SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
EXB-24V113JX Panasonic Electronic Components exb-24v113jx 0.0120
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 exb-24 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 exb24v113jx 귀 99 8533.21.0020 10,000 11k 외딴 2 - - 4 62.5MW
S41X083100JP CTS Resistor Products S41X083100JP 0.0226
RFQ
ECAD 9771 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083100JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 10 외딴 4 - - 8 31MW
767161470GP CTS Resistor Products 767161470GP 1.2132
RFQ
ECAD 8579 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 47 버스 15 - - 16 100MW
YC122-JR-07470KL YAGEO YC122-JR-07470KL 0.0056
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 Yageo YC122 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 YC122-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 470K 외딴 2 - - 4 62.5MW
743C083271JTR CTS Resistor Products 743C083271JTR -
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 270 외딴 4 - - 8 100MW
RAVF164DJT3R90 Stackpole Electronics Inc RAVF164DJT3R90 0.0057
RFQ
ECAD 6235 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 3.9 외딴 4 - - 8 100MW
767161561GP CTS Resistor Products 767161561GP 1.2132
RFQ
ECAD 1457 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 767-161-R560p 귀 99 8533.21.0010 43 560 버스 15 - - 16 100MW
AF164-FR-07180KL YAGEO AF164-FR-07180KL 0.0643
RFQ
ECAD 8735 0.00000000 Yageo AF164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 180K 외딴 4 - - 8 62.5MW
753081102GTR CTS Resistor Products 753081102GTR -
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 1K 버스 7 - - 8 40MW
SM2X2K000/3K000QT Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) sm2x2k000/3k000qt 33.0855
RFQ
ECAD 6699 0.00000000 Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) SM 대부분 활동적인 ± 0.02% -65 ° C ~ 150 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.303 "LX 0.102"W (7.70mm x 2.60mm) 0.327 "(8.30mm) 구멍을 구멍을 방사형 -3 리드 ± 5ppm/° C - 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8533.21.0050 20 2K, 3K 전압 전압 2 ± 0.01% ± 3ppm/° C 3 -
4816P-2-101 Bourns Inc. 4816P-2-101 0.5698
RFQ
ECAD 2545 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 118-4816P-2-101TR 귀 99 8533.21.0020 2,000 100 버스 15 - 50ppm/° C 16 80MW
RP104PJ514CS Samsung Electro-Mechanics RP104PJ514CS -
RFQ
ECAD 8798 0.00000000 삼성 삼성 기계 RP 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 510K 외딴 4 - - 8 62.5MW
YC324-FK-0734K8L YAGEO YC324-FK-0734K8L 0.0697
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-FK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 34.8k 외딴 4 - - 8 125MW
YC164-FR-07162RL YAGEO YC164-FR-07162RL 0.0166
RFQ
ECAD 3227 0.00000000 Yageo YC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 162 외딴 4 - - 8 62.5MW
YC102-FR-07100RT YAGEO YC102-FR-07100RT 0.0371
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 Yageo YC102 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 YC102-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 100 외딴 2 - - 4 31MW
YC122-JR-0791RL YAGEO YC122-JR-0791RL 0.0056
RFQ
ECAD 1804 0.00000000 Yageo YC122 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 YC122-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 91 외딴 2 - - 4 62.5MW
EXB-2HV8R2JV Panasonic Electronic Components exb-2hv8r2jv 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 exb-2hv ± 200ppm/° C 1506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 8.2 외딴 8 - - 16 62.5MW
S42C043754JP CTS Resistor Products S42C043754JP 0.0508
RFQ
ECAD 5558 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043754JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 750K 외딴 2 - - 4 63MW
CSC09A011K00FPA Vishay Dale CSC09A011K00FPA 2.1291
RFQ
ECAD 2979 0.00000000 Vishay Dale CSC 대부분 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.890 "L x 0.098"W (22.61mm x 2.49mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 9-SIP ± 100ppm/° C 9-SIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 1K 버스 8 - ± 50ppm/° C 9 200MW
EXB-U34200JV Panasonic Electronic Components EXB-U34200JV 0.0458
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 Exb-U34 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 귀 99 8533.21.0020 5,000 20 외딴 2 - - 4 63MW
YC324-FK-0712RL YAGEO YC324-FK-0712RL 0.0697
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-FK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 12 외딴 4 - - 8 125MW
4816P-T01-273 Bourns Inc. 4816P-T01-273 0.5843
RFQ
ECAD 5784 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) 4816p ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0010 2,000 27K 외딴 8 - - 16 160MW
MNR15ERRPJ681 Rohm Semiconductor MNR15ERRPJ681 -
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.026 "(0.65mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 680 버스 8 - - 10 31MW
EXB-V8V3R0JV Panasonic Electronic Components exb-v8v3r0jv 0.1400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 exb-v8 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 3 외딴 4 - - 8 62.5MW
AF122-FR-076K04L YAGEO AF122-FR-076K04L 0.0562
RFQ
ECAD 9286 0.00000000 Yageo AF122 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 6.04K 외딴 2 - - 4 62.5MW
EXB-U28510JX Panasonic Electronic Components exb-u28510jx 0.0165
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 Exb-U28 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 귀 99 8533.21.0020 10,000 51 외딴 4 - - 8 63MW
RMK33N200KB200KB Vishay Sfernice RMK33N200KB200KB 22.1728
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 716-RMK33N200KB200KB 귀 99 8533.21.0020 100
4116R-2-274 Bourns Inc. 4116R-2-274 -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4116R ± 100ppm/° C 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 4116R-002-274 귀 99 8533.21.0060 25 270K 버스 15 - 50ppm/° C 16 125MW
EXB-A10P473J Panasonic Electronic Components exb-a10p473j 0.6100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.252 "L x 0.122"W (6.40mm x 3.10mm) 0.026 "(0.65mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 Exb-A10 ± 200ppm/° C 2512 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 47K 버스 8 - - 10 62.5MW
EXB-2HV682JV Panasonic Electronic Components exb-2hv682jv 0.3000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.150 "L x 0.063"W (3.80mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 exb-2hv ± 200ppm/° C 1506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 6.8k 외딴 8 - - 16 62.5MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고