SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
752081223GPTR13 CTS Resistor Products 752081223GPTR13 1.2166
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 22k 버스 7 - - 8 80MW
768143472GP CTS Resistor Products 768143472GP 1.2132
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 4.7k 외딴 7 - - 14 200MW
766163561GPTR7 CTS Resistor Products 766163561GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 560 외딴 8 - - 16 160MW
S42C083104GP CTS Resistor Products S42C083104GP 0.0813
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083104GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 100k 외딴 4 - - 8 63MW
RT2408B6TR7 CTS Resistor Products RT2408B6TR7 -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (11.43x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 25, 60 이중 이중 18 - - 27 50MW
RT1403B6PTR13 CTS Resistor Products RT1403B6PTR13 -
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (11.43x3.81) - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 25 이중 이중 18 - - 27 50MW
768161223G CTS Resistor Products 768161223G -
RFQ
ECAD 5300 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-161-R22K 귀 99 8533.21.0010 43 22k 버스 15 - - 16 100MW
RT2405B6PTR13 CTS Resistor Products RT2405B6PTR13 -
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (11.43x5.08) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 4,000 22 이중 이중 18 - - 36 50MW
S42C163434JP CTS Resistor Products S42C163434JP 0.1518
RFQ
ECAD 5619 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163434JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 430K 외딴 8 - - 16 63MW
S41C083110GP CTS Resistor Products S41C083110GP 0.0560
RFQ
ECAD 2548 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083110GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 11 외딴 4 - - 8 31.25MW
77081823 CTS Resistor Products 77081823 -
RFQ
ECAD 4979 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 82k 버스 7 - - 8 100MW
RT1473B7TR13 CTS Resistor Products RT1473B7tr13 -
RFQ
ECAD 3991 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - - - - - rohs 비준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 - - - - -
766141822GPTR7 CTS Resistor Products 766141822GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 7408 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 8.2k 버스 13 - - 14 80MW
753083560GPTR7 CTS Resistor Products 753083560GPTR7 1.8660
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 56 외딴 4 - - 8 80MW
S41X083434GP CTS Resistor Products S41X083434GP 0.0269
RFQ
ECAD 9307 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083434GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 430K 외딴 4 - - 8 31MW
752181104G CTS Resistor Products 752181104G -
RFQ
ECAD 9851 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.515 "L x 0.080"W (13.08mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 18-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 500 100k 버스 16 - - 18 80MW
766161820GPTR7 CTS Resistor Products 766161820GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 6469 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 82 버스 15 - - 16 80MW
743C043513JP CTS Resistor Products 743C043513JP -
RFQ
ECAD 9849 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.100 "L x 0.079"W (2.54mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 51K 외딴 2 - - 4 100MW
770101154 CTS Resistor Products 770101154 -
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 150K 버스 9 - - 10 100MW
766141121GPTR7 CTS Resistor Products 766141121GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 120 버스 13 - - 14 80MW
77063820P CTS Resistor Products 77063820p 0.6179
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-63-R82P 귀 99 8533.21.0050 1,000 82 외딴 3 - - 6 100MW
745C101473JTR CTS Resistor Products 745C101473JTR -
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 cts 저항성 제품 745 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.126"W (6.40mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2512 (6432 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 745C101 ± 250ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 47K 버스 8 - - 10 63MW
766161183GPTR7 CTS Resistor Products 766161183GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 18K 버스 15 - - 16 80MW
752161221GPTR7 CTS Resistor Products 752161221GPTR7 1.6934
RFQ
ECAD 2357 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 220 버스 14 - - 16 80MW
767163472G CTS Resistor Products 767163472G -
RFQ
ECAD 1772 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 4.7k 외딴 8 - - 16 200MW
767141560GP CTS Resistor Products 767141560GP 1.1988
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 56 버스 13 - - 14 100MW
766165191APTR13 CTS Resistor Products 766165191APTR13 1.5832
RFQ
ECAD 1234 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 3,000 330, 470 이중 이중 28 - - 16 80MW
741C083223J CTS Resistor Products 741C083223J -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 22k 외딴 4 - - 8 63MW
742C083181JTR CTS Resistor Products 742C083181JTR -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 180 외딴 4 - - 8 63MW
742C083153JP CTS Resistor Products 742C083153JP 0.2800
RFQ
ECAD 1956 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 15k 외딴 4 - - 8 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고