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 | 746x101471J | - | | 6368 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 746 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 746x101 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 470 | 버스 | 8 | - | - | 10 | 31MW | ||
| YC248-FR-0759KL | 0.0663 | | 1132 | 0.00000000 | Yageo | YC248 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 | YC248-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 59K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 62.5MW | ||
| 4116R-1-273 | 1.0263 | | 5177 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4100r | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.865 "LX 0.300"W (21.97mm x 7.62mm) | 0.185 "(4.69mm) | 구멍을 구멍을 | 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 4116R | ± 100ppm/° C | 16-DIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 4116R-001-273 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 27K | 외딴 | 8 | - | 50ppm/° C | 16 | 250MW | |
| TA33-10KB10KB | 12.6714 | | 3969 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 716-TA33-10KB10KB | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | ||||||||||||||||||
 | 743C083182JTR | - | | 6875 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 743 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 1.8K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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