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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VZL330M1ETR-0606S Surge vzl330m1etr-0606s 0.0840
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzl330m1etr-0606str 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ221M1ETR-1008S Surge VEJ221M1etr-1008S 0.1576
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 270 ma @ 120 Hz 378 ma @ 10 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.315 "(8.00mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ221M1TER-10008STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSM331M2D---2230S Surge LSM331M2D --- 2230 년대 1.3196
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 200 v 402mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.21 A @ 120 Hz 1.694 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2D --- 2230 년대 3A001 8532.22.0040 90
VEH100M1VTR-0506S Surge VEH100M1VTR-0506S 0.0695
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 88 ma @ 120 Hz 110 ma @ 100 kHz 1.5 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH100M1VTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG153M1V---3525S Surge LSG153M1V --- 3525S 2.3685
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 15 MF ± 20% 35 v 35mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.12 a @ 120 Hz 3.744 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG153M1V --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
VEJ470M1VTR-0607S Surge VEJ470M1VTR-0607S 0.0808
RFQ
 ECAD 5225 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 80 ma @ 120 Hz 112 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ470M1VTR-0607ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZH100M1ETR-0406S Surge vzh100m1etr-0406s 0.0658
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 56 MA @ 120 Hz 80 ma @ 100 kHz 1.35 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH100M1ET-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
RXK122M1VBK-1625S Surge RXK122M1VBK-1625S 0.5575
RFQ
 ECAD 1590 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.863 A @ 120 Hz 2.07 a @ 100 kHz 28 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK122M1VBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
VUA102M1VTR-1816S Surge VUA102M1VTR-1816S 0.7763
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 35 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 855 ma @ 120 Hz 1.1115 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA102M1VTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
RZW332M1EBK-1632S Surge RZW332M1EBK-1632S 0.7121
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 25 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.415 a @ 120 Hz 3.45 A @ 100 kHz 17 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW332M1EBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
LSM681M2D---2540S Surge LSM681M2D --- 2540 년대 2.0884
RFQ
 ECAD 2308 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 680 µF ± 20% 200 v 195mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.04 A @ 120 Hz 2.856 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM681M2D --- 2540S 3A001 8532.22.0040 65
LSR271M2W---3530S Surge LSR271M2W --- 3530S 3.7693
RFQ
 ECAD 7405 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 270 µF ± 20% 450 v 442mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.9 A @ 120 Hz 2.66 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR271M2W --- 3530S 3A001 8532.22.0040 40
RXW220M1JBK-0611S Surge RXW220M1JBK-0611S 0.0637
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 22 µF ± 20% 63 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 105 ma @ 120 Hz 250 ma @ 100 kHz 710 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW220M1JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG391M2D---2530S Surge LSG391M2D --- 2530S 1.5724
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 390 µF ± 20% 200 v 510mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.21 A @ 120 Hz 1.815 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG391M2D --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
LSM151M2P---3025S Surge LSM151M2P --- 3025S 2.0869
RFQ
 ECAD 9670 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 150 µF ± 20% 420 v 1.327ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 800 ma @ 120 Hz 1.12 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM151M2P --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
RXJ391M1CBK-1016S Surge RXJ391M1CBK-1016S 0.1379
RFQ
 ECAD 7963 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 390 µF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 510 ma @ 120 Hz 635 ma @ 100 kHz 190 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ391M1CBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG221M2W---2540S Surge LSG221M2W --- 2540 년대 2.4462
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 220 µF ± 20% 450 v 905mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 960 ma @ 120 Hz 1.3728 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG221M2W --- 2540S 3A001 8532.22.0040 65
VUK681M1ETR-1616S Surge vuk681m1etr-1616s 0.6060
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 350 ma @ 120 Hz 455 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk681m1etr-1616str 귀 99 8532.22.0020 200
RZW181M1HBK-0820S Surge RZW181M1HBK-0820S 0.1485
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 180 µF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 440 ma @ 120 Hz 880 ma @ 100 kHz 170 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW181M1HBK-0820S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK272M0JBK-1030S Surge RXK272M0JBK-1030S 0.2361
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.413 a @ 120 Hz 1.57 A @ 100 kHz 44 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK272M0JBK-1030S 귀 99 8532.22.0020 400
RXQ220M2GBK-1320S Surge RXQ220M2GBK-1320S 0.3632
RFQ
 ECAD 4061 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 22 µF ± 20% 400 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 260 ma @ 120 Hz 650 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ220M2GBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW121M1EBK-0615S Surge RXW121M1EBK-0615S 0.0736
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 120 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 215 MA @ 120 Hz 430 ma @ 100 kHz 230 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW121M1EBK-0615S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG182M2G---4580S Surge LSG182M2G --- 4580 년대 18.1692
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.8 MF ± 20% 400 v 111mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.92 A @ 120 Hz 6.888 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.772 "DIA (45.00mm) 3.228 "(82.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG182M2G --- 4580S 3A001 8532.22.0055 25
LSM102M1J---2220S Surge LSM102M1J --- 2220 년대 0.7325
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1 MF ± 20% 63 v 398mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.26 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM102M1J --- 2220S 3A001 8532.22.0040 90
RXW103M1ABK-1836S Surge RXW103M1ABK-1836S 0.9878
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 10 MF ± 20% 10 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.576 A @ 120 Hz 3.68 A @ 100 kHz 15 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW103M1ABK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
VUA681M1ETR-1316S Surge vua681m1etr-1316s 0.4151
RFQ
 ECAD 2773 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 585 ma @ 120 Hz 760.5 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.650 "(16.50mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vua681m1etr-1316str 귀 99 8532.22.0020 200
VZL330M0JTR-0406S Surge VZL330M0JTR-0406S 0.0658
RFQ
 ECAD 8629 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 63 ma @ 120 Hz 90 ma @ 100 kHz 1.35 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL330M0JTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
RXK822M0JBK-1632S Surge RXK822M0JBK-1632S 0.5545
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 8.2 MF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.295 A @ 120 Hz 2.55 A @ 100 kHz 25 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK822M0JBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK221M1JBK-1025S Surge rxk221m1jbk-1025s 0.1881
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 220 µF ± 20% 63 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 648 ma @ 120 Hz 925 ma @ 100 kHz 130 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK221M1JBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
LSK331M2W---3045S Surge LSK331M2W --- 3045S 4.5326
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 603mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.46 A @ 120 Hz 2.044 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK331M2W --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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