SIC
close

알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VEH100M1HTR-0506S Surge VEH100M1HTR-0506S 0.0711
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 40 ma @ 120 Hz 50 ma @ 100 kHz 3 옴 - 0.197 "dia (5.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH100M1HTR-0506ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW121M1HBK-1012S Surge RXW121M1HBK-1012S 0.1131
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 120 µF ± 20% 50 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 307.5 ma @ 120 Hz 615 ma @ 100 kHz 162 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW121M1HBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LSM332M1J---2535S Surge LSM332M1J --- 2535S 1.6388
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 63 v 121mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.03 A @ 120 Hz 2.842 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM332M1J --- 2535S 3A001 8532.22.0040 65
RXK392M1ABK-1625S Surge RXK392M1ABK-1625S 0.4727
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 3.9 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.863 A @ 120 Hz 2.07 a @ 100 kHz 28 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK392M1ABK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
VZH220M1HTR-0606KS Surge VZH220M1HTR-0606KS 0.0792
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 115.5 ma @ 120 Hz 165 ma @ 100 kHz 880 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH220M1HTR-0606KST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM472M2A---3545S Surge LSM472M2A --- 3545S 3.8063
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 100 v 56mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.9 a @ 120 Hz 5.46 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M2A --- 3545S 3A001 8532.22.0040 40
RA-101M0JBK-0511S Surge RA-101M0JBK-0511S 0.0436
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 95 MA @ 120 Hz 180.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-101M0JBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSK181M2W---3030S Surge LSK181M2W --- 3030 년대 2.7318
RFQ
 ECAD 2582 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 180 µF ± 20% 450 v 1.106ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.4 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK181M2W --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
RLD680M2DBK-1035S Surge RLD680M2DBK-1035S 0.3463
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 68 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 425 ma @ 120 Hz 1.063 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD680M2DBK-1035S 귀 99 8532.22.0020 400
LSK181M2H---3035S Surge LSK181M2H --- 3035S 4.3774
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 180 µF ± 20% 500 v 1.106ohm @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 810 ma @ 120 Hz 1.134 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK181M2H --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
LSM121M2H---2245S Surge LSM121M2H --- 2245S 2.7248
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 120 µF ± 20% 500 v 1.659ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 910 ma @ 120 Hz 1.274 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM121M2H --- 2245S 3A001 8532.22.0040 80
RXJ102M1ABK-1020S Surge RXJ102M1ABK-1020S 0.1651
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 1 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 690 ma @ 120 Hz 860 ma @ 100 kHz 140 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ102M1ABK-1020S 귀 99 8532.22.0020 500
RXJ100M2ABK-0811S Surge RXJ100M2ABK-0811S 0.0767
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 10 µF ± 20% 100 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 305 MA @ 100 kHz 560 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ100m2ABK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEJ102M1HTR-1816S Surge VEJ102M1HTR-1816S 0.7127
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 990 ma @ 120 Hz 1.386 A @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ102M1HTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
RXW182M1HBK-1832S Surge RXW182M1HBK-1832S 0.8852
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 1.8 MF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.8 A @ 120 Hz 3 a @ 100 kHz 25 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW182M1HBK-1832S 귀 99 8532.22.0020 100
LSM221M2G---3525S Surge LSM221M2G --- 3525S 2.4816
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 905mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.15 a @ 120 Hz 1.61 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM221M2G --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
RA-3R3M2ABK-0511S Surge RA-3R3M2ABK-0511S 0.0436
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 3.3 µF ± 20% 100 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 29 MA @ 120 Hz 55.1 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-3R3M2ABK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VZH151M0JTR-0606S Surge VZH151M0JTR-0606S 0.0792
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 161 ma @ 120 Hz 230 ma @ 100 kHz 440 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH151M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU220M1ATR-0406S Surge VEU220M1ATR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 22 µF ± 20% 10 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 22 ma @ 120 Hz 30.8 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU220M1AT-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSM222M1J---2525S Surge LSM222M1J --- 2525S 1.1832
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 2.2 MF ± 20% 63 v 181mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.6 A @ 120 Hz 2.24 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM222M1J --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
RZW271M1VBK-0820S Surge RZW271M1VBK-0820S 0.1329
RFQ
 ECAD 3396 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 270 µF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 525 ma @ 120 Hz 1.05 a @ 100 kHz 64 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW271M1VBK-0820S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXK332M1EBK-1632S Surge RXK332M1EBK-1632S 0.6045
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 3.3 MF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.295 A @ 120 Hz 2.55 A @ 100 kHz 25 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK332M1EBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
LSG271M2D---2225S Surge LSG271M2D --- 2225S 1.0039
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 270 µF ± 20% 200 v 737mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 950 ma @ 120 Hz 1.425 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG271M2D --- 2225S 3A001 8532.22.0040 90
RXJ681M1EBK-1320S Surge RXJ681M1EBK-1320S 0.2666
RFQ
 ECAD 5838 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 680 µF ± 20% 25 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.25 A @ 100 kHz 85 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ681M1EBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
LSG122M2W---3590S Surge LSG122M2W --- 3590 년대 12.1836
RFQ
 ECAD 5078 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.2 MF ± 20% 450 v 166MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 3.68 A @ 120 Hz 5.152 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 3.622 "(92.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG122M2W --- 3590S 3A001 8532.22.0040 40
LSM682M1E---3025S Surge LSM682M1E --- 3025S 1.5568
RFQ
 ECAD 1434 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 6.8 MF ± 20% 25 v 88mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.91 A @ 120 Hz 2.674 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM682M1E --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
VUA681M1HTR-1816S Surge VUA681M1HTR-1816S 0.7339
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 680 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 855 ma @ 120 Hz 1.1115 a @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA681M1HTR-1816ST 귀 99 8532.22.0020 150
RZW272M0JBK-1616S Surge RZW272M0JBK-1616S 0.4045
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 2.7 MF ± 20% 6.3 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.358 A @ 120 Hz 1.94 A @ 100 kHz 42 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW272M0JBK-1616S 귀 99 8532.22.0020 150
VUA330M1CTR-0606S Surge vua330m1ctr-0606s 0.0776
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 33 µF ± 20% 16 v - 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 50 ma @ 120 Hz 70 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA330M1CTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW470M1HBK-0611S Surge RXW470M1HBK-0611S 0.0654
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 47 µF ± 20% 50 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 150 ma @ 120 Hz 300 ma @ 100 kHz 430 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW470M1HBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다