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저항 저항, 네트워크 (9217)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	응용 응용	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	온도 온도	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	저항 (옴)	회로 회로	저항 저항	저항 저항 비율	저항-드리프트-비율	핀 핀	요소 요소 전원
S42C043240FP	0.0693	RFQ	5017	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043240FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	24	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083274GP	0.0269	RFQ	1428	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083274GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	270K	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C163203JP	0.1518	RFQ	8475	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163203JPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	20k	외딴	8	-	-	16	63MW
S41C083431JP	0.0481	RFQ	8132	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083431JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	430	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C043752FP	0.0693	RFQ	7001	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043752FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	7.5k	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X083100JP	0.0226	RFQ	9771	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083100JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	10	외딴	4	-	-	8	31MW
S41X083222JP	0.0226	RFQ	8421	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X083222JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	2.2k	외딴	4	-	-	8	31MW
S42C043222FP	0.0693	RFQ	8442	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043222FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	2.2k	외딴	2	-	-	4	63MW
S40X043513JP	0.0901	RFQ	2829	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0302	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S40X043513JPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	51K	외딴	2	-	-	4	31MW
S41C083822GP	0.0560	RFQ	1594	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083822GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	8.2k	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41C083474FP	0.0653	RFQ	2492	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083474FPR	귀 99	8533.21.0020	10,000	470K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043913FP	0.0283	RFQ	5705	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043913FPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	91K	외딴	2	-	-	4	63MW
S42X083470JP	0.0412	RFQ	1798	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083470JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	47	외딴	4	-	-	8	63MW
S42X083130JP	0.0412	RFQ	2799	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083130JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	13	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C163101GP	0.1813	RFQ	7082	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	2506, 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	2506	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C163101GPTR	귀 99	8533.21.0020	4,000	100	외딴	8	-	-	16	63MW
S41C083473GP	0.0560	RFQ	2596	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083473GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	47K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S42C043684JP	0.0508	RFQ	8070	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043684JPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	680K	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C043512FP	0.0693	RFQ	2512	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043512FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	5.1k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C043682FP	0.0693	RFQ	3173	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043682FPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	6.8k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42X083510GP	0.0495	RFQ	3151	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.024 "(0.60mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42X083510GPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	51	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043201FP	0.0693	RFQ	7519	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043201FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	200	외딴	2	-	-	4	63MW
S41C083124GP	0.0560	RFQ	4395	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	0804,,, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	0804	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41C083124GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	120K	외딴	4	-	-	8	31.25MW
S41X043160GP	0.0240	RFQ	5250	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043160GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	16	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083910GP	0.0813	RFQ	8575	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083910GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	91	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043750GP	0.0600	RFQ	9815	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043750GPR	귀 99	8533.21.0020	5,000	75	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C043752GP	0.0600	RFQ	8475	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043752GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	7.5k	외딴	2	-	-	4	63MW
S42C083333GP	0.0813	RFQ	6963	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C0833333GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	33k	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C083204GP	0.0813	RFQ	8371	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널	± 200ppm/° C	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C083204GPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	200k	외딴	4	-	-	8	63MW
S42C043121FP	0.0693	RFQ	5085	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	0606,,	± 200ppm/° C	0606	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S42C043121FPTR	귀 99	8533.21.0020	5,000	120	외딴	2	-	-	4	63MW
S41X043473GP	0.0240	RFQ	9898	cts 저항성 제품	S4X	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm)	0.016 "(0.40mm)	표면 표면	0404 (1010 metric), 볼록	± 200ppm/° C	0404	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	60-S41X043473GPTR	귀 99	8533.21.0020	10,000	47K	외딴	2	-	-	4	63MW

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

저항 저항, 네트워크 (9217)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²