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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
LSM331M2P---3045S Surge LSM331M2P --- 3045S 3.7154
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 420 v 603mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.37 a @ 120 Hz 1.918 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2P --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
VEZ221M0JTR-0607S Surge VEZ221M0JTR-0607S 0.0808
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 204 ma @ 120 Hz 255 ma @ 100 kHz 500 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ221M0JTR-0607ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM331M2D---2230S Surge LSM331M2D --- 2230 년대 1.3196
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 200 v 402mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.21 A @ 120 Hz 1.694 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2D --- 2230 년대 3A001 8532.22.0040 90
VZL330M1ETR-0606S Surge vzl330m1etr-0606s 0.0840
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzl330m1etr-0606str 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG561M2D---2240S Surge LSG561M2D --- 2240 년대 1.6402
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 560 µF ± 20% 200 v 355mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.43 a @ 120 Hz 2.145 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG561M2D --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
RA-330M1HBK-0611S Surge RA-330M1HBK-0611S 0.0537
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 90 ma @ 120 Hz 171 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1HBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG561M2E---3035S Surge LSG561M2E --- 3035S 2.4740
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 560 µF ± 20% 250 v 355mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.58 A @ 120 Hz 2.37 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG561M2E --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
VEJ221M1ETR-1008S Surge VEJ221M1etr-1008S 0.1576
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 270 ma @ 120 Hz 378 ma @ 10 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.315 "(8.00mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ221M1TER-10008STR 귀 99 8532.22.0020 500
VZR330M1ETR-0607S Surge vzr330m1etr-0607s 0.0873
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 70 ma @ 120 Hz 140 ma @ 100 kHz 1.1 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzr330m1etr-0607str 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU331M2ATR-1816S Surge Veu331m2atr-1816s 0.9064
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 100 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 540 ma @ 120 Hz 756 MA @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU331M2ATT-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
RXK680M1HBK-0811S Surge RXK680M1HBK-0811S 0.0814
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 68 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 238 MA @ 120 Hz 340 ma @ 100 kHz 290 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK680M1HBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM331M2C---2030S Surge LSM331M2C --- 2030 년대 1.0110
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 160 v 402mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 970 ma @ 120 Hz 1.358 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2C --- 2030 년대 3A001 8532.22.0040 110
VEZ100M1CTR-0405S Surge VEZ100M1CTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 16 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 52 ma @ 120 Hz 65 MA @ 100 kHz 3.2 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ100M1CTR-0405ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSG562M1J---3035S Surge LSG562M1J --- 3035S 2.2922
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 5.6 MF ± 20% 63 v 71mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.91 A @ 120 Hz 3.492 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG562M1J --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
RLD151M2VBK-1840S Surge RLD151M2VBK-1840S 1.5804
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 150 µF ± 20% 350 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 985 ma @ 120 Hz 2.216 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD151M2VBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
RXW103M1CBK-1840S Surge RXW103M1CBK-1840S 1.1984
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 10 MF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.66 A @ 120 Hz 3.8 a @ 100 kHz 14 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW103M1CBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK821M1VBK-1325S Surge RXK821M1VBK-1325S 0.3032
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.448 A @ 120 Hz 1.81 A @ 100 kHz 34 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1VBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM101M2P---2525S Surge LSM101M2P --- 2525S 1.4707
RFQ
 ECAD 4608 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 100 µf ± 20% 420 v 1.99ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 630 ma @ 120 Hz 882 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM101M2P --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
LSG471M2V---3045S Surge LSG471M2V --- 3045S 3.6830
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 470 µF ± 20% 350 v 423mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.48 A @ 120 Hz 2.1164 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG471M2V --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
LSM121M2P---2530S Surge LSM121M2P --- 2530S 1.8541
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 120 µF ± 20% 420 v 1.659ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 780 ma @ 120 Hz 1.092 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM121M2P --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
RXW330M1CBK-0511S Surge RXW330M1CBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 33 µF ± 20% 16 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75.6 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW330M1CBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM151M2P---2050S Surge LSM151M2P --- 2050 년대 1.9651
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 150 µF ± 20% 420 v 1.327ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 920 ma @ 120 Hz 1.288 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM151M2P --- 2050 년대 3A001 8532.22.0040 100
LSM820M2P---2225S Surge LSM820M2P --- 2225S 1.1934
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 82 µF ± 20% 420 v 2.427ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 530 ma @ 120 Hz 742 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM820M2P --- 2225S 3A001 8532.22.0040 90
VEU102M1HTR-1816S Surge VEU102M1HTR-1816S 0.7514
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 780 ma @ 120 Hz 1.092 A @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU102M1HTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VUP470M1VTR-0607S Surge VUP470M1VTR-0607S 0.0986
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 급등하다 vup 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 98.5 ma @ 120 Hz 197 ma @ 100 khz 500 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vup470m1vtr-0607str 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSR101M2W---2525S Surge LSR101M2W --- 2525S 1.5221
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 100 µf ± 20% 450 v 1.194ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.04 a @ 120 Hz 1.456 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR101M2W --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
RLD121M2DBK-1050S Surge RLD121M2DBK-1050S 0.7240
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 120 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 640 ma @ 120 Hz 1.44 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD121M2DBK-1050S 귀 99 8532.22.0020 200
LSG153M1V---3035S Surge LSG153M1V --- 3035S 2.4046
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 15 MF ± 20% 35 v 35mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.24 A @ 120 Hz 3.888 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG153M1V --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
LSM103M1E---3525S Surge LSM103M1E --- 3525S 2.1436
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 10 MF ± 20% 25 v 60mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.42 a @ 120 Hz 3.388 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM103M1E --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
LSG103M1E---2230S Surge LSG103M1E --- 2230 년대 1.1302
RFQ
 ECAD 7079 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 10 MF ± 20% 25 v 60mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.05 a @ 120 Hz 2.46 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG103M1E --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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