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| 766161821GP | 1.2910 | | 4292 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 820 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||
| 767143273GP | 1.1988 | | 1372 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 767 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) | 0.093 "(2.36mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 48 | 27K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||
| 753081102GPTR13 | 1.4863 | | 7012 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 753 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 8-srt | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 1K | 버스 | 7 | - | - | 8 | 40MW | |||
| S42C083392FP | 0.0914 | | 6675 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083392FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 3.9k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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