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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 4816T-1-1002BB | - | | 8983 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 118-4816T-1-1002BB | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||
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| 753201102GPTR7 | 2.0794 | | 6744 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.295 "L x 0.080"W (7.49mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 20-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K | 버스 | 18 | - | - | 20 | 40MW | |||
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 | 4309R-101-562 | 0.7405 | | 5233 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.884 "L x 0.085"W (22.45mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 9-SIP | 4309R | ± 100ppm/° C | 9-SIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 22 | 5.6k | 버스 | 8 | - | 50ppm/° C | 9 | 200MW | ||
 | RAVF104DJT75K0 | 0.0066 | | 6209 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 75K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
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 | S42C043822GP | 0.0600 | | 1387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043822GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 8.2k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
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 | S40X043100JP | 0.0901 | | 5804 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043100JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||
| exb-u38240jv | 0.0571 | | 8296 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | Exb-U3 | ± 200ppm/° C | 1206 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 24 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
| Y1714V0220BB0L | 108.3264 | | 4513 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300193Z | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.820 "L x 0.160"W (20.83mm x 4.06mm) | 0.413 "(10.49mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -5 리드 | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 10.5k, 50k, 100k | 전압 전압 | 3 | ± 0.005% | ± 0.1ppm/° C | 5 | 300MW | ||||
 | TC124-FR-0740R2L | 0.0297 | | 5964 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 40.2 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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