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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VEJ3R3M1HTR-0406S Surge VEJ3R3M1HTR-0406S 0.0642
RFQ
ECAD 7245 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 14 MA @ 120 Hz 19.6 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ3R3M1HTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VEH100M1ETR-0506S Surge veh100m1etr-0506s 0.0695
RFQ
ECAD 2984 0.00000000 급등하다 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 88 ma @ 120 Hz 110 ma @ 100 kHz 1.5 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH100M1ET-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW681M1HBK-1330S Surge RZW681M1HBK-1330S 0.4765
RFQ
ECAD 9966 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 680 µF ± 20% 50 v - 10000 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.2705 A @ 120 Hz 2.31 A @ 100 kHz 39 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW681M1HBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM472M1E---2230S Surge LSM472M1E --- 2230 년대 1.1741
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 25 v 127mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.61 A @ 120 Hz 2.254 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M1E --- 2230S 3A001 8532.22.0040 90
LSR681M2G---3550S Surge LSR681M2G --- 3550S 6.0323
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 680 µF ± 20% 400 v 176mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.21 A @ 120 Hz 4.494 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR681M2G --- 3550S 3A001 8532.22.0040 40
VZH681M1ETR-1313S Surge vzh681m1etr-1313s 0.3460
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 574 ma @ 120 Hz 820 ma @ 100 kHz 70 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzh681m1etr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
LSK182M2D---3555S Surge LSK182M2D --- 3555S 5.7350
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 1.8 MF ± 20% 200 v 111mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.7 A @ @ 120 Hz 3.78 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK182M2D --- 3555S 3A001 8532.22.0040 40
VUA222M1ATR-1616S Surge vua222m1atr-1616s 0.6121
RFQ
ECAD 1886 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 MF ± 20% 10 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 845 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA222M1AT-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZH331M1HTR-1313S Surge VZH331M1HTR-1313S 0.3601
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 455 MA @ 120 Hz 650 ma @ 100 kHz 120 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH331M1HTR-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
VZH822M0JTR-1621S Surge VZH822M0JTR-1621S 0.7878
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 8.2 MF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.141 A @ 120 Hz 1.63 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH822M0JTR-1621STR 귀 99 8532.22.0020 100
VUX102M1ETR-1313S Surge vux102m1etr-1313s 0.5499
RFQ
ECAD 9623 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 375 ma @ 120 Hz 750 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux102m1etr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
VZH682M1ATR-1621S Surge vzh682m1atr-1621s 0.8136
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 6.8 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.141 A @ 120 Hz 1.63 A @ 100 kHz 38 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzh682m1atr-1621str 귀 99 8532.22.0020 100
RXJ680M1JBK-1012S Surge RXJ680M1JBK-1012S 0.1117
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 68 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 265 MA @ 120 Hz 380 ma @ 100 kHz 500 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ680M1JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
VUX470M1HTR-0810S Surge vux470m1htr-0810s 0.1318
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 135 MA @ 120 Hz 270 ma @ 100 kHz 300 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux470m1htr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
LSR221M2G---3030S Surge LSR221M2G --- 3030 년대 2.6654
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 543mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.79 a @ 120 Hz 2.506 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR221M2G --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
VZT220M1VTR-0406S Surge VZT220M1VTR-0406S 0.0767
RFQ
ECAD 7305 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 104 ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT220M1VTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
RXK391M1VBK-1020S Surge RXK391M1VBK-1020S 0.1712
RFQ
ECAD 5289 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 390 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 904 ma @ 120 Hz 1.13 a @ 100 kHz 62 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK391M1VBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
LSR181M2W---2540S Surge LSR181M2W --- 2540 년대 2.5594
RFQ
ECAD 2114 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 180 µF ± 20% 450 v 664mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.35 A @ 120 Hz 1.89 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR181M2W --- 2540S 3A001 8532.22.0040 65
VZH101M1KTR-1010S Surge VZH101M1KTR-1010S 0.2064
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 80 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 140 ma @ 120 Hz 200 ma @ 100 kHz 700 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH101M1KTR-1010STR 귀 99 8532.22.0020 500
VEH470M1VTR-0810S Surge VEH470M1VTR-0810S 0.1212
RFQ
ECAD 3462 0.00000000 급등하다 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 360 ma @ 120 Hz 450 ma @ 100 kHz 450 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH470M1VTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSM152M2A---2535S Surge LSM152M2A --- 2535S 1.6036
RFQ
ECAD 3714 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 100 v 177mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.85 a @ 120 Hz 2.59 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM152M2A --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
LSG332M1J---2535S Surge LSG332M1J --- 2535S 1.4967
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 63 v 121mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.06 A @ 120 Hz 2.472 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1J --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RXK822M1ABK-1636S Surge RXK822M1ABK-1636S 0.6469
RFQ
ECAD 8863 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 8.2 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.448 A @ 120 Hz 2.72 a @ 100 kHz 22 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK822M1ABK-1636S 귀 99 8532.22.0020 100
RZW122M1CBK-1025S Surge RZW122M1CBK-1025S 0.2460
RFQ
ECAD 5935 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 990 ma @ 120 Hz 1.65 A @ 100 kHz 42 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW122M1CBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
VZS101M1HTR-0810S Surge VZS101M1HTR-0810S 0.1682
RFQ
ECAD 4365 0.00000000 급등하다 VZS 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 469 ma @ 120 Hz 670 ma @ 100 kHz 180 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZS101M1HTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
VZR470M0JTR-0507S Surge VZR470M0JTR-0507S 0.0776
RFQ
ECAD 1362 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 47.5 ma @ 120 Hz 95 MA @ 100 kHz 2.2 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.287 "(7.30mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR470M0JTR-0507ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW331M0JBK-0611S Surge RZW331M0JBK-0611S 0.0673
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 187 MA @ 120 Hz 340 ma @ 100 kHz 220 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW331M0JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ682M0JTR-1816S Surge VEJ682M0JTR-1816S 0.6863
RFQ
ECAD 6198 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 6.8 MF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.29 a @ 120 Hz 1.6125 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ682M0JTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
VZH681M1JTR-1621S Surge VZH681M1JTR-1621S 0.8090
RFQ
ECAD 7934 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 805 ma @ 120 Hz 1.15 a @ 100 kHz 80 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH681M1JTR-1621STR 귀 99 8532.22.0020 100
LSM271M2E---2230S Surge LSM271M2E --- 2230 년대 1.3180
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 270 µF ± 20% 250 v 491mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.02 A @ 120 Hz 1.428 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM271M2E --- 2230 년대 3A001 8532.22.0040 90
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고