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| 766161220GPTR7 | 1.2910 | | 7427 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 800 | 22 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||
 | 77061683P | 0.6488 | | 4685 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "L x 0.098"W (15.24mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | ± 100ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-61-R68KP | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 68K | 버스 | 5 | - | - | 6 | 100MW | ||
 | 753163471GPTR7 | 2.0285 | | 2484 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 16-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 470 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 80MW | |||
 | 740x043154JP | 0.0600 | | 1725 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 740 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | 740x043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 150K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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