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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RAVF102DJT10R0 | 0.0081 |  | 3837 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | exb-u28754jx | 0.0165 | | 3369 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U28 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 750K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||
 | RPS164PJ180CS | - | | 7950 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RPS | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.61mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 5,000 | 18 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | 770103470 | - | | 1517 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 47 | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | |||
 | 4116R-2-823LF | 0.8873 | | 3050 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4100r | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) | 0.185 "(4.69mm) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 4116R | ± 100ppm/° C | 16-DIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 82k | 버스 | 15 | - | 50ppm/° C | 16 | 125MW | ||
 | TC164-FR-07825RL | 0.0163 | | 5941 | 0.00000000 | Yageo | TC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | TC164-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 825 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | Y4485V0067QT9W | 41.8820 | | 2818 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | DSMZ | 쟁반 | 활동적인 | ± 0.02% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 25 | 400, 10K | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
| RMK33N12K5F | 16.0873 | | 8822 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 716-RMK33N12K5F | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | |||||||||||||||||||
| RT2510B7 | - | | 7277 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | - | - | - | - | ± 200ppm/° C | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1 | 100 | 이중 이중 | 16 | - | - | 50MW | |||||
 | YC162-FR-0744R2L | 0.0168 | | 6626 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 44.2 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
 | 767143202G | - | | 2237 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 2K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
| exb-28n3r6jx | 0.0114 | | 3593 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | - | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 3.6 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||
 | 4814P-T01-273LF | 0.5607 | | 2850 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4814p | ± 100ppm/° C | 14-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 50 | 27K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | ||
| AF122-FR-0725R5L | 0.0562 | | 6341 | 0.00000000 | Yageo | AF122 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 25.5 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
 | YC158TJR-07680KL | 0.0160 | | 7877 | 0.00000000 | Yageo | YC158 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | YC158TJR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 680K | 버스 | 8 | - | - | 10 | 62.5MW | ||
 | YC124-FR-071K2L | 0.0374 | | 2689 | 0.00000000 | Yageo | YC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | YC124-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.2k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | MNR34J5ABJ393 | - | | 8037 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.205 "L x 0.122"W (5.20mm x 3.10mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 39K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | |||
 | 4820p-3-331/471 | 0.7804 | | 7960 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.540 "LX 0.220"W (13.72mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4820p | ± 100ppm/° C | 20-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.10.0057 | 2,000 | 330, 470 | 이중 이중 | 36 | - | - | 20 | 80MW | ||
| 4116R-1-500 | 1.0263 | | 6384 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4100r | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) | 0.185 "(4.69mm) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 4116R | ± 100ppm/° C | 16-DIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 50 | 외딴 | 8 | - | 50ppm/° C | 16 | 250MW | ||
| Y1485V0004BA0R | 11.4125 | | 8395 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | DSM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -65 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.160 "L x 0.106"W (4.06mm x 2.69mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 1610 J-Lead (3 터미널) | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 0.5ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
| Y1712V0579FD9L | 66.6084 | | 2518 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300191Z | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.575 "LX 0.160"W (14.61mm x 4.06mm) | 0.413 "(10.49mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -4 리드 | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 3K, 30K | 전압 전압 | 2 | ± 0.005% | ± 0.1ppm/° C | 4 | 300MW | ||||
 | S41X043181GP | 0.0240 | | 9869 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043181GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 180 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
 | CRA06E08356R2FTA | - | | 5768 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56.2 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
| YC162-JR-07910RL | 0.0126 | | 4432 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 910 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
 | YC324-FK-0736K5L | 0.0697 | | 4373 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 36.5k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
 | 77081821 | - | | 1129 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 820 | 버스 | 7 | - | - | 8 | 100MW | |||
| 4814P-3-800/211 | 0.7018 | | 3335 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2ohm, ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4814p | ± 100ppm/° C | 14-SOM | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 80, 210 | 이중 이중 | 24 | - | - | 14 | 80MW | ||
 | YC248-FR-07330RL | 0.0663 | | 5185 | 0.00000000 | Yageo | YC248 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | YC248-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 330 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
 | S41X083221GP | 0.0269 | | 3923 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083221GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 220 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
 | 4605x-101-473LF | 0.4700 | | 17 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.498 "L x 0.098"W (12.65mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 5-sip | 4605x | ± 100ppm/° C | 5-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 4605x101473LF | 귀 99 | 8533.21.0050 | 200 | 47K | 버스 | 4 | - | - | 5 | 200MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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