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저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S42X083274GP	0.0495	RFQ	8006	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083274GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	270K	외딴	4	-	-	8	63MW
S42X083101JP	0.0412	RFQ	2140	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083101JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	100	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083300FP	0.0914	RFQ	2165	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083300FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	30	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043181FP	0.0693	RFQ	7649	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043181FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	180	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043161JP	0.0198	RFQ	7271	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043161JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	160	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083243GP	0.0813	RFQ	8197	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083243GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	24K	외딴	4	-	-	8	63MW
S40X043223JP	0.0901	RFQ	8884	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043223JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	22k	외딴	2	-	-	4	31MW
S42X083123JP	0.0412	RFQ	5902	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083123JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	12k	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043624GP	0.0600	RFQ	1724	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043624GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	620K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083681FP	0.0311	RFQ	9281	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083681FPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	680	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X043120FP	0.0283	RFQ	5312	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043120FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	12	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C163134GP	0.1813	RFQ	8846	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163134GPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	130K	외딴	8	-	-	16	63MW
S41C083430GP	0.0560	RFQ	4789	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083430GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	43	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043184FP	0.0283	RFQ	8425	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043184FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	180K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41C083684GP	0.0560	RFQ	1847	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083684GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	680K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043201FP	0.0283	RFQ	1786	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043201FPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	200	외딴	2	-	-	4	63MW
S42X083221JP	0.0412	RFQ	5983	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083221JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	220	외딴	4	-	-	8	63MW
S41C083180FP	0.0653	RFQ	6099	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083180FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	18	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043474GP	0.0240	RFQ	5738	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043474GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	470K	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C163332JP	0.1518	RFQ	4124	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163332JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	3.3k	외딴	8	-	-	16	63MW
S42C043564FP	0.0693	RFQ	8664	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043564FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	560K	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043222GP	0.0240	RFQ	9675	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043222GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	2.2k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083100FP	0.0914	RFQ	7527	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083100FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	10	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043180FP	0.0693	RFQ	9876	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043180FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	18	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083330GP	0.0813	RFQ	6643	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083330GPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	33	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083153GP	0.0813	RFQ	7709	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083153GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	15k	외딴	4	-	-	8	63MW
S41X083273FP	0.0311	RFQ	5361	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083273FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	27K	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C163274JP	0.1518	RFQ	3502	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163274JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	270K	외딴	8	-	-	16	63MW
S40X043161JP	0.0901	RFQ	1091	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043161JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	160	외딴	2	-	-	4	31MW
S42C163131GP	0.1813	RFQ	1537	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163131GPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	130	외딴	8	-	-	16	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²