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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RXQ220M2CBK-1020S Surge RXQ220M2CBK-1020S 0.1727
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 22 µF ± 20% 160 v - 8000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 200 ma @ 120 Hz 500 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ220M2CBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RXJ332M1CBK-1632S Surge RXJ332M1CBK-1632S 0.5893
RFQ
 ECAD 5770 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.83 A @ 120 Hz 2.03 a @ 100 kHz 48 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ332M1CBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
RJA221M2ABK-1325S Surge RJA221M2ABK-1325S 0.2914
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 220 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 440 ma @ 120 Hz 594 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA221M2ABK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
VZR101M1ETR-0608S Surge vzr101m1etr-0608s 0.0937
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 115 MA @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 1 옴 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzr101m1etr-0608str 귀 99 8532.22.0020 800
LSG473M1C---3535S Surge LSG473M1C --- 3535S 2.7255
RFQ
 ECAD 5876 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 47 MF ± 20% 16 v 14mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.85 A @ 120 Hz 5.82 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG473M1C --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
VEJ101M0JTR-0606S Surge VEJ101M0JTR-0606S 0.0727
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 69 ma @ 120 Hz 96.6 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU220M1VTR-0606S Surge VEU220M1VTR-0606S 0.0743
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 35 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 44 MA @ 120 Hz 61.6 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU220M1VTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ4R7M2ETR-1313S Surge VEJ4R7M2ET-1313S 0.3789
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 µF ± 20% 250 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 65 MA @ 120 Hz 91 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ4R7M2ET-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
VEH220M1HTR-0606S Surge VEH220M1HTR-0606S 0.0776
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 56 MA @ 120 Hz 70 ma @ 100 kHz 2 옴 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH220M1HTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK821M1EBK-1030S Surge RXK821M1EBK-1030S 0.2503
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.152 A @ 120 Hz 1.44 A @ 100 kHz 44 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1EBK-1030S 귀 99 8532.22.0020 400
RXW152M1ABK-1020S Surge RXW152M1ABK-1020S 0.1833
RFQ
 ECAD 1463 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 10 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 732 ma @ 120 Hz 1.22 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW152M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
VZR101M1HTR-0810S Surge vzr101m1htr-0810s 0.1379
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 175 ma @ 120 Hz 350 ma @ 100 kHz 530 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzr101m1htr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
RUA330M2EBK-1325S Surge RUA330M2EBK-1325S 0.3676
RFQ
 ECAD 2724 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 33 µF ± 20% 250 v - 3000 시간 @ 130 ° C -40 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 171 ma @ 120 Hz 307.8 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA330M2EBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM682M1H---2545S Surge LSM682M1H --- 2545S 1.9126
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 6.8 MF ± 20% 50 v 68mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.1 a @ @ 120 Hz 4.34 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM682M1H --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
VEJ2R2M1HTR-0406S Surge VEJ2R2M1HTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 12 ma @ 120 Hz 16.8 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ2R2M1HTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VZH471M1ATR-0810S Surge vzh471m1atr-0810s 0.1212
RFQ
 ECAD 5430 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 315 MA @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 170 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH471M1ATT-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXW330M1EBK-0511S Surge RXW330M1EBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75.6 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW330M1EBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW272M0JBK-1030S Surge RZW272M0JBK-1030S 0.2972
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.337 a @ 120 Hz 1.91 A @ 100 kHz 31 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW272M0JBK-1030S 귀 99 8532.22.0020 400
LSK331M2G---3040S Surge LSK331M2G --- 3040 년대 3.6906
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 603mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.24 a @ 120 Hz 1.736 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK331M2G --- 3040 년대 3A001 8532.22.0040 50
LSG681M2W---4045S Surge LSG681M2W --- 4045S 8.3325
RFQ
 ECAD 9015 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 680 µF ± 20% 450 v 293mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.33 A @ 120 Hz 3.3319 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG681M2W --- 4045S 3A001 8532.22.0055 30
VZH330M1HTR-0607S Surge VZH330M1HTR-0607S 0.0873
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 129.5 ma @ 120 Hz 185 ma @ 100 kHz 680 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH330M1HTR-0607ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM222M1H---2230S Surge LSM222M1H --- 2230 년대 1.1362
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 2.2 MF ± 20% 50 v 211mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.59 A @ 120 Hz 2.226 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM222M1H --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
VEU2R2M1HTR-0406S Surge VEU2R2M1HTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 µF ± 20% 50 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 12 ma @ 120 Hz 16.8 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU2R2M1HTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSR221M2G---2245S Surge LSR221M2G --- 2245S 2.1267
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 543mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.55 A @ 120 Hz 2.17 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR221M2G --- 2245S 3A001 8532.22.0040 80
VEJ472M0JTR-1616S Surge VEJ472M0JTR-1616S 0.5227
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 MF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.25 a @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ472M0JTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
RLD101M2EBK-1050S Surge RLD101M2EBK-1050S 0.7881
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 100 µf ± 20% 250 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 585 ma @ 120 Hz 1.316 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD101M2EBK-1050S 귀 99 8532.22.0020 200
LSM331M2W---3050S Surge LSM331M2W --- 3050 년대 4.5033
RFQ
 ECAD 7355 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 603mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.42 a @ 120 Hz 1.988 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2W --- 3050 년대 3A001 8532.22.0040 45
RXK821M1EBK-1320S Surge RXK821M1EBK-1320S 0.2636
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.072 A @ 120 Hz 1.34 A @ 100 kHz 46 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1EBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW2R2M2ABK-0511S Surge RXW2R2M2BK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 2.2 µF ± 20% 100 v - 4000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 18.48 ma @ 120 Hz 44 MA @ 100 kHz 9.8 옴 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW2MMBKK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM121M2V---2525S Surge LSM121M2V --- 2525S 1.4387
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 120 µF ± 20% 350 v 1.659ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 910 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM121M2V --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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