SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
752091821JPTR13 CTS Resistor Products 752091821JPTR13 -
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 cts 저항성 제품 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 60-752091821JPTR13TR 귀 99 8533.21.0020 5,000
S41C083180FP CTS Resistor Products S41C083180FP 0.0653
RFQ
ECAD 6099 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083180FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 18 외딴 4 - - 8 31.25MW
S42C083110JP CTS Resistor Products S42C083110JP 0.0680
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C083110JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 11 외딴 4 - - 8 63MW
767143510GP CTS Resistor Products 767143510GP 1.1988
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 51 외딴 7 - - 14 200MW
S41C083433GP CTS Resistor Products S41C083433GP 0.0560
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C083433GPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 43K 외딴 4 - - 8 31.25MW
752083220GTR7 CTS Resistor Products 752083220GTR7 -
RFQ
ECAD 2997 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 22 외딴 4 - - 8 160MW
768143105GP CTS Resistor Products 768143105GP 1.2132
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 1m 외딴 7 - - 14 200MW
S41X083271FP CTS Resistor Products S41X083271FP 0.0311
RFQ
ECAD 7092 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083271FPR 귀 99 8533.21.0020 10,000 270 외딴 4 - - 8 31MW
S42C163333JP CTS Resistor Products S42C163333JP 0.1518
RFQ
ECAD 6847 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 2506 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C163333JPTR 귀 99 8533.21.0020 4,000 33k 외딴 8 - - 16 63MW
S41X083204JP CTS Resistor Products S41X083204JP 0.0226
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X083204JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 200k 외딴 4 - - 8 31MW
766141224GP CTS Resistor Products 766141224GP 1.2910
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 766-141-R220KP 귀 99 8533.21.0010 56 220K 버스 13 - - 14 80MW
766145151APTR7 CTS Resistor Products 766145151APTR7 1.7098
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 220, 470 이중 이중 24 - - 14 80MW
766141561G CTS Resistor Products 766141561G -
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 56 560 버스 13 - - 14 80MW
770101684 CTS Resistor Products 770101684 -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 10-sip ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 250 680K 버스 9 - - 10 100MW
767161224GPTR13 CTS Resistor Products 767161224GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 2908 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 220K 버스 15 - - 16 100MW
753091101GPTR13 CTS Resistor Products 753091101GPTR13 1.4863
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 cts 저항성 제품 753 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.270 "L x 0.080"W (6.86mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 9-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 100 버스 8 - - 9 40MW
768161201GP CTS Resistor Products 768161201GP 1.2132
RFQ
ECAD 1187 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 200 버스 15 - - 16 100MW
S41C083133FP CTS Resistor Products S41C08313333FP 0.0653
RFQ
ECAD 6244 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41C0831333FPRT 귀 99 8533.21.0020 10,000 13k 외딴 4 - - 8 31.25MW
S41X043240JP CTS Resistor Products S41X043240JP 0.0198
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.016 "(0.40mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S41X043240JPTR 귀 99 8533.21.0020 10,000 24 외딴 2 - - 4 63MW
768143221GP CTS Resistor Products 768143221GP 1.2132
RFQ
ECAD 5277 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 220 외딴 7 - - 14 200MW
752083332GP CTS Resistor Products 752083332GP 1.4693
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 cts 저항성 제품 752 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.465 "L x 0.080"W (11.81mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 8-srt ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 250 3.3k 외딴 4 - - 8 160MW
RT2417B6 CTS Resistor Products RT2417B6 -
RFQ
ECAD 8660 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 대부분 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C PCI, PCIX 0.400 "L x 0.150"W (10.16mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 24-lbga ± 200ppm/° C 24-BGA (10.16x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1 4.7k 이중 이중 16 - - 24 50MW
768161394GPTR13 CTS Resistor Products 768161394GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 1727 0.00000000 cts 저항성 제품 768 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 390K 버스 15 - - 16 100MW
741X083332JP CTS Resistor Products 741X083332JP 0.0123
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741x083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 3.3k 외딴 4 - - 8 63MW
746X101472J CTS Resistor Products 746x101472J -
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 cts 저항성 제품 746 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 746x101 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 4.7k 버스 8 - - 10 31MW
766141333GPTR7 CTS Resistor Products 76614133333GPTR7 1.2910
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 cts 저항성 제품 766 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 800 33k 버스 13 - - 14 80MW
RT1427B6TR7 CTS Resistor Products RT1427B6TR7 -
RFQ
ECAD 3048 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.600 "L x 0.150"W (15.24mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 36-lbga ± 100ppm/° C 36-BGA (15.24x3.81) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 1,000 56 이중 이중 32 - - 36 50MW
S42C043123JP CTS Resistor Products S42C043123JP 0.0508
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 cts 저항성 제품 S4X 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C 0606 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-S42C043123JPTR 귀 99 8533.21.0020 5,000 12k 외딴 2 - - 4 63MW
742C083271JP CTS Resistor Products 742C083271JP 0.2700
RFQ
ECAD 73 0.00000000 cts 저항성 제품 742 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 742C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 270 외딴 4 - - 8 63MW
746X101104JP CTS Resistor Products 746x101104JP 0.2400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 cts 저항성 제품 746 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 746x101 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 100k 버스 8 - - 10 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고