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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VZS470M1ETR-0606S Surge VZS470M1ET-0606S 0.0937
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 급등하다 VZS 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 210 ma @ 120 Hz 300 ma @ 100 kHz 260 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZS470M1ET-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RA-330M1EBK-0511S Surge RA-330M1EBK-0511S 0.0420
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 25 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 69 ma @ 120 Hz 131.1 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1EBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW221M1HBK-1020S Surge RXW221M1HBK-1020S 0.1848
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 220 µF ± 20% 50 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 515 ma @ 120 Hz 1.03 a @ 100 kHz 90 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW221M1HBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
LSR331M2G---3040S Surge LSR331M2G --- 3040 년대 3.7711
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 362mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.33 A @ 120 Hz 3.262 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR331M2G --- 3040 년대 3A001 8532.22.0040 50
RXK471M0JBK-1012S Surge RXK471M0JBK-1012S 0.1032
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 470 µF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 625 ma @ 100 kHz 120 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK471M0JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
VES4R7M1VTR-0405S Surge VES4R7M1VTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 급등하다 VES 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 14 MA @ 120 Hz 19.6 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VES4R7M1VTR-0405ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSK221M2P---3035S Surge LSK221M2P --- 3035S 2.9482
RFQ
 ECAD 8718 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 220 µF ± 20% 420 v 905mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.176 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK221M2P --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
LSM471M2C---2230S Surge LSM471M2C --- 2230 년대 1.3620
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 470 µF ± 20% 160 v 282mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.21 A @ 120 Hz 1.694 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM471M2C --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
VEZ101M1ATR-0605S Surge VEZ101M1ATR-0605S 0.0743
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 10 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 136 MA @ 120 Hz 170 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.217 "(5.50mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ101M1ATT-0605STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
VUA471M1ATR-1313S Surge vua471m1atr-1313s 0.3569
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 10 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 480 ma @ 120 Hz 624 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA471M1AT-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZL220M1CTR-0506S Surge VZL220M1CTR-0506S 0.0760
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 112 MA @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 700 Mohms - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL220M1CTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK391M1JBK-1330S Surge RXK391M1JBK-1330S 0.4185
RFQ
 ECAD 2306 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 390 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.024 A @ 120 Hz 1.36 A @ 100 kHz 68 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK391M1JBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
VEU471M1CTR-1010S Surge VEU471M1CTR-1010S 0.1651
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 448 ma @ 10 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU471M1CTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
RXW330M0JBK-0511S Surge RXW330M0JBK-0511S 0.0485
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 33 µF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75.6 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 600 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW330M0JBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU471M1HTR-1616S Surge VEU471M1HTR-1616S 0.5621
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 510 ma @ 120 Hz 714 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU471M1HTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
RA-330M1JBK-0611S Surge RA-330M1JBK-0611S 0.0654
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 63 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 100 ma @ 120 Hz 190 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM222M1H---2525S Surge LSM222M1H --- 2525S 1.1832
RFQ
 ECAD 2383 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 2.2 MF ± 20% 50 v 211mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.59 A @ 120 Hz 2.226 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM222M1H --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
RXK821M1JBK-1340S Surge RXK821M1M1JBK-1340S 0.5840
RFQ
 ECAD 5740 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 820 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.48 A @ 120 Hz 1.85 A @ 100 kHz 51 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK821M1JBK-1340S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW332M0JBK-1320S Surge RXW332M0JBK-1320S 0.2783
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 6.3 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.1585 A @ 120 Hz 1.655 A @ 100 kHz 38 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW332M0JBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXQ330M2EBK-1320S Surge RXQ330M2EBK-1320S 0.3061
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 33 µF ± 20% 250 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 320 ma @ 120 Hz 800 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ330M2EBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXK561M1ABK-0815S Surge RXK561M1ABK-0815S 0.1002
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 560 µF ± 20% 10 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 472 ma @ 120 Hz 590 ma @ 100 kHz 160 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK561M1ABK-0815S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG153M1C---2230S Surge LSG153M1C --- 2230 년대 1.0696
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 15 MF ± 20% 16 v 44mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.2 A @ 120 Hz 2.64 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG153M1C --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
RLD121M2EBK-1625S Surge RLD121M2EBK-1625S 0.7211
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 120 µF ± 20% 250 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 755 ma @ 120 Hz 1.699 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD121M2EBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
RA-102M1HBK-1625S Surge RA-102M1HBK-1625S 0.4712
RFQ
 ECAD 5705 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 1 MF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.08 A @ 120 Hz 1.566 A @ 10 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-102M1HBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
RXW470M2ABK-0820S Surge RXW470M2ABK-0820S 0.1343
RFQ
 ECAD 5194 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 47 µF ± 20% 100 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 210 ma @ 120 Hz 420 ma @ 100 kHz 370 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW470M2ABK-0820S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW562M0JBK-1620S Surge RZW562M0JBK-1620S 0.4939
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 5.6 MF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.771 A @ 120 Hz 2.53 A @ 100 kHz 27 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW562M0JBK-1620S 귀 99 8532.22.0020 150
RXK820M1EBK-0611S Surge RXK820M1EBK-0611S 0.0604
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 82 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 179 ma @ 120 Hz 255 ma @ 100 kHz 380 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK820M1EBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU330M0JTR-0506S Surge VEU330M0JTR-0506S 0.0695
RFQ
 ECAD 6304 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 6.3 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 35 MA @ 120 Hz 49 ma @ 10 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU330M0JTR-0506STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXJ222M1HBK-1840S Surge RXJ222M1HBK-1840S 1.2029
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 2.2 MF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.465 A @ 120 Hz 2.74 a @ 100 kHz 37 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ22M1HBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
RJA470M1HBK-0611S Surge RJA470M1HBK-0611S 0.0604
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 급등하다 RJA 가방 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 117 ma @ 120 Hz 175.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RJA470M1HBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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