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알루미늄 알루미늄 커패시터 (1655)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
VUA471M1HTR-1616S Surge vua471m1htr-1616s 0.5878
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 470 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 650 ma @ 120 Hz 845 ma @ 10 kHz - 0.630 "dia (16.00mm) 0.669 "(17.00mm) 0.669 "L x 0.669"W (17.00mm x 17.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA471M1HTR-1616ST 귀 99 8532.22.0020 200
RLD121M2DBK-1335S Surge RLD121M2DBK-1335S 0.5486
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 급등하다 rld 가방 활동적인 120 µF ± 20% 200 v - 12000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 765 ma @ 120 Hz 1.721 A @ 100 kHz 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RLD121M2DBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
LSK102M2D---3535S Surge LSK102M2D --- 3535S 3.6375
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 급등하다 LSK 상자 활동적인 1 MF ± 20% 200 v 199MOHM @ 120Hz 5000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.72 a @ 120 Hz 2.408 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSK102M2D --- 3535S 3A001 8532.22.0040 40
LSM331M2G---3530S Surge LSM331M2G --- 3530S 3.4663
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 330 µf ± 20% 400 v 603mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.34 a @ 120 Hz 1.876 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM331M2G --- 3530S 3A001 8532.22.0040 40
VZT680M1ATR-0406S Surge VZT680M1ATR-0406S 0.0751
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 급등하다 vzt 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 10 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 104 ma @ 120 Hz 160 ma @ 100 kHz 850 Mohms - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZT680M1ATT-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
VZH151M1JTR-1313S Surge VZH151M1JTR-1313S 0.3538
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 급등하다 VZH 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 490 ma @ 120 Hz 700 ma @ 100 kHz 150 Mohms - 0.492 "dia (12.50mm) 0.551 "(14.00mm) 0.512 "L x 0.512"W (13.00mm x 13.00mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZH151M1JTR-1313STR 귀 99 8532.22.0020 200
VZL101M0JTR-0606S Surge VZL101M0JTR-0606S 0.0840
RFQ
 ECAD 4703 0.00000000 급등하다 VZL 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 6.3 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 168 ma @ 120 Hz 240 ma @ 100 kHz 360 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZL101M0JTR-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
RA-330M1VBK-0511S Surge RA-330M1VBK-0511S 0.0436
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 급등하다 라 가방 활동적인 33 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 75 ma @ 120 Hz 142.5 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RA-330M1VBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXW391M1HBK-1320S Surge RXW391M1HBK-1320S 0.2944
RFQ
 ECAD 9182 0.00000000 급등하다 RXW 가방 활동적인 390 µF ± 20% 50 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 814 ma @ 120 Hz 1.48 A @ 100 kHz 63 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXW391M1HBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXJ561M1VBK-1320S Surge RXJ561M1VBK-1320S 0.2870
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 560 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.25 A @ 100 kHz 85 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ561M1VBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
RXQ151M2DBK-1625S Surge RXQ151M2DBK-1625S 0.6469
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 급등하다 RXQ 가방 활동적인 150 µF ± 20% 200 v - 10000 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 840 ma @ 120 Hz 1.89 a @ 100 kHz 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXQ151M2DBK-1625S 귀 99 8532.22.0020 150
RXK122M1VBK-1335S Surge RXK122M1VBK-1335S 0.4256
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 급등하다 rxk 가방 활동적인 1.2 MF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.98 A @ 120 Hz 2.2 A @ 100 kHz 27 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXK122M1VBK-1335S 귀 99 8532.22.0020 250
LSG122M2E---3055S Surge LSG122M2E --- 3055S 4.2822
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 1.2 MF ± 20% 250 v 166MOHM @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.71 A @ 120 Hz 4.065 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.244 "(57.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG122M2E --- 3055S 3A001 8532.22.0040 45
LSG472M1K---3050S Surge LSG472M1K --- 3050 년대 3.3936
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 4.7 MF ± 20% 80 v 71mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.97 a @ 120 Hz 3.564 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG472M1K --- 3050 년대 3A001 8532.22.0040 45
RZW152M1CBK-1030S Surge RZW152M1CBK-1030S 0.3055
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 1.5 MF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.146 A @ 120 Hz 1.91 A @ 100 kHz 31 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.394 "dia (10.00mm) 1.260 "(32.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW152M1CBK-1030S 귀 99 8532.22.0020 400
LSM181M2V---2045S Surge LSM181M2V --- 2045S 1.6776
