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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
LSM391M2H---3545S Surge LSM391M2H --- 3545S 7.6709
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 390 µF ± 20% 500 v 510mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.15 a @ 120 Hz 3.01 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM391M2H --- 3545S 3A001 8532.22.0040 40
RLD101M2EBK-1335S Surge RLD101M2EBK-1335S 0.6292
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 100 µf ± 20% 250 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 700 ma @ 120 Hz 1.575 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD101M2EBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
LSM222M1J---2035S Surge LSM222M1J --- 2035 년대 1.0984
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 2.2 MF ± 20% 63 v 181mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.7 A @ 120 Hz 2.38 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM222M1J --- 2035S 3A001 8532.22.0040 110
LSM102M2C---3035S Surge LSM102M2C --- 3035S 2.6210
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 1 MF ± 20% 160 v 133mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.09 a @ 120 Hz 2.926 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM102M2C --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
VEJ470M2GTR-1821S Surge VEJ470M2GTR-1821S 1.1847
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 400 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 130 ma @ 120 Hz 182 ma @ 10 kHz - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.866 "(22.00mm) 0.748 "LX 0.748"W (19.00mm x 19.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ470M2GTR-1821STR 귀 99 8532.22.0020 100
RXK561M1JBK-1340S Surge RXK561M1JBK-1340S 0.6660
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 560 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.224 a @ 120 Hz 1.53 A @ 100 kHz 51 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK561M1JBK-1340S 귀 99 8532.22.0020 250
RLD101M2DBK-1330S Surge RLD101M2DBK-1330S 0.4892
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 100 µf ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 660 ma @ 120 Hz 1.485 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD101M2DBK-1330S 귀 99 8532.22.0020 250
RXW472M1VBK-1840S Surge RXW472M1VBK-1840S 1.2696
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 4.7 MF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.66 A @ 120 Hz 3.8 a @ 100 kHz 14 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW472M1VBK-1840S 귀 99 8532.22.0020 100
VEJ100M2DTR-1313S Surge VEJ100M2DTR-1313S 0.3569
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 200 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 80 ma @ 120 Hz 112 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ100M2DTR-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
LSG102M2C---2545S Surge LSG102M2C --- 2545S 2.1660
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1 MF ± 20% 160 v 199MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.2 A @ 120 Hz 3.3 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG102M2C --- 2545S 3A001 8532.22.0040 65
VEZ2R2M1HTR-0405S Surge VEZ2R2M1HTR-0405S 0.0642
RFQ
 ECAD 3774 0.00000000 급등하다 vez 테이프 & tr (TR) 활동적인 2.2 µF ± 20% 50 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 24 ma @ 120 Hz 30 ma @ 100 kHz 5 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.217 "(5.50mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEZ2R2M1HTR-0405STR 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSG681M2D---3030S Surge LSG681M2D --- 3030 년대 2.1016
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 680 µF ± 20% 200 v 293mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.58 A @ 120 Hz 2.37 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG681M2D --- 3030 년대 3A001 8532.22.0040 50
RXQ100M2DBK-1016S Surge RXQ100M2DBK-1016S 0.1591
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 10 µF ± 20% 200 v - 8000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 125 ma @ 120 Hz 313 ma @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ100M2DBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
VZH331M0JTR-0806S Surge VZH331M0JTR-0806S 0.1115
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 196 ma @ 120 Hz 280 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.268 "(6.80mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH331M0JTR-0806STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
RA-331M0JBK-0611S Surge RA-331M0JBK-0611S 0.0537
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 330 µf ± 20% 6.3 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 195 MA @ 120 Hz 282.75 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-331M0JBK-0611S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM153M1C---3035S Surge LSM153M1C --- 3035S 2.2042
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 15 MF ± 20% 16 v 44mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.82 A @ 120 Hz 3.948 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM153M1C --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
RZW122M0JBK-1016S Surge RZW122M0JBK-1016S 0.1757
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 6.3 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 726 ma @ 120 Hz 1.21 A @ 100 kHz 60 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW122M0JBK-1016S 귀 99 8532.22.0020 500
LSG332M1K---3525S Surge LSG332M1K --- 3525S 2.1382
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 80 v 101mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.3 A @ 120 Hz 2.76 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1K --- 3525S 3A001 8532.22.0040 40
LSR471M2G---3540S Surge LSR471M2G --- 3540S 4.5165
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 급등하다 LSR 상자 활동적인 470 µF ± 20% 400 v 254mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.85 A @ 120 Hz 3.99 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSR471M2G --- 3540S 3A001 8532.22.0040 40
RXW331M1ABK-0811S Surge RXW331M1ABK-0811S 0.0861
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 330 µf ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 305.25 ma @ 120 Hz 555 ma @ 100 kHz 117 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.512 "(13.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW331M1ABK-0811S 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSM472M1H---2245S Surge LSM472M1H --- 2245S 1.6446
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 50 v 99mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.43 A @ 120 Hz 3.402 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM472M1H --- 2245S 3A001 8532.22.0040 80
LSG103M1C---2025S Surge LSG103M1C --- 2025S 0.8102
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 10 MF ± 20% 16 v 66mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.61 A @ 120 Hz 1.932 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG103M1C --- 2025S 3A001 8532.22.0040 110
VUK101M1JTR-1313S Surge vuk101m1jtr-1313s 0.3491
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 급등하다 vuk 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 150 ma @ 120 Hz 210 ma @ 10 kHz - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vuk101m1jtr-1313str 귀 99 8532.22.0020 200
RXW101M1JBK-1012S Surge RXW101M1JBK-1012S 0.1117
RFQ
 ECAD 7884 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 100 µf ± 20% 63 v - 6000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 267.5 ma @ 120 Hz 535 ma @ 100 kHz 256 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 0.551 "(14.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW101M1JBK-1012S 귀 99 8532.22.0020 500
LSM221M2G---2250S Surge LSM221M2G --- 2250 년대 2.1875
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 220 µF ± 20% 400 v 905mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.17 a @ 120 Hz 1.638 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM221M2G --- 2250S 3A001 8532.22.0040 80
VZH221M1HTR-1313S Surge VZH221M1HTR-1313S 0.3538
RFQ
 ECAD 3618 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 50 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 455 MA @ 120 Hz 650 ma @ 100 kHz 120 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH221M1HTR-1313ST 귀 99 8532.22.0020 200
LSG152M2A---2240S Surge LSG152M2A --- 2240 년대 1.5918
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.5 MF ± 20% 100 v 177mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.78 a @ 120 Hz 2.136 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG152M2A --- 2240S 3A001 8532.22.0040 90
RUA330M2WBK-1632S Surge RUA330M2WBK-1632S 0.7876
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 급등하다 루아 가방 활동적인 33 µF ± 20% 450 v - 3000 시간 @ 130 ° C -25 ° C ~ 130 ° C 극선 - 범용 203 ma @ 120 Hz 365.4 ma @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RUA330M2WBK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
VEH4R7M1HTR-0406S Surge veh4r7m1htr-0406s 0.0642
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 급등하다 차 테이프 & tr (TR) 활동적인 4.7 µF ± 20% 50 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 24 ma @ 120 Hz 30 ma @ 100 kHz 5 옴 - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEH4R7M1HTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VZL102M1ATR-1010S Surge vzl102m1atr-1010s 0.1894
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 1 MF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 595 ma @ 120 Hz 850 ma @ 100 kHz 80 Mohms - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vzl102m1atr-1010str 귀 99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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