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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
S41C083202GP CTS Resistor Products S41C083202GP 0.0560
RFQ
ECAD 4494 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083202GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 2K 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C083124JP CTS Resistor Products S42C083124JP 0.0680
RFQ
ECAD 4013 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083124JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 120K 외딴 4 - - 8 63MW
S40X043181JP CTS Resistor Products S40X043181JP 0.0901
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043181JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 180 외딴 2 - - 4 31MW
S41C083622FP CTS Resistor Products S41C083622FP 0.0653
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083622FPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 6.2k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X043361GP CTS Resistor Products S41X043361GP 0.0240
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043361GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 360 외딴 2 - - 4 63MW
S42C083164GP CTS Resistor Products S42C083164GP 0.0813
RFQ
ECAD 3867 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083164GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 160K 외딴 4 - - 8 63MW
S42X083122FP CTS Resistor Products S42X083122FP 0.0560
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083122FPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.2k 외딴 4 - - 8 63MW
S42C083104GP CTS Resistor Products S42C083104GP 0.0813
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083104GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 100k 외딴 4 - - 8 63MW
S42X083132JP CTS Resistor Products S42X083132JP 0.0412
RFQ
ECAD 1974 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083132JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.3k 외딴 4 - - 8 63MW
S41C083561JP CTS Resistor Products S41C083561JP 0.0481
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083561JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 560 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C083105FP CTS Resistor Products S42C083105FP 0.0914
RFQ
ECAD 4333 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083105FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 1m 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083681GP CTS Resistor Products S41X083681GP 0.0269
RFQ
ECAD 2857 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083681GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 680 외딴 4 - - 8 31MW
S42C163242GP CTS Resistor Products S42C163242GP 0.1813
RFQ
ECAD 3400 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163242GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 2.4k 외딴 8 - - 16 63MW
S42C043681GP CTS Resistor Products S42C043681GP 0.0600
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043681GPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 680 외딴 2 - - 4 63MW
S42C043241FP CTS Resistor Products S42C043241FP 0.0693
RFQ
ECAD 7174 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043241FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 240 외딴 2 - - 4 63MW
S42C163752GP CTS Resistor Products S42C163752GP 0.1813
RFQ
ECAD 9100 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163752GPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 7.5k 외딴 8 - - 16 63MW
S42C083202FP CTS Resistor Products S42C083202FP 0.0914
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083202FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 2K 외딴 4 - - 8 63MW
S42C083823JP CTS Resistor Products S42C083823JP 0.0680
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083823JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 82k 외딴 4 - - 8 63MW
S41X043332FP CTS Resistor Products S41X043332FP 0.0283
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043332FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 3.3k 외딴 2 - - 4 63MW
S42X083163FP CTS Resistor Products S42X083163FP 0.0560
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083163FPR 귀 99 8533.21.0020 5,000 16k 외딴 4 - - 8 63MW
S42C163563JP CTS Resistor Products S42C163563JP 0.1518
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163563JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 56K 외딴 8 - - 16 63MW
S42X083680JP CTS Resistor Products S42X083680JP 0.0412
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083680JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 68 외딴 4 - - 8 63MW
S41X083474FP CTS Resistor Products S41X083474FP 0.0311
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083474FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 470K 외딴 4 - - 8 31MW
S41C083220FP CTS Resistor Products S41C083220FP 0.0653
RFQ
ECAD 2339 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083220FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 22 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X043303GP CTS Resistor Products S41X043303GP 0.0240
RFQ
ECAD 6459 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043303GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 30K 외딴 2 - - 4 63MW
S41X043223JP CTS Resistor Products S41X043223JP 0.0198
RFQ
ECAD 1993 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043223JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 22k 외딴 2 - - 4 63MW
S42X083390JP CTS Resistor Products S42X083390JP 0.0412
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083390JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 39 외딴 4 - - 8 63MW
S42C043621JP CTS Resistor Products S42C043621JP 0.0508
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043621JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 620 외딴 2 - - 4 63MW
S40X043241JP CTS Resistor Products S40X043241JP 0.0901
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0302 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S40X043241JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 240 외딴 2 - - 4 31MW
S42X083121FP CTS Resistor Products S42X083121FP 0.0560
RFQ
ECAD 4803 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42X083121FPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 120 외딴 4 - - 8 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고