SIC
close

알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VEH101M1VTR-0810S Surge VEH101M1VTR-0810S 0.1182
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 360 ma @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 450 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH101M1VTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
VZT471M1ETR-0810S Surge vzt471m1etr-0810s 0.1937
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 552.5 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT471M1etr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
RXW820M1EBK-0611S Surge RXW820M1EBK-0611S 0.0637
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 82 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 145 MA @ 120 Hz 290 ma @ 100 kHz 250 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW820M1EBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZH222M1ETR-1616ES Surge vzh222m1etr-1616es 2.0300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 급등하다 VZH 조각 활동적인 2200 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 882 ma @ 120 Hz 1.26 A @ 100 kHz 54 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 적용 적용 수 할 4403-VZH22M1etr-1616ES 3A001 8532.22.0020 200
RXW391M1HBK-1320S Surge RXW391M1HBK-1320S 0.2944
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 390 µF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 814 ma @ 120 Hz 1.48 A @ 100 kHz 63 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW391M1HBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXJ561M1VBK-1320S Surge RXJ561M1VBK-1320S 0.2870
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.25 A @ 100 kHz 85 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ561M1VBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXK122M1VBK-1335S Surge RXK122M1VBK-1335S 0.4256
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.98 A @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz 27 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK122M1VBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
RXQ151M2DBK-1625S Surge RXQ151M2DBK-1625S 0.6469
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 150 µF ± 20% 200 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.89 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ151M2DBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
VZH151M1JTR-1313S Surge VZH151M1JTR-1313S 0.3538
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 490 ma @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz 150 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH151M1JTR-1313STR 귀 99 8532.22.0020 200
RXQ330M2GBK-1620S Surge RXQ330M2GBK-1620S 0.6196
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 33 µF ± 20% 400 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 360 ma @ 120 Hz 900 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ330M2GBK-1620S 귀 99 8532.22.0020 150
RA-330M1VBK-0511S Surge RA-330M1VBK-0511S 0.0436
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75 ma @ 120 Hz 142.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1VBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZL101M0JTR-0606S Surge VZL101M0JTR-0606S 0.0840
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG122M2E---3055S Surge LSG122M2E --- 3055S 4.2822
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.2 MF ± 20% 250 v 166MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.71 A @ 120 Hz 4.065 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG122M2E --- 3055S 3A001 8532.22.0040 45
LSM471M2P---3545S Surge LSM471M2P --- 3545S 5.0042
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 470 µF ± 20% 420 v 423mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.7 A @ 120 Hz 2.38 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM471M2P --- 3545S 3A001 8532.22.0040 40
RZW121M1HBK-0815S Surge RZW121M1HBK-0815S 0.1103
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 120 µF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 365 MA @ 120 Hz 730 ma @ 100 kHz 190 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW121M1HBK-0815S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RJA471M1JBK-1320S Surge RJA471M1JBK-1320S 0.2900
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 470 µF ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 665 ma @ 120 Hz 897.75 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA471M1JBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
VEU100M1CTR-0406S Surge VEU100M1CTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 18 MA @ 120 Hz 25.2 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU100M1CTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VZS222M0JTR-1013S Surge VZS222M0JTR-1013S 0.2636
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 급등하다 VZS 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 MF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 833 ma @ 120 Hz 1.19 a @ 100 kHz 60 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.512 "(13.00mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZS222M0JTR-1013ST 귀 99 8532.22.0020 400
RXK152M1ABK-1025S Surge RXK152M1ABK-1025S 0.1939
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 10 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.251 A @ 120 Hz 1.39 a @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK152M1ABK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
RJA221M1ABK-0511S Surge RJA221M1ABK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 6791 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 220 µF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 150 ma @ 120 Hz 202.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA221M1ABK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSK151M2G---2240S Surge LSK151M2G --- 2240 년대 1.9668
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 150 µF ± 20% 400 v 1.327ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 700 ma @ 120 Hz 980 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK151M2G --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
RXJ560M1EBK-0611S Surge RXJ560M1EBK-0611S 0.0587
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 56 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 182 Ma @ 120 Hz 260 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ560M1EBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXJ391M1ABK-1012S Surge RXJ391M1ABK-1012S 0.1075
RFQ
 ECAD 7265 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 390 µF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 410 ma @ 120 Hz 510 ma @ 100 kHz 270 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ391M1ABK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
RXK472M1ABK-1625S Surge RXK472M1ABK-1625S 0.4909
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 4.7 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.025 A @ 120 Hz 2.25 A @ 100 kHz 28 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK472M1ABK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
LSM391M2D---2525S Surge LSM391M2D --- 2525S 1.3968
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 200 v 340mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.31 a @ 120 Hz 1.834 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2D --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
LSG222M2A---3030S Surge LSG222M2A --- 3030 년대 2.1426
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 2.2 MF ± 20% 100 v 121mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.12 a @ 120 Hz 2.544 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG222M2A --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
LSG332M1J---3025S Surge LSG332M1J --- 3025S 1.6490
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 63 v 121mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2 A @ 120 Hz 2.4 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1J --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
VUA680M1ATR-0606S Surge vua680m1atr-0606s 0.0776
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 10 v - 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 50 ma @ 120 Hz 70 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA680M1ATT-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ221M1CTR-0607S Surge VEJ221M1CTR-0607S 0.0905
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 120 MA @ 120 Hz 168 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ221M1CTR-0607STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ331M2ATR-1816S Surge VEJ331M2ATR-1816S 0.9290
RFQ
 ECAD 2744 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 590 ma @ 120 Hz 826 ma @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ331M2ATT-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다