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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
RXJ6R8M2ABK-0611S Surge RXJ6R8M2ABK-0611S 0.0637
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 6.8 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 100 ma @ 120 Hz 180 ma @ 100 kHz 1.2 옴 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ6R8M2ABK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZS221M0JTR-0606S Surge VZS221M0JTR-0606S 0.0857
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 급등하다 VZS 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 210 ma @ 120 Hz 300 ma @ 100 kHz 260 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZS221M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZR330M1VTR-0608S Surge VZR330M1VTR-0608S 0.0937
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 115 MA @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 1 옴 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR330M1VTR-0608ST 귀 99 8532.22.0020 800
RA-102M1ABK-1016S Surge RA-102M1ABK-1016S 0.1182
RFQ
 ECAD 5595 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 1 MF ± 20% 10 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 550 ma @ 120 Hz 797.5 ma @ 10 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-102M1ABK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
LSK121M2G---3520S Surge LSK121M2G --- 3520S 2.1367
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 120 µF ± 20% 400 v 1.659ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 910 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK121M2G --- 3520S 3A001 8532.22.0040 40
VUX470M1HTR-0810S Surge vux470m1htr-0810s 0.1318
RFQ
 ECAD 6441 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 135 MA @ 120 Hz 270 ma @ 100 kHz 300 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux470m1htr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
LSR221M2G---3030S Surge LSR221M2G --- 3030 년대 2.6654
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 543mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.79 a @ 120 Hz 2.506 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR221M2G --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
VZT220M1VTR-0406S Surge VZT220M1VTR-0406S 0.0767
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 35 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 104 ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT220M1VTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
RXK391M1VBK-1020S Surge RXK391M1VBK-1020S 0.1712
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 390 µF ± 20% 35 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 904 ma @ 120 Hz 1.13 a @ 100 kHz 62 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK391M1VBK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RUK330M1HBK-1016S Surge RUK330M1HBK-1016S 0.1454
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 급등하다 루크 가방 활동적인 33 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 133 Ma @ 120 Hz 266 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUK330M1HBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
RLD221M2DBK-1636S Surge RLD221M2DBK-1636S 0.9007
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 220 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.125 A @ 120 Hz 2.531 A @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD221MDBK-1636S 귀 99 8532.22.0020 100
RLD820M2EBK-1330S Surge RLD820M2EBK-1330S 0.5387
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 82 µF ± 20% 250 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 590 ma @ 120 Hz 1.475 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD820M2EBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
RXK152M0JBK-1025S Surge RXK152M0JBK-1025S 0.1939
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.134 A @ 120 Hz 1.26 A @ 100 kHz 52 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK152M0JBK-1025S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG271M2H---3545S Surge LSG271M2H --- 3545S 4.8328
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 270 µF ± 20% 500 v 737mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.02 A @ 120 Hz 2.8886 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG271M2H --- 3545S 3A001 8532.22.0040 40
LSK221M2V---2535S Surge LSK221M2V --- 2535S 2.1281
RFQ
 ECAD 2437 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 220 µF ± 20% 350 v 905mohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 760 ma @ 120 Hz 1.064 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK221M2V --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
LSM152M2C---3535S Surge LSM152M2C --- 3535S 3.4997
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 160 v 133mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.72 a @ 120 Hz 3.808 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM152M2C --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
RXW472M1EBK-1836S Surge RXW472M1EBK-1836S 0.9620
RFQ
 ECAD 2456 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 4.7 MF ± 20% 25 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.576 A @ 120 Hz 3.68 A @ 100 kHz 15 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.476 "(37.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW472M1EBK-1836S 귀 99 8532.22.0020 100
RXK152M1VBK-1625S Surge RXK152M1VBK-1625S 0.5181
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.025 A @ 120 Hz 2.25 A @ 100 kHz 28 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK152M1VBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
LSM331M2C---2225S Surge LSM331M2C --- 2225S 1.0167
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 160 v 402mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 980 ma @ 120 Hz 1.372 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2C --- 2225S 3A001 8532.22.0040 90
VUX561M1HTR-1616S Surge vux561m1htr-1616s 0.6196
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 560 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 500 ma @ 120 Hz 1 A @ 100 kHz 75 Mohms - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux561m1htr-1616str 귀 99 8532.22.0020 200
VEJ222M1CTR-1616S Surge VEJ222M1CTR-1616S 0.5363
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 MF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 900 ma @ 120 Hz 1.125 a @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ222M1CTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
LSG103M1H---3530S Surge LSG103M1H --- 3530S 2.6816
RFQ
 ECAD 3039 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 10 MF ± 20% 50 v 46mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.47 a @ 120 Hz 4.164 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG103M1H --- 3530S 3A001 8532.22.0040 40
VEJ332M1ETR-1816S Surge VEJ332M1etr-1816S 0.7749
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 3.3 MF ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.15 a @ 120 Hz 1.4375 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ332M1etr-1816str 귀 99 8532.22.0020 150
VUA330M1HTR-0810S Surge vua330m1htr-0810s 0.1257
RFQ
 ECAD 1137 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 130 ma @ 120 Hz 182 ma @ 10 kHz - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA330M1HTR-0810STR 귀 99 8532.22.0020 500
LSG331M2W---2555S Surge LSG331M2W --- 2555S 3.4120
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 330 µf ± 20% 450 v 603mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.35 A @ 120 Hz 1.9305 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG331M2W --- 2555S 3A001 8532.22.0040 65
LHM271M2V---2240S Surge LHM271M2V --- 2240 년대 2.1238
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 급등하다 LHM 상자 활동적인 270 µF ± 20% 350 v 737mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.1 A @ 120 Hz 1.54 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LHM271M2V --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
LSM122M2A---2530S Surge LSM122M2A --- 2530S 1.5595
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1.2 MF ± 20% 100 v 221mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.49 a @ 120 Hz 2.086 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM122M2A --- 2530S 3A001 8532.22.0040 65
RXW470M1JBK-0811S Surge RXW470M1JBK-0811S 0.0861
RFQ
 ECAD 4557 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 47 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 202.5 ma @ 120 Hz 405 ma @ 100 kHz 342 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW470M1JBK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM821M2G---3560S Surge LSM821M2G --- 3560 년대 7.4320
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 820 µF ± 20% 400 v 243mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.54 A @ 120 Hz 3.556 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.441 "(62.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM821M2G --- 3560S 3A001 8532.22.0040 40
RLD270M2WBK-1325S Surge RLD270M2WBK-1325S 0.6561
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 27 µF ± 20% 450 v - 12000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 340 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD270M2WBK-1325S 귀 99 8532.22.0020 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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