SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 등급 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 저항 온도 온도 실패율 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전원 (와트) 종료 종료 저항 (옴) 구성 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
TRR10EZPF2490 Rohm Semiconductor TRR10EZPF2490 -
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Rohm 반도체 Trr 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.026 "(0.65mm) 0805 (2012 5) 반황 249 옴 ± 100ppm/° C - 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 두꺼운 두꺼운
LTR10EZPJ162 Rohm Semiconductor ltr10ezpj162 0.0223
RFQ
ECAD 4934 0.00000000 Rohm 반도체 ltr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.047 "L x 0.079"W (1.20mm x 2.00mm) 0.026 "(0.65mm) 와이드 0805 (2012 메트릭), 0508 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 1.6 KOHMS ± 200ppm/° C - 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR10ERTF1051 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1051 0.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.026 "(0.65mm) 0805 (2012 5) - 1.05 KOHMS ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 두꺼운 두꺼운
KTR18EZPF9762 Rohm Semiconductor Ktr18ezpf9762 0.0302
RFQ
ECAD 2741 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200, 고전압 97.6 KOHMS ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR18EZPJ131 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ131 -
RFQ
ECAD 5006 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200 130 옴 ± 200ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR10ERTJ752 Rohm Semiconductor mcr10ertj752 -
RFQ
ECAD 9615 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.026 "(0.65mm) 0805 (2012 5) - 7.5 Kohms ± 200ppm/° C - 0805 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 두꺼운 두꺼운
KTR18EZPF1650 Rohm Semiconductor Ktr18ezpf1650 0.2500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200, 고전압 165 옴 ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
TRR18EZPJ824 Rohm Semiconductor TRR18EZPJ824 -
RFQ
ECAD 8382 0.00000000 Rohm 반도체 Trr 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) 반황 820 Kohms ± 200ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MNR18E0APJ121 Rohm Semiconductor MNR18E0APJ121 -
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 120 외딴 8 - - 16 62.5MW
KTR18EZPF10R5 Rohm Semiconductor KTR18EZPF10R5 0.0302
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200, 고전압 10.5 옴 ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR10ERTF6042 Rohm Semiconductor MCR10ERTF6042 -
RFQ
ECAD 4547 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.026 "(0.65mm) 0805 (2012 5) - 60.4 KOHMS ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 두꺼운 두꺼운
MCR01MRTF3301 Rohm Semiconductor MCR01MRTF3301 -
RFQ
ECAD 4096 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "L x 0.020"W (1.00mm x 0.50mm) 0.016 "(0.40mm) 0402 (1005 메트릭) - 3.3 Kohms ± 100ppm/° C - 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 두꺼운 두꺼운
ESR18EZPF2201 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2201 0.0207
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Rohm 반도체 ESR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 2.2 Kohms ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 두꺼운 두꺼운
UCR03EVPFSR068 Rohm Semiconductor UCR03EVPFSR068 0.5800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 UCR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "L x 0.034"W (1.60mm x 0.87mm) 0.024 "(0.60mm) 0603 (1608 메트릭) 현재의 현재의 68 Mohms 0/ +200ppm/ ° C - 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
SDR03EZPD2000 Rohm Semiconductor SDR03EZPD2000 0.2400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 SDR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) 0.022 "(0.55mm) 0603 (1608 메트릭) 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 200 옴 ± 100ppm/° C - 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 두꺼운 두꺼운
KTR18EZPF2614 Rohm Semiconductor Ktr18ezpf2614 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200, 고전압 2.61 Mohms ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR18ERTF24R0 Rohm Semiconductor MCR18ERTF24R0 -
RFQ
ECAD 3363 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "L x 0.061"W (3.05mm x 1.55mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) - 24 옴 ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR25JZHF20R0 Rohm Semiconductor MCR25JZHF20R0 -
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.028 "(0.70mm) 1210 (3225 메트릭) AEC-Q200 20 옴 ± 100ppm/° C - 1210 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MNR14E0APJ333 Rohm Semiconductor MNR14E0APJ333 -
RFQ
ECAD 8034 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 33k 외딴 4 - - 8 62.5MW
MNR34J5ABJ391 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ391 -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.205 "L x 0.122"W (5.20mm x 3.10mm) 0.026 "(0.65mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 390 외딴 4 - - 8 125MW
KTR18EZPF25R5 Rohm Semiconductor Ktr18ezpf25r5 0.0302
RFQ
ECAD 3712 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) AEC-Q200, 고전압 25.5 옴 ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 두꺼운 두꺼운
MCR01MRTF3902 Rohm Semiconductor MCR01MRTF3902 0.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "L x 0.020"W (1.00mm x 0.50mm) 0.016 "(0.40mm) 0402 (1005 메트릭) - 39 Kohms ± 100ppm/° C - 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 두꺼운 두꺼운
MCR50JZHJ821 Rohm Semiconductor MCR50JZHJ821 -
RFQ
ECAD 7375 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.197 "L x 0.098"W (5.00mm x 2.50mm) 0.028 "(0.70mm) 2010 (5025 5) AEC-Q200 820 옴 ± 200ppm/° C - 2010 년 년 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 두꺼운 두꺼운
SFR03EZPF1203 Rohm Semiconductor SFR03EZPF1203 0.1300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Rohm 반도체 sfr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) 0.022 "(0.55mm) 0603 (1608 메트릭) 항황, ec AEC-Q200 120 KOHMS ± 100ppm/° C - 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 511-SFR03EZPF1203TR 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 두꺼운 두꺼운
MCR50JZHJ302 Rohm Semiconductor MCR50JZHJ302 -
RFQ
ECAD 8982 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.197 "L x 0.098"W (5.00mm x 2.50mm) 0.028 "(0.70mm) 2010 (5025 5) AEC-Q200 3 kohms ± 200ppm/° C - 2010 년 년 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 두꺼운 두꺼운
MCR03ERTJ223 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ223 -
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) 0.022 "(0.55mm) 0603 (1608 메트릭) - 22 KOHMS ± 200ppm/° C - 0603 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 두꺼운 두꺼운
TRR03EZPF1472 Rohm Semiconductor TRR03EZPF1472 -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 Rohm 반도체 Trr 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) 0.022 "(0.55mm) 0603 (1608 메트릭) 반황 14.7 Kohms ± 100ppm/° C - 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 두꺼운 두꺼운
KTR03EZPJ911 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ911 0.0175
RFQ
ECAD 1475 0.00000000 Rohm 반도체 ktr 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.031"W (1.60mm x 0.80mm) 0.022 "(0.55mm) 0603 (1608 메트릭) AEC-Q200, 고전압 910 옴 ± 200ppm/° C - 0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 두꺼운 두꺼운
ESR18EZPF9532 Rohm Semiconductor ESR18EZPF9532 0.0207
RFQ
ECAD 2170 0.00000000 Rohm 반도체 ESR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 1206 (3216 메트릭) 자동차 AEC-Q200, 펄스 견학 95.3 Kohms ± 100ppm/° C - 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 두꺼운 두꺼운
MCR10EZHF4122 Rohm Semiconductor MCR10EZHF4122 -
RFQ
ECAD 9344 0.00000000 Rohm 반도체 MCR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "L x 0.049"W (2.00mm x 1.25mm) 0.026 "(0.65mm) 0805 (2012 5) - 41.2 KOHMS ± 100ppm/° C - 0805 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 두꺼운 두꺼운
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고