SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
766165191A CTS Resistor Products 766165191A -
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-165-R330/470 귀 99 8533.21.0010 49 330, 470 이중 이중 28 - - 16 80MW
766161560G CTS Resistor Products 766161560G -
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 56 버스 15 - - 16 80MW
77061181 CTS Resistor Products 77061181 -
RFQ
ECAD 1784 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 180 버스 5 - - 6 100MW
768161222G CTS Resistor Products 76816122G -
RFQ
ECAD 9017 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R2.2K 귀 99 8533.21.0010 43 2.2k 버스 15 - - 16 100MW
742C083561JTR CTS Resistor Products 742C083561JTR -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 560 외딴 4 - - 8 63MW
S42X083510JP CTS Resistor Products S42X083510JP 0.0412
RFQ
ECAD 7064 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083510JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 51 외딴 4 - - 8 63MW
77081124 CTS Resistor Products 77081124 -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 120K 버스 7 - - 8 100MW
766165131APTR13 CTS Resistor Products 766165131APTR13 1.5832
RFQ
ECAD 4458 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 220, 330 이중 이중 28 - - 16 80MW
753121272GPTR13 CTS Resistor Products 753121272GPTR13 1.4863
RFQ
ECAD 6690 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 2.7k 버스 11 - - 12 40MW
741C083152JP CTS Resistor Products 741C083152JP 0.0184
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 1.5K 외딴 4 - - 8 63MW
768161823GPTR13 CTS Resistor Products 768161823GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 8819 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 82k 버스 15 - - 16 100MW
RT1407B7TR13 CTS Resistor Products RT1407B7tr13 -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 35 이중 이중 18 - - 27 50MW
742C043334JTR CTS Resistor Products 742C043334JTR -
RFQ
ECAD 3397 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 0606,, 742C043 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 330K 외딴 2 - - 4 63MW
744C083682JP CTS Resistor Products 744C083682JP -
RFQ
ECAD 3005 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 6.8k 외딴 4 - - 8 125MW
768163392G CTS Resistor Products 768163392G -
RFQ
ECAD 2713 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-163-r3.9k 귀 99 8533.21.0010 43 3.9k 외딴 8 - - 16 200MW
767161332G CTS Resistor Products 767161332G -
RFQ
ECAD 7796 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 3.3k 버스 15 - - 16 100MW
RT2469B6 CTS Resistor Products RT2469B6 -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 cts 저항성 제품 - 대부분 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 - - - - -
768161220G CTS Resistor Products 768161220G -
RFQ
ECAD 4758 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R22 귀 99 8533.21.0010 43 22 버스 15 - - 16 100MW
744C083393JTR CTS Resistor Products 744C083393JTR -
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 cts 저항성 제품 744 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 오목한, 오목한 측면 터미널 744C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 39K 외딴 4 - - 8 125MW
768141330G CTS Resistor Products 768141330G -
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-141-R33 귀 99 8533.21.0010 48 33 버스 13 - - 14 100MW
752123103GTR7 CTS Resistor Products 752123103GTR7 -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 10k 외딴 6 - - 12 160MW
S41X083202FP CTS Resistor Products S41X083202FP 0.0311
RFQ
ECAD 5196 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083202FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 2K 외딴 4 - - 8 31MW
S41X083130GP CTS Resistor Products S41X083130GP 0.0269
RFQ
ECAD 5300 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083130GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 13 외딴 4 - - 8 31MW
766141182GP CTS Resistor Products 766141182GP 1.2910
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 1.8K 버스 13 - - 14 80MW
S42C163560JP CTS Resistor Products S42C163560JP 0.1518
RFQ
ECAD 7406 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163560JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 56 외딴 8 - - 16 63MW
741X163103JP CTS Resistor Products 741X163103JP 0.4000
RFQ
ECAD 175 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 741x163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 10k 외딴 8 - - 16 63MW
767163334GPTR13 CTS Resistor Products 767163334GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 4978 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 330K 외딴 8 - - 16 200MW
768161560G CTS Resistor Products 768161560G -
RFQ
ECAD 8467 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R56 귀 99 8533.21.0010 43 56 버스 15 - - 16 100MW
742C083101JTR CTS Resistor Products 742C083101JTR -
RFQ
ECAD 9357 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 100 외딴 4 - - 8 63MW
768203105GPTR13 CTS Resistor Products 768203105GPTR13 1.2041
RFQ
ECAD 7484 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.540 "L x 0.220"W (13.70mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 20- SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 1m 외딴 10 - - 20 200MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고