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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S41C083303FP	0.0653	RFQ	7972	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083303FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	30K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S40X043221JP	0.0901	RFQ	5423	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043221JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	220	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C083394JP	0.0680	RFQ	4522	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083394JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	390K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083152GP	0.0813	RFQ	6891	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083152GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	1.5K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42X083624FP	0.0560	RFQ	2686	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083624FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	620K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C163392JP	0.1518	RFQ	3026	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C16392JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	3.9k	외딴	8	-	-	16	63MW
S41X043562GP	0.0240	RFQ	3960	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043562GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	5.6k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083242JP	0.0226	RFQ	5986	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083242JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	2.4k	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X043303FP	0.0283	RFQ	6252	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043303FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	30K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083912JP	0.0226	RFQ	7289	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083912JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	9.1k	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C043622JP	0.0508	RFQ	4405	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043622JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	6.2k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083750GP	0.0813	RFQ	8562	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083750GPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	75	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043620FP	0.0693	RFQ	1247	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043620FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	62	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083394FP	0.0914	RFQ	7171	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083394FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	390K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C163162JP	0.1518	RFQ	5949	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163162JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	1.6k	외딴	8	-	-	16	63MW
S42C083624JP	0.0680	RFQ	6162	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083624JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	620K	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083120FP	0.0653	RFQ	2525	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083120FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	12	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C043302FP	0.0693	RFQ	2995	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043302FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	3K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083271JP	0.0226	RFQ	7875	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083271JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	270	외딴	4	-	-	8	31MW
S41C083912JP	0.0481	RFQ	8589	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083912JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	9.1k	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S40X043303JP	0.0901	RFQ	4966	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043303JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	30K	외딴	2	-	-	4	31MW
S42X083111FP	0.0560	RFQ	3272	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083111FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	110	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C163152JP	0.1518	RFQ	1525	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163152JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	1.5K	외딴	8	-	-	16	63MW
S41X083121GP	0.0269	RFQ	8965	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083121GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	120	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X043182JP	0.0198	RFQ	6556	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043182JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	1.8K	외딴	2	-	-	4	63MW
S40X043274JP	0.0901	RFQ	4680	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043274JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	270K	외딴	2	-	-	4	31MW
S41X043470GP	0.0240	RFQ	6810	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043470GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	47	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083682GP	0.0269	RFQ	9086	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083682GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	6.8k	외딴	4	-	-	8	31MW
S41C083183GP	0.0560	RFQ	1038	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083183GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	18K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043154GP	0.0240	RFQ	5836	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043154GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	150K	외딴	2	-	-	4	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (38855)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²