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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
LSG103M1H---3040S Surge LSG103M1H --- 3040 년대 2.5846
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 10 MF ± 20% 50 v 46mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.55 A @ 120 Hz 4.26 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG103M1H --- 3040 년대 3A001 8532.22.0040 50
LSM391M2P---3050S Surge LSM391M2P --- 3050 년대 4.1987
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 420 v 510mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.56 A @ 120 Hz 2.184 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2P --- 3050 년대 3A001 8532.22.0040 45
VUJ681M1CTR-1313S Surge vuj681m1ctr-1313s 0.4136
RFQ
 ECAD 7831 0.00000000 급등하다 vuj 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 16 v - 150 ° C @ 150 ° C -55 ° C ~ 150 ° C 극선 - 범용 536 ma @ 120 Hz 800 ma @ 100 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUJ681M1CTR-1313STR 귀 99 8532.22.0020 200
RXW331M0JBK-0611S Surge RXW331M0JBK-0611S 0.0620
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 159.5 ma @ 120 Hz 290 ma @ 100 kHz 250 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW331M0JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW470M0JBK-0511S Surge RXW470M0JBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 90 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW470M0JBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU470M1CTR-0606S Surge VEU470M1CTR-0606S 0.0743
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 50 ma @ 120 Hz 70 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU470M1CTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZR331M1CTR-0810S Surge VZR331M1CTR-0810S 0.1348
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 300 ma @ 120 Hz 600 ma @ 100 kHz 220 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR331M1CTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RLD101M2GBK-1640S Surge RLD101M2GBK-1640S 1.3914
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 100 µf ± 20% 400 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 785 ma @ 120 Hz 1.766 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD101M2GBK-1640S 귀 99 8532.22.0020 100
LSM271M2P---3040S Surge LSM271M2P --- 3040 년대 3.4042
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 270 µF ± 20% 420 v 737mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.22 a @ 120 Hz 1.708 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM271M2P --- 3040 년대 3A001 8532.22.0040 50
LSM152M2A---2240S Surge LSM152M2A --- 2240 년대 1.4938
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 100 v 177mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.82 A @ 120 Hz 2.548 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM152M2A --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
VEJ100M1VTR-0506S Surge VEJ100M1VTR-0506S 0.0695
RFQ
 ECAD 9115 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 27 MA @ 120 Hz 37.8 ma @ 10 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ100M1VTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK820M1ABK-0511S Surge RXK820M1ABK-0511S 0.0469
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 82 µF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 116 MA @ 120 Hz 165 ma @ 100 kHz 720 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK820M1ABK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RJA101M1JBK-1012S Surge RJA101M1JBK-1012S 0.1046
RFQ
 ECAD 9830 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 100 µf ± 20% 63 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 235 MA @ 120 Hz 352.5 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA101M1JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
RXK562M1CBK-1640S Surge RXK562M1CBK-1640S 0.8145
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 5.6 MF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.61 A @ 120 Hz 2.9 a @ 100 kHz 18 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK562M1CBK-1640S 귀 99 8532.22.0020 100
RZW181M1JBK-1316S Surge RZW181M1JBK-1316S 0.2959
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 180 µF ± 20% 63 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 575 ma @ 120 Hz 1.15 a @ 100 kHz 101 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW181M1JBK-1316S 귀 99 8532.22.0020 250
LSK821M2E---3050S Surge LSK821M2E --- 3050 년대 4.0859
RFQ
 ECAD 8431 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 820 µF ± 20% 250 v 243mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.65 A @ 120 Hz 2.31 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK821M2E --- 3050 년대 3A001 8532.22.0040 45
VEJ100M1ETR-0406S Surge VEJ100M1ET-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 20 ma @ 120 Hz 28 MA @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ100M1ET-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
RA-471M0JBK-0811S Surge RA-471M0JBK-0811S 0.0642
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 470 µF ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 270 ma @ 120 Hz 391.5 ma @ 10 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-471M0JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW152M1ABK-1025S Surge RZW152M1ABK-1025S 0.2305
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 10 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 990 ma @ 120 Hz 1.65 A @ 100 kHz 42 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW152M1ABK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
RUA220M2CBK-1020S Surge RUA220M2CBK-1020S 0.1848
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 22 µF ± 20% 160 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 115 MA @ 120 Hz 207 MA @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA220M2CBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
VES220M1ATR-0505S Surge VES220M1ATR-0505S 0.0695
RFQ
 ECAD 1318 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 10 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 25 ma @ 120 Hz 35 ma @ 10 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES220M1AT-0505ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG332M1K---2550S Surge LSG332M1K --- 2550S 2.2426
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 80 v 101mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.51 A @ 120 Hz 3.012 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1K --- 2550S 3A001 8532.22.0040 65
LSG681M2D---3525S Surge LSG681M2D --- 3525S 2.1514
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 680 µF ± 20% 200 v 293mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.72 a @ 120 Hz 2.58 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG681M2D --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
RA-102M1CBK-1020S Surge RA-102M1CBK-1020S 0.1485
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 1 MF ± 20% 16 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 640 ma @ 120 Hz 928 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-102M1CBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RZW222M1ABK-1320S Surge RZW222M1ABK-1320S 0.3295
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 2.2 MF ± 20% 10 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.33 A @ 120 Hz 1.9 a @ 100 kHz 35 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW222M1ABK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM102M2E---3540S Surge LSM102M2E --- 3540S 4.1240
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1 MF ± 20% 250 v 199MOHM @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.76 A @ 120 Hz 3.864 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM102M2E --- 3540S 3A001 8532.22.0040 40
RXJ3R3M2ABK-0511S Surge RXJ3R3M2ABK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 3.3 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 43 Ma @ 120 Hz 78 ma @ 100 kHz 5 옴 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ3R3M2ABK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZH470M1VTR-0606S Surge VZH470M1VTR-0606S 0.0840
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 230 ma @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.268 "(6.80mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH470M1VTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RJA332M1HBK-1836S Surge RJA332M1HBK-1836S 1.0241
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.65 A @ 120 Hz 1.8975 a @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA332M1HBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
VZR470M1ETR-0607S Surge vzr470m1etr-0607s 0.0857
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 70 ma @ 120 Hz 140 ma @ 100 kHz 1.1 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR470M1etr-0607st 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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