7158M EPCOS - TDK Electronics B41896C7158M -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41896 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 35 v 101mohm @ 120Hz 7000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 3.16 A @ 100 kHz 22 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 B41896C7158M000 귀 99 8532.22.0020 600
ECA-1AHG222B Panasonic Electronic Components ECA-1AHG222B 0.2916
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 NHG-A 테이프 & t (TB) 활동적인 2200 µF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 760 ma @ 120 Hz 874 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 ECA-1AH 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 ECA1AHG222B 귀 99 8532.22.0020 500
B43508A5157M62 EPCOS - TDK Electronics B43508A5157M62 -
RFQ
 ECAD 5816 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43508 대부분 활동적인 150 µF ± 20% 450 v 820mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 880 ma @ 100 Hz 1.15 옴 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43508A5157M 62 귀 99 8532.22.0040 320
UVZ1V4R7MDD1TA Nichicon UVZ1V4R7MDD1TA -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 니치콘 UVZ 테이프 & t (TB) 쓸모없는 4.7 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 28 MA @ 120 Hz 56 MA @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
ELXV160ETD122MJ30S United Chemi-Con ELXV160ETD122MJ30S 1.0300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 United Chemi-Con LXV 테이프 & tr (TR) 활동적인 1200 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 942.5 ma @ 120 Hz 1.45 A @ 100 kHz 44 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.240 "(31.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
LGR2E181MELZ30 Nichicon LGR2E181MELZ30 3.5800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 니치콘 lgr 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 250 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.35 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 493-7977 귀 99 8532.22.0040 250
B41859C7157M000 EPCOS - TDK Electronics B41859C7157M000 -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41859 대부분 마지막으로 마지막으로 150 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 945 ma @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.531 "(13.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - 495-B41859C7157M000 귀 99 8532.22.0020 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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