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저항 (18799)
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| MCR25JZHFL1R50 | - | | 4736 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.028 "(0.70mm) | 1210 (3225 메트릭) | AEC-Q200 | 1.5 옴 | ± 200ppm/° C | - | 1210 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 0.5W, 1/2W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
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 | MNR14E0ABJ514 | - | | 2364 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||||||||
 | MNR12E0ABJ101 | - | | 7079 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||||||||
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| ESR03EZPF2404 | 0.0175 | | 6196 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ESR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) | 0.022 "(0.55mm) | 0603 (1608 메트릭) | 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 | 2.4 Mohms | ± 100ppm/° C | - | 0603 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.25W, 1/4W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MNR14ERAPJ104 | - | | 7813 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||||||||
 | SFR01MZPF1871 | 0.0146 | | 7384 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | sfr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.020"W (1.00mm x 0.50mm) | 0.016 "(0.40mm) | 0402 (1005 메트릭) | 항황, ec AEC-Q200 | 1.87 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 511-SFR01MZPF1871TR | 귀 99 | 8533.21.0030 | 10,000 | 0.063W, 1/16W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MCR10EZPF5623 | - | | 7401 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.026 "(0.65mm) | 0805 (2012 5) | AEC-Q200 | 562 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 0805 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.125W, 1/8W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| esr10ezpf16r0 | 0.2000 | | 184 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ESR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.026 "(0.65mm) | 0805 (2012 5) | 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 | 16 옴 | ± 100ppm/° C | - | 0805 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.4W, 2/5W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
 | MNR04MRAPJ223 | - | | 2733 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 22k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||||||||
| ESR25JZPF5102 | 0.0700 | | 8803 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ESR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.026 "(0.65mm) | 1210 (3225 메트릭) | 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 | 51 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 1210 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 0.667W, 2/3W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MCR100JZHF19R6 | - | | 8431 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.248 "L x 0.126"W (6.30mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 2512 (6432 메트릭) | AEC-Q200 | 19.6 옴 | ± 100ppm/° C | - | 2512 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 1W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MCR18ERTF2671 | - | | 6574 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.120 "L x 0.061"W (3.05mm x 1.55mm) | 0.026 "(0.65mm) | 1206 (3216 메트릭) | - | 2.67 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.25W, 1/4W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | ||||||||||||
 | MNR35J5RJ122 | - | | 1469 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 2512 (6432 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 1.2k | 버스 | 8 | - | - | 10 | 62.5MW | |||||||||
| Ktr18ezpj515 | 0.1600 | | 2489 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ktr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.026 "(0.65mm) | 1206 (3216 메트릭) | AEC-Q200, 고전압 | 5.1 Mohms | ± 200ppm/° C | - | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.25W, 1/4W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MNR04MRAPJ270 | - | | 1776 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||||||||
 | MNR14ERAPJ | - | | 1561 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 511-mnr14erapjtr | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
| MCR10EZHF68R1 | - | | 9658 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.026 "(0.65mm) | 0805 (2012 5) | - | 68.1 옴 | ± 100ppm/° C | - | 0805 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.125W, 1/8W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | ||||||||||||
| Ktr10ezpf5102 | 0.2200 | | 9 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ktr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.026 "(0.65mm) | 0805 (2012 5) | AEC-Q200, 고전압 | 51 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 0805 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.125W, 1/8W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MCR03ERTF5601 | - | | 5620 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) | 0.022 "(0.55mm) | 0603 (1608 메트릭) | - | 5.6 Kohms | ± 100ppm/° C | - | 0603 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.1W, 1/10W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | ||||||||||||
| Ktr18ezpf49r9 | 0.2500 | | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | ktr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.026 "(0.65mm) | 1206 (3216 메트릭) | AEC-Q200, 고전압 | 49.9 옴 | ± 100ppm/° C | - | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.25W, 1/4W | 2 | 두꺼운 두꺼운 | |||||||||||
| MCR10ERTF6650 | - | | 9843 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MCR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) | 0.026 "(0.65mm) | 0805 (2012 5) | - | 665 옴 | ± 100ppm/° C | - | 0805 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.125W, 1/8W | 2 | 두꺼운 두꺼운 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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