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 180 µF ± 20% 350 v 1.106ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 810 ma @ 120 Hz 1.134 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.787 "DIA (20.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM181M2V --- 2045S 3A001 8532.22.0040 100
VUP101M1ETR-0607S Surge vup101m1etr-0607s 0.1067
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 급등하다 vup 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 98.5 ma @ 120 Hz 197 ma @ 100 khz 500 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vup101m1etr-0607str 귀 99 8532.22.0020 1,000
RXJ472M1ABK-1632S Surge RXJ472M1ABK-1632S 0.5681
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 4.7 MF ± 20% 10 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.83 A @ 120 Hz 2.03 a @ 100 kHz 48 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.319 "(33.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ472M1ABK-1632S 귀 99 8532.22.0020 100
LSM103M1V---3035S Surge LSM103M1V --- 3035S 2.3141
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 급등하다 LSM 상자 활동적인 10 MF ± 20% 35 v 53mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.87 A @ 120 Hz 4.018 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSM103M1V --- 3035S 3A001 8532.22.0040 50
RXJ102M1CBK-1320S Surge RXJ102M1CBK-1320S 0.2651
RFQ
 ECAD 7139 0.00000000 급등하다 RXJ 가방 활동적인 1 MF ± 20% 16 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1 A @ @ @ 120 Hz 1.25 A @ 100 kHz 85 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RXJ102M1CBK-1320S 귀 99 8532.22.0020 250
VEJ221M1CTR-0607S Surge VEJ221M1CTR-0607S 0.0905
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 급등하다 vej 테이프 & tr (TR) 활동적인 220 µF ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 120 MA @ 120 Hz 168 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEJ221M1CTR-0607STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
VEU100M1CTR-0406S Surge VEU100M1CTR-0406S 0.0642
RFQ
 ECAD 6671 0.00000000 급등하다 VEU 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 16 v - 3000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 18 MA @ 120 Hz 25.2 ma @ 10 kHz - 0.157 "DIA (4.00mm) 0.236 "(6.00mm) 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VEU100M1CTR-0406ST 귀 99 8532.22.0020 2,000
LSG332M1J---3025S Surge LSG332M1J --- 3025S 1.6490
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 3.3 MF ± 20% 63 v 121mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2 A @ 120 Hz 2.4 a @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG332M1J --- 3025S 3A001 8532.22.0040 50
VUA680M1ATR-0606S Surge vua680m1atr-0606s 0.0776
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 급등하다 vua 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 10 v - 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 50 ma @ 120 Hz 70 ma @ 10 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.240 "(6.10mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VUA680M1ATT-0606ST 귀 99 8532.22.0020 1,000
LSG391M2G---3045S Surge LSG391M2G --- 3045S 4.0859
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 390 µF ± 20% 400 v 510mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 1.56 A @ 120 Hz 2.2308 A @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG391M2G --- 3045S 3A001 8532.22.0040 45
VZR470M1CTR-0607S Surge VZR470M1CTR-0607S 0.0857
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 급등하다 VZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 16 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 70 ma @ 120 Hz 140 ma @ 100 kHz 1.1 - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-VZR470M1CTR-0607STR 귀 99 8532.22.0020 1,000
RZW151M0JBK-0511S Surge RZW151M0JBK-0511S 0.0517
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 150 µF ± 20% 6.3 v - 4000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 105 ma @ 120 Hz 210 ma @ 100 kHz 580 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW151M0JBK-0511S 귀 99 8532.22.0020 1,000
VUX101M1VTR-0810S Surge vux101m1vtr-0810s 0.1379
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 급등하다 vux 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 35 v - 2000 시간 @ 135 ° C -40 ° C ~ 135 ° C 극선 - 범용 135 MA @ 120 Hz 270 ma @ 100 kHz 200 Mohms - 0.315 "dia (8.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.327 "L x 0.327"W (8.30mm x 8.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-vux101m1vtr-0810str 귀 99 8532.22.0020 500
RZW562M1ABK-1340S Surge RZW562M1ABK-1340S 0.7131
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 급등하다 RZW 가방 활동적인 5.6 MF ± 20% 10 v - 8000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.345 A @ 120 Hz 3.35 A @ 100 kHz 17 Mohms 0.197 "(5.00mm) 0.492 "dia (12.50mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-RZW562M1ABK-1340S 귀 99 8532.22.0020 250
LSG121M2G---2525S Surge LSG121M2G --- 2525S 1.4559
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 급등하다 LSG 상자 활동적인 120 µF ± 20% 400 v 1.659ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 610 ma @ 120 Hz 872.3 ma @ 10 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 Rohs3 준수 1 (무제한) 4403-LSG121M2G --- 2525S 3A001 8532.22.0040 65
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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