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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S42C083621JP CTS Resistor Products S42C083621JP 0.0680
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083621JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 620 외딴 4 - - 8 63MW
766143224GPTR7 CTS Resistor Products 766143224GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 220K 외딴 7 - - 14 160MW
768143331GPTR13 CTS Resistor Products 768143331GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 330 외딴 7 - - 14 200MW
768143153GPTR13 CTS Resistor Products 768143153GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 15k 외딴 7 - - 14 200MW
767161100GP CTS Resistor Products 767161100GP 1.2132
RFQ
ECAD 4078 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 10 버스 15 - - 16 100MW
768161270GPTR13 CTS Resistor Products 768161270GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 9077 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 27 버스 15 - - 16 100MW
753091473GP CTS Resistor Products 753091473GP 1.9136
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 47K 버스 8 - - 9 40MW
743C083562JP CTS Resistor Products 743C083562JP -
RFQ
ECAD 5294 0.00000000 cts 저항성 제품 743 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.200 "L x 0.079"W (5.08mm x 2.00mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2008, 긴, 오목한 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 743C083562JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 5.6k 외딴 4 - - 8 100MW
753081103GPTR7 CTS Resistor Products 753081103GPTR7 1.9136
RFQ
ECAD 8711 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 10k 버스 7 - - 8 40MW
768161563GP CTS Resistor Products 768161563GP 1.2132
RFQ
ECAD 9461 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 56K 버스 15 - - 16 100MW
742C083561JP CTS Resistor Products 742C083561JP 0.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 560 외딴 4 - - 8 63MW
770103474P CTS Resistor Products 770103474P 0.6528
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-103-R470KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 470K 외딴 5 - - 10 100MW
766141201G CTS Resistor Products 766141201G -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 200 버스 13 - - 14 80MW
77061184P CTS Resistor Products 77061184P 0.6488
RFQ
ECAD 8447 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-61-R180KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 180K 버스 5 - - 6 100MW
RT1400B6PTR7 CTS Resistor Products RT1400B6PTR7 -
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (11.43x3.81) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 25, 50 이중 이중 18 - - 27 50MW
766143273GP CTS Resistor Products 766143273GP 1.2910
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 27K 외딴 7 - - 14 160MW
741C083514J CTS Resistor Products 741C083514J -
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 510K 외딴 4 - - 8 63MW
766161471GP CTS Resistor Products 766161471GP 1.2910
RFQ
ECAD 2231 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-161-R470p 귀 99 8533.21.0010 49 470 버스 15 - - 16 80MW
S41X043562GP CTS Resistor Products S41X043562GP 0.0240
RFQ
ECAD 3960 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043562GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 5.6k 외딴 2 - - 4 63MW
768143101G CTS Resistor Products 768143101G -
RFQ
ECAD 5421 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-143-R100 귀 99 8533.21.0010 48 100 외딴 7 - - 14 200MW
766143102GP CTS Resistor Products 766143102GP 1.2910
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-143-R1KP 귀 99 8533.21.0010 56 1K 외딴 7 - - 14 160MW
768163220G CTS Resistor Products 768163220G -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-163-R22 귀 99 8533.21.0010 43 22 외딴 8 - - 16 200MW
753121103GPTR13 CTS Resistor Products 753121103GPTR13 1.4863
RFQ
ECAD 2775 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.345 "L x 0.080"W (8.76mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 12-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 10k 버스 11 - - 12 40MW
77083393P CTS Resistor Products 77083393P 0.6300
RFQ
ECAD 2187 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-83-R39KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 39K 외딴 4 - - 8 100MW
RT1405B6TR7 CTS Resistor Products RT1405B6TR7 -
RFQ
ECAD 5070 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.200"W (11.43mm x 5.08mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 200ppm/° C 36-BGA (11.43x5.08) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 22 이중 이중 18 - - 36 50MW
766165121A CTS Resistor Products 766165121A -
RFQ
ECAD 1820 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-165-R180/390 귀 99 8533.21.0010 49 180, 390 이중 이중 28 - - 16 80MW
752081331GP CTS Resistor Products 752081331GP 1.5389
RFQ
ECAD 6203 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 330 버스 7 - - 8 80MW
766161221GP CTS Resistor Products 766161221GP 1.2910
RFQ
ECAD 5567 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-161-R220P 귀 99 8533.21.0010 49 220 버스 15 - - 16 80MW
RT1432B6TR13 CTS Resistor Products RT1432B6TR13 -
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.450 "L x 0.150"W (11.43mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 120 이중 이중 18 - - 27 50MW
RT2467B7TR13 CTS Resistor Products RT2467B7tr13 -
RFQ
ECAD 9465 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) 0.053 "(1.34mm) 표면 표면 27-lbga ± 200ppm/° C 27-BGA (9x3) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 4,000 75 이중 이중 18 - - 27 50MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